对等离子体处理的离子偏置电压的空间和时间控制制造技术

公开了用于等离子体处理的系统和方法。一种示例性系统可以包括等离子体处理室，其包括在该处理室中产生等离子体的源以及布置在该等离子体处理室内的至少两个偏置电极，所述至少两个偏置电极用于控制接近所述偏置电极的等离子体鞘层。卡盘被设置为支撑衬底，并且源生成器耦合至等离子体电极。至少一个偏置电源耦合至所述至少两个偏置电极，并且控制器被包括为控制所述至少一个偏置电源，以控制接近偏置电极的等离子体鞘层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】对等离子体处理的离子偏置电压的空间和时间控制根据35U.S.C.§119的优先权主张本专利申请主张于2017年11月17日提交的专利技术名称为“SPATIALANDTEMPORALCONTROLOFIONBIASVOLTAGEFORPLASMAPROCESSING”并且转让给本受让人的临时申请No.62/588,224的优先权，并且由此通过引用将其明确并入本文。
本公开总体上涉及等离子体处理。具体地，而非限制性地，本公开涉及用于用电源修改等离子体处理环境的系统、方法和设备。
技术介绍
等离子体处理室的一个挑战在于控制衬底上方的等离子体鞘层的均匀性，尤其是围绕衬底的边缘的等离子体鞘层的均匀性。由衬底边缘、掩埋的电平面的边缘、隔离环和其他室相关制品导致的不连续性可能影响鞘层均匀性，其将相对于衬底改变离子轨迹，并因此可能对衬底的处理造成不利影响。现有技术的尝试已经使用了衬底支架、室形状和其他物理几何结构中的物理改变来试图缓解这些挑战。但是，这些方案是静态的、不灵活的，并且在其他情况下是有缺陷的。r>专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于等离子体处理的系统，所述系统包括：/n等离子体处理室，所述等离子体处理室包括：/n源，所述源用于在所述处理室中提供等离子体；/n布置在所述等离子体处理室内的至少两个偏置电极，所述至少两个偏置电极用于控制接近所述偏置电极的等离子体鞘层；以及/n卡盘，所述卡盘被设置为支撑衬底；/n至少一个偏置电源，所述至少一个偏置电源耦合至所述至少两个偏置电极；以及/n控制器，所述控制器用于控制所述至少一个偏置电源，以向所述至少两个偏置电极中的每个施加非对称周期性电压波形，从而控制接近所述偏置电极的所述等离子体鞘层。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171117 US 62/588,2241.一种用于等离子体处理的系统，所述系统包括：
等离子体处理室，所述等离子体处理室包括：
源，所述源用于在所述处理室中提供等离子体；
布置在所述等离子体处理室内的至少两个偏置电极，所述至少两个偏置电极用于控制接近所述偏置电极的等离子体鞘层；以及
卡盘，所述卡盘被设置为支撑衬底；
至少一个偏置电源，所述至少一个偏置电源耦合至所述至少两个偏置电极；以及
控制器，所述控制器用于控制所述至少一个偏置电源，以向所述至少两个偏置电极中的每个施加非对称周期性电压波形，从而控制接近所述偏置电极的所述等离子体鞘层。


2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述源包括远程等离子体源或源生成器的至少其中之一。


3.根据权利要求1所述的系统，其中，所述卡盘设置在所述等离子体的鞘层和所述至少两个偏置电极之间，以使所述至少两个偏置电极能够更改所述鞘层的影响离子轨迹或者离子能量相对于所述衬底的空间分布的至少其中之一的一部分。


4.根据权利要求3所述的系统，其中，所述至少两个偏置电极之一的一部分沿所述卡盘的边缘设置，以更改所述鞘层的影响离子轨迹或者离子能量相对于所述衬底的边缘的空间分布的至少其中之一的一部分。


5.根据权利要求1所述的系统，其中，所述控制器包括：
监测电路，所述监测电路用于测量由所述至少一个偏置电源施加的所述功率的至少一个特性；
室分析部件，所述室分析部件被配置为基于从所述监测电路获得的所测量的所述功率的特性来确定所述等离子体处理室内的环境的特性；以及
控制电路，所述控制电路用于调整由所述至少一个偏置电源施加的所述功率，以控制接近所述偏置电极的所述等离子体鞘层。


6.根据权利要求5所述的系统，其中，所述室分析部件被配置为计算接近所述偏置电极的所述等离子体鞘层的鞘层电容，并且所述控制电路被配置为调整所施加的功率的至少一个特性，以调整所述鞘层电容。


7.根据权利要求5所述的系统，其中，所述控制器包括集成到所述至少一个偏置电源内的集成控制器或者控制所述等离子体处理系统的多个部件的系统控制器的至少其中之一。


8.根据权利要求1所述的系统，包括耦合至所述等离子体电极的源...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·肖，K·费尔贝恩，D·卡特，
申请(专利权)人：先进工程解决方案全球控股私人有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡;SG