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氧化锡膜在半导体器件制造中用作心轴。在一个实现方式中，该处理开始于提供一种衬底，该衬底具有存在于暴露的蚀刻停止层上的多个突起的氧化锡特征(心轴)。接下来，在心轴的水平表面和侧壁上都形成保形的间隔材料层。然后从水平表面去除间隔材料，从而暴露出...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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