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本发明提供一种刻蚀方法及半导体器件的制造方法，所述刻蚀方法包括，在工艺腔内的侧壁上形成聚合物，在所述工艺腔内通入第一刻蚀气体，并使所述第一刻蚀气体在所述工艺腔内的侧壁上流动，以使所述聚合物吸收部分所述第一刻蚀气体。由于，所述聚合物吸收了部分...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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