【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在图案化中的氧化锡心轴相关申请的交叉引用本申请要求2018年4月10日提交的名称为“TinOxideMandrelsinPatterning”的、Yu等人作为专利技术人的美国临时专利申请No.62/655,678，和2018年1月30日提交的名称为“SpacerformationUsingTinOxideMandrels”的、Tan等人作为专利技术人的美国临时专利申请No.62/624,066的权益，其全部内容通过引用并入本文。
本专利技术涉及半导体器件制造的方法。具体地，本专利技术的实施方案涉及在半导体加工中使用氧化锡膜的方法。
技术介绍
在集成电路(IC)制造中，沉积和蚀刻技术用于形成材料图案，例如用于形成嵌入介电层中的金属线。一些图案化方案涉及使用能够精确图案化和形成小尺寸特征的间隔件。间隔件形成在衬底上，使得它们以限定(通常由先前的图案化确定)的距离分开，并且用作掩模以用于下伏层的图案化。选择间隔件和周围层的材料以具有适当的蚀刻选择性，这将使得能够形成间隔件和下伏层图案化。在图案化完成之后，间隔件通过...
【技术保护点】
1.一种处理半导体衬底的方法，所述方法包括：/n(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底具有存在于蚀刻停止层上的多个氧化锡突起特征；/n(b)在所述氧化锡突起特征的水平表面和侧壁两者上都形成间隔材料层；以及/n(c)从所述氧化锡突起特征的所述水平表面上去除所述间隔材料以暴露下伏的氧化锡，而没有完全去除在所述氧化锡突起特征的所述侧壁上的所述间隔材料。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180130 US 62/624,066;20180410 US 62/655,6781.一种处理半导体衬底的方法，所述方法包括：
(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底具有存在于蚀刻停止层上的多个氧化锡突起特征；
(b)在所述氧化锡突起特征的水平表面和侧壁两者上都形成间隔材料层；以及
(c)从所述氧化锡突起特征的所述水平表面上去除所述间隔材料以暴露下伏的氧化锡，而没有完全去除在所述氧化锡突起特征的所述侧壁上的所述间隔材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其还包括：
(d)去除所述氧化锡突起特征而没有完全去除先前存在于所述氧化锡突起特征的所述侧壁上的所述间隔材料，从而形成存在于所述蚀刻停止层上方的多个间隔件。
3.根据权利要求2所述的方法，其还包括：
(e)在去除所述氧化锡突起特征之后，在存在所述多个间隔件的情况下蚀刻所述蚀刻停止层。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隔材料选自由含硅材料和二氧化钛组成的组。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述间隔材料是选自由氧化硅、氮化硅、碳化硅、SiOC、SiNO、SiCNO和SiCN组成的组的含硅材料。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隔材料是氧化钛，并且所述蚀刻停止层包含含硅材料。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隔材料是氧化硅，并且所述蚀刻停止层包含钨。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隔材料是含硅材料，并且其中，在(c)中从水平表面去除所述间隔材料包括使用基于氟的蚀刻化学物质来蚀刻所述间隔材料。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隔材料是氧化钛，并且其中，在(c)中从水平表面去除所述间隔材料包括使用基于氯的蚀刻化学物质来蚀刻所述间隔材料。
10.根据权利要求1所述的方法，其还包括：
(d)去除所述氧化锡突起特征而没有完全去除先前存在于所述氧化锡突起特征的所述侧壁上的所述间隔材料，从而形成存在于所述蚀刻停止层上方的多个间隔件，其中使用基于氢的蚀刻化学物质去除所述氧化锡突起特征，从而导致形成氢化锡。
11.根据权利要求1所述的方法，其还包括：
(d)去除所述氧化锡突起特征而没有完全去除先前存在于所述氧化锡突起特征的所述侧壁上的所述间隔材料，从而形成存在于所述蚀刻停止层上方的多个间隔件，其中去除所述氧化锡突起特征包括：使所述半导体衬底与选自由H2、HBr、NH3、H2O、烃及其组合组成的组的等离子体活化的含氢反应物接触。
12.根据权利要求1所述的方法，其还包括在(a)之前：
通过图...
【专利技术属性】
技术研发人员：游正义，萨曼莎·西亚姆华·坦，徐相俊，鲍里斯·沃洛斯基，希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴保蒂，理查德·怀斯，潘阳，吴晖荣，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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