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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的图形定义层；对所述图形定义层的多个位置同时进行掺杂离子，或者依次对所述图形定义层的多个位置进行掺杂离子，形成金属阻断层，所述金属阻断层的刻蚀难度大于所述图...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。