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本发明提供一种能够获得具有高吸杂能力并且能够进一步抑制背面照射型固体摄像元件中的白色损伤缺陷的外延硅晶片的外延硅晶片的制造方法。本发明的特征在于，具有：第1工序，对硅晶片的表面(10A)照射使用伯纳型离子源或IHC型离子源所生成的C...
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