【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着集成电路的集成度不断提高，集成电路向亚微米、深亚微米方向快速发展，其图案线宽也将越来越细，这对半导体工艺提出了更高的要求。因此，对如何实现细线宽图案进行深入研究以适应半导体工艺的新要求已成为一个刻不容缓的课题。光刻技术(Lithograph)是实现集成电路图案的关键工艺技术。在光刻技术中，将感光材料(光刻胶)涂覆于基底的薄膜上，采用与光刻胶感光特性相应的波段的光，透过具有特定图案的掩膜板照射至光刻胶表面，经显影后形成与掩膜板上的图案相对应的光刻胶图形。在集成电路的后续工艺中，以此光刻胶图形作为阻挡层对其下的薄膜进行选择性刻蚀，便可以将掩膜板上的图案完整地转移到基底的薄膜上。集成电路的图案线宽越细，要求光刻胶的成像分辨率越高，而光刻胶的成像分辨率与曝光光源的波长成反比，因此，缩小曝光光源的波长成为实现细线宽图案的主要途径。目前，随着集成电路的发展，光刻技术经历了G线光刻(436nm)、I线光刻(365...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的图形定义层；/n对所述图形定义层的多个位置同时进行掺杂离子，或者依次对所述图形定义层的多个位置进行掺杂离子，形成金属阻断层，所述金属阻断层的刻蚀难度大于所述图形定义层的刻蚀难度；/n去除未掺杂离子的所述图形定义层；/n以所述金属阻断层为掩膜刻蚀所述衬底，在所述衬底中形成多个衬底凹槽以及位于衬底凹槽之间的衬底隔层。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的图形定义层；
对所述图形定义层的多个位置同时进行掺杂离子，或者依次对所述图形定义层的多个位置进行掺杂离子，形成金属阻断层，所述金属阻断层的刻蚀难度大于所述图形定义层的刻蚀难度；
去除未掺杂离子的所述图形定义层；
以所述金属阻断层为掩膜刻蚀所述衬底，在所述衬底中形成多个衬底凹槽以及位于衬底凹槽之间的衬底隔层。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过离子注入方式在所述图形定义层中掺杂离子。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述图形定义层的材料为氧化硅；在所述图形定义层中掺杂离子的步骤包括：在所述图形定义层中掺杂硅离子，形成材料为富硅氧化硅的金属阻断层。
4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述图形定义层的材料为无定形硅；在所述图形定义层中掺杂离子的步骤包括：在所述图形定义层中掺杂硼离子，形成金属阻断层。
5.如权利要求2、3或4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，离子注入的工艺参数包括：注入剂量为1.0E19原子每平方厘米至1.0E21原子每平方厘米，注入能量为1Kev至20Kev，离子注入的角度与所述衬底表面法线的夹角为0至10度。
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，依次对所述图形定义层的多个位置进行掺杂离子，形成金属阻断层的步骤包括对多个位置分别执行成膜分步骤，所述成膜分步骤包括：
在所述图形定义层上形成所述第一底部抗反射层，刻蚀所述第一底部抗反射层，形成剩余第一底部抗反射层和位于所述剩余第一底部抗反射层中的通孔；对所述通孔露出的所述图形定义层掺杂离子；在离子掺杂后，去除所述剩余第一底部抗反射层。
7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述图形定义层的多个位置同时进行掺杂离子的步骤包括：在形成所述图形定义层之后，在对所述图形定义层的多个位置同时进行掺杂离子之前，形成具有多个开口的掩膜图形层；以所述掩膜图形层为掩膜对所述图形定义层掺杂离子，形成金属阻断层。
8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成具有多个开口的掩膜图形层的步骤包括：
在图形定义层上形成掩膜材料层；对所述掩膜材料层执行多次图形转移步骤，在掩膜材料层中形成具有多个开口的掩膜图形层；
所述图形转移步骤包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，陈卓凡，刘思旸，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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