刻蚀方法及半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种刻蚀方法及半导体器件的制造方法，所述刻蚀方法包括，在工艺腔内的侧壁上形成聚合物，在所述工艺腔内通入第一刻蚀气体，并使所述第一刻蚀气体在所述工艺腔内的侧壁上流动，以使所述聚合物吸收部分所述第一刻蚀气体。由于，所述聚合物吸收了部分所述第一刻蚀气体，由此，在通过所述第一刻蚀气体刻蚀抗反射层时，可以减少第一刻蚀气体对图形化的光刻胶层的刻蚀，即减少所述第一刻蚀气体对所述图形化的光刻胶层的刻蚀量，从而可以减少图形化的光刻胶层的损耗，进而在半导体器件的制造过程中，可以避免光刻胶损耗严重对金属结构层的侧壁造成损伤的问题。

【技术实现步骤摘要】
刻蚀方法及半导体器件的制造方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种刻蚀方法及半导体器件的制造方法。
技术介绍
现今，在半导体器件制造的后段工艺(BEOL)上，一般是先在MOS晶体管等半导体器件上形成第一金属层(M1)，第一金属层与半导体器件之间通过金属栓塞(plug，通常为W插塞)相导通，之后再在第一金属层上形成第二金属层(M2)，还可以在第二金属层上依次形成第三金属层(M3)、…第x金属层(Mx)，每层金属层都包括层间介质层以及嵌在层间介质层中的金属导线。形成金属层的方法通常包括，在衬底上衬底形成金属层，然后在金属层上形成抗反射层(BARC)，接着，在抗反射层上形成图形化的光刻胶层。由于，抗反射层(BARC)位于金属层和光刻胶层之间，因此在刻蚀金属层之前，需要先刻蚀抗反射层。刻蚀所述抗反射层的方法通常包括，将衬底置于工艺腔内，并在工艺腔内通入刻蚀气体，通过所述刻蚀气体刻蚀所述抗反射层，但在刻蚀过程中，刻蚀气体会对光刻胶层造成刻蚀，并会去除大部分厚度的光刻胶层，即，会使得光刻胶层的损耗较严重，并且大部分厚度的光刻胶层被去除后，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括：/n提供刻蚀设备，所述刻蚀设备包括一工艺腔；/n在所述工艺腔内的侧壁上形成聚合物；/n将半导体衬底置于所述工艺腔内，所述半导体衬底上依次形成有金属结构层、抗反射层和图形化的光刻胶层；/n在所述工艺腔内通入第一刻蚀气体，并使所述第一刻蚀气体在所述工艺腔内的侧壁上流动，以使所述聚合物吸收部分所述第一刻蚀气体；/n以所述图形化的光刻胶层为掩膜，通过剩余的所述第一刻蚀气体刻蚀所述抗反射层，并停止在所述金属结构层表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括：
提供刻蚀设备，所述刻蚀设备包括一工艺腔；
在所述工艺腔内的侧壁上形成聚合物；
将半导体衬底置于所述工艺腔内，所述半导体衬底上依次形成有金属结构层、抗反射层和图形化的光刻胶层；
在所述工艺腔内通入第一刻蚀气体，并使所述第一刻蚀气体在所述工艺腔内的侧壁上流动，以使所述聚合物吸收部分所述第一刻蚀气体；
以所述图形化的光刻胶层为掩膜，通过剩余的所述第一刻蚀气体刻蚀所述抗反射层，并停止在所述金属结构层表面。


2.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在刻蚀所述抗反射层时，刻蚀的时间为30s～40s。


3.如权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，在所述工艺腔内的侧壁上形成所述聚合物的方法为；
在所述工艺腔内设置一具有膜层的基底；
在所述工艺腔内通入第二刻蚀气体；
通过所述第二刻蚀气体对所述基底执行刻蚀工艺，以使所述第二刻蚀气体与所述膜层反应，进而形成所述聚合物。


4.如权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体为氧气，所述第二刻蚀气体为碳气、氮气和氢气中的至少一种。


5.如权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于，所述膜层为氧化层、氮化层和氮氧化层中的至少一种。
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈宏，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31