外延硅晶片的制造方法、外延硅晶片及固体摄像元件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种能够获得具有高吸杂能力并且能够进一步抑制背面照射型固体摄像元件中的白色损伤缺陷的外延硅晶片的外延硅晶片的制造方法。本发明专利技术的特征在于，具有：第1工序，对硅晶片的表面(10A)照射使用伯纳型离子源或IHC型离子源所生成的C

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】外延硅晶片的制造方法、外延硅晶片及固体摄像元件的制造方法
本专利技术涉及一种外延硅晶片的制造方法、外延硅晶片及固体摄像元件的制造方法。
技术介绍
作为使半导体器件的特性劣化的主要因素，可列举金属污染。例如，在背面照射型固体摄像元件中，混入至作为该元件的基板的外延硅晶片中的金属成为使固体摄像元件的暗电流增加的主要因素，从而产生被称为白色损伤缺陷的缺陷。背面照射型固体摄像元件通过将布线层等配置于比传感器部更下层的位置，而使来自外部的光直接进入至传感器，从而即使在暗处等也能够拍摄到更鲜明的图像或动态图像，因此近年来广泛用于数码摄像机或智能手机等移动电话。因此，期望极力减少白色损伤缺陷。金属混入至硅晶片主要在外延硅晶片的制造工序及背面照射型固体摄像元件的制造工序中产生。关于前者的外延硅晶片的制造工序中的金属污染，认为有由源自外延生长炉的构成材料中的重金属颗粒所引起的金属污染；或者，由因使用氯系气体作为外延生长时的炉内气体，而其配管材料发生金属腐蚀所产生的重金属颗粒所引起的金属污染等。近年来，这些金属污染通过将外延生长炉的构成材料更换成耐本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种外延硅晶片的制造方法，其特征在于，具有：/n第1工序，对硅晶片的表面照射使用伯纳型离子源或IHC型离子源所生成的C

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171226 JP 2017-2498621.一种外延硅晶片的制造方法，其特征在于，具有：
第1工序，对硅晶片的表面照射使用伯纳型离子源或IHC型离子源所生成的CnHm的簇离子，在所述硅晶片内形成由作为所述簇离子的构成元素的碳及氢固溶而成的改性层，其中，n＝1或2，m＝1、2、3、4或5；以及
第2工序，在所述第1工序之后，在所述表面上形成硅外延层，
所述第1工序中，使所述改性层中的所述碳及所述氢在深度方向上的浓度分布的峰分别位于距离所述硅晶片的所述表面的深度超过150nm且为2000nm以内的范围。


2.根据权利要求1所述的外延硅晶片的制造方法，其中，
在所述第1工序中，以170μA以上的束电流值照射所述簇离子。


3.根据权利要求1或2所述的外延硅晶片的制造方法，其中，
在所述第1工序中，以所述硅晶片的倾斜角及扭转角均为0°的方式进行所述簇离子的照射。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的外延硅晶片的制造...

【专利技术属性】
技术研发人员：门野武，栗田一成，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP