半导体装置的制造方法制造方法及图纸

半导体装置的制造方法是首先，在第一导电型的半导体基板(10)的一侧的主表面(10a)侧形成半导体元件的正面元件结构。接着，在半导体基板(10)的另一侧的主表面(10b)侧形成第一保护膜(17)。接着，从形成了第一保护膜(17)的另一侧的主表面(10b)侧向半导体基板(10)注入离子。接着，去除第一保护膜(17)。在形成第一保护膜(17)后，可以在半导体基板(10)的一侧的主表面(10a)侧形成第二保护膜(16)。

Manufacturing method of semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法
本专利技术涉及一种半导体装置的制造方法。
技术介绍
以往，开发有通过以高加速能量进行的离子注入而导入成为寿命控制体的杂质缺陷，从而实现了特性提高以及特性改善的功率元件。例如，公知在将IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor：绝缘栅双极型晶体管)以及与该IGBT反向并联连接的FWD(FreeWheelingDiode：续流二极管)内置于同一半导体芯片而一体化的结构的反向导通型IGBT(RC-IGBT)中，照射氦(He)而在n-型漂移区形成成为寿命控制体的缺陷。图8、图9是示出现有的RC-IGBT的结构的截面图。在图8所示的现有的RC-IGBT中，在n-型漂移区101与p型基区102之间的界面附近形成有基于氦照射而产生的缺陷115。该缺陷115不仅形成在FWD区122，也形成在IGBT区121。IGBT区121是配置有IGBT的区域。FWD区122是配置有FWD的区域。另外，如图9所示，提出了为了在IGBT区121中实现漏电流减少和/或损耗减少而仅在FWD区122形成了缺陷115的RC-I本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：/n第一工序，在第一导电型的半导体基板的一侧的主表面侧形成半导体元件的正面元件结构；/n第二工序，在所述半导体基板的另一侧的主表面侧形成第一保护膜；/n第三工序，从形成了所述第一保护膜的主表面侧向所述半导体基板注入离子；以及/n第四工序，去除所述第一保护膜。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180510 JP 2018-0917771.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
第一工序，在第一导电型的半导体基板的一侧的主表面侧形成半导体元件的正面元件结构；
第二工序，在所述半导体基板的另一侧的主表面侧形成第一保护膜；
第三工序，从形成了所述第一保护膜的主表面侧向所述半导体基板注入离子；以及
第四工序，去除所述第一保护膜。


2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述第一工序之后，且所述第三工序之前，包括在所述半导体基板的一侧的主表面侧形成第二保护膜的第五工序。


3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述第一保护膜与所述第二保护膜由同样的材料形成。


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【专利技术属性】
技术研发人员：儿玉奈绪子，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP