用于改善功率MOS器件多晶硅表面平整度的刻蚀方法技术

本申请半导体制造技术领域，具体涉及一种用于改善功率MOS器件多晶硅表面平整度的刻蚀方法。所述用于改善功率MOS器件多晶硅表面平整度的刻蚀方法，包括：将淀积有多晶硅层的器件置入刻蚀系统的反应腔中；提供六硫化氟气体和四氯化硅气体的混合作为刻蚀气体，所述刻蚀气体中的六硫化氟气体和四氯化硅气体的流量比为2.5：1至4：1；使得所述刻蚀气体在刻蚀系统的工作环境下，对淀积有多晶硅层的器件进行刻蚀，形成生成物；抽走所述生成物。所述用于改善功率MOS器件多晶硅表面平整度的刻蚀方法，可以解决多晶硅表面不平整，晶圆表面缺陷较多的问题。

【技术实现步骤摘要】
用于改善功率MOS器件多晶硅表面平整度的刻蚀方法
本申请半导体制造
，具体涉及一种用于改善功率MOS器件多晶硅表面平整度的刻蚀方法。
技术介绍
多晶硅刻蚀是半导体器件制造工艺中不可或缺的工艺步骤。相关技术中，多晶硅刻蚀方法采用氯气、溴酸气体、四氟甲烷气体和氧气的混合作为刻蚀气体对多晶硅进行刻蚀，为了控制栅氧层的厚度，在刻蚀多晶硅时需要较高的刻蚀选择比，通常要求多晶硅和氧化层之间的刻蚀选择比大于100比1。对于上述刻蚀气体，采用减少氯气和四氟甲烷气体，加大溴酸气体和氧气的手段，或采用加大压力的手段，能够提高刻蚀选择比，但是该方法会使得刻蚀产生更多挥发点高且粘性较大的多晶硅聚合物，该多晶硅聚合物附着在多晶硅表面从而造成多晶硅表面不平整的问题，粗糙度变差，器件缺陷严重。
技术实现思路
本申请提供了一种用于改善功率MOS器件多晶硅表面平整度的刻蚀方法，可以解决多晶硅表面不平整，晶圆表面缺陷较多的问题。本申请提供一种用于改善功率MOS器件多晶硅表面平整度的刻蚀方法，一种用于改善功率MOS器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于改善功率MOS器件多晶硅表面平整度的刻蚀方法，其特征在于，所述用于改善功率MOS器件多晶硅表面平整度的刻蚀方法，包括：/n将淀积有多晶硅层的器件置入刻蚀系统的反应腔中；/n提供六硫化氟气体和四氯化硅气体的混合作为刻蚀气体，所述刻蚀气体中的六硫化氟气体和四氯化硅气体的流量比为2.5∶1至4∶1；/n使得所述刻蚀气体在刻蚀系统的工作环境下，对淀积有多晶硅层的器件进行刻蚀，形成生成物；/n抽走所述生成物。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于改善功率MOS器件多晶硅表面平整度的刻蚀方法，其特征在于，所述用于改善功率MOS器件多晶硅表面平整度的刻蚀方法，包括：
将淀积有多晶硅层的器件置入刻蚀系统的反应腔中；
提供六硫化氟气体和四氯化硅气体的混合作为刻蚀气体，所述刻蚀气体中的六硫化氟气体和四氯化硅气体的流量比为2.5∶1至4∶1；
使得所述刻蚀气体在刻蚀系统的工作环境下，对淀积有多晶硅层的器件进行刻蚀，形成生成物；
抽走所述生成物。


2.如权利要求1所述的用于改善功率MOS器件多晶硅表面平整度的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体还包括氧气。


3.如权利要求1所述的用于改善功率MOS器件多晶硅表面平整度的刻蚀方法，其特征在于，所述生成物包括挥发点为-86℃的四氟化硅。


4.如权利要求1所述的用于改善功率MOS器件多晶硅表面平整度的刻蚀方法，其特征在于，在提供六硫化氟气体和四氯化硅气体的混合作为刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁佳，吴长明，冯大贵，欧少敏，杜闫，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32