一种干刻蚀方法及多晶硅薄膜晶体管技术

本申请公开了一种干刻蚀方法及多晶硅薄膜晶体管，其中方法包括：提供衬底，在衬底上制备半导体层和光阻，对光阻进行曝光和显影；将衬底、半导体层和光阻放置在反应腔室中，向反应腔室中通入第一刻蚀气体，对半导体层进行第一次干法刻蚀；在反应腔室中通入氧气；反应一段时间后将氧气和第一刻蚀气体抽走；向反应腔室中通入第二刻蚀气体，对半导体层进行第二次干法刻蚀，形成有源层。由于氧气的活性较大，在两次相邻的刻蚀步骤中通入氧气，可带走部分积累的静电，改善反应腔室中环境，从而改善刻蚀时产生的静电放电现象。

【技术实现步骤摘要】
一种干刻蚀方法及多晶硅薄膜晶体管
本申请涉及半导体制备工艺，尤其涉及一种干刻蚀方法及多晶硅薄膜晶体管。
技术介绍
目前，干刻蚀在低温多晶硅薄膜晶体管的制备中得到大量应用，在刻蚀气体在进行等离子刻蚀过程中，由于反应腔内等离子体分布的不均匀性，会导致基板局部地区会有大量电荷的累积，从而造成静电放电，静电放电电压很高容易击穿基板，造成多晶硅薄膜晶体管的永久损坏。因此现有基板干刻蚀工艺中，存在基板静电积累，容易产生静电放电的问题，需要解决。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种干刻蚀方法及多晶硅薄膜晶体管，可以有效缓解多晶硅薄膜晶体管在干刻蚀时产生的静电放电现象。本申请实施例提供一种干刻蚀方法，包括：提供衬底，在所述衬底上制备半导体层和光阻，对所述光阻进行曝光和显影；将所述衬底、所述半导体层和所述光阻放置在反应腔室中，向所述反应腔室中通入第一刻蚀气体，对所述半导体层进行第一次干法刻蚀；在所述反应腔室中通入氧气；将所述氧气和所述第一刻蚀气体抽走；向所述反应腔室中通入第二刻蚀气体，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种干刻蚀方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，在所述衬底上制备半导体层和光阻，对所述光阻进行曝光和显影；/n将所述衬底、所述半导体层和所述光阻放置在反应腔室中，向所述反应腔室中通入第一刻蚀气体，对所述半导体层进行第一次干法刻蚀；/n在所述反应腔室中通入氧气；/n将所述氧气和所述第一刻蚀气体抽走；/n向所述反应腔室中通入第二刻蚀气体，对所述半导体层进行第二次干法刻蚀，形成有源层。/n

【技术特征摘要】
1.一种干刻蚀方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底上制备半导体层和光阻，对所述光阻进行曝光和显影；
将所述衬底、所述半导体层和所述光阻放置在反应腔室中，向所述反应腔室中通入第一刻蚀气体，对所述半导体层进行第一次干法刻蚀；
在所述反应腔室中通入氧气；
将所述氧气和所述第一刻蚀气体抽走；
向所述反应腔室中通入第二刻蚀气体，对所述半导体层进行第二次干法刻蚀，形成有源层。


2.如权利要求1所述的干刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体与所述第二刻蚀气体相同。


3.如权利要求1所述的干刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体与所述第二刻蚀气体不同。


4.如权利要求1所述的干刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体为三氟化氮、氧气的混合气体。

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【专利技术属性】
技术研发人员：张涛，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44