一种基于纳米线阵列的气体传感器及其制备方法技术

技术编号:2585627 阅读:191 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种基于纳米线阵列来实现气体检测的气体传感器。本发明专利技术所述的气体传感器,包括绝缘基片、下电极层、传感导电体、上电极层,其特征是连接在下电极层和上电极层之间的传感导电体是由金属或金属氧化物构成的纳米线阵列,纳米线的直径为30到800纳米,长度为微米数量级,纳米线之间的间隙为25纳米到550纳米。其制备方法是:1.下电极层的制备;2.多孔的氧化铝模板的制备;3.纳米线阵列的制备;4.上电极层的制备;5.腐蚀去除多孔的氧化铝模板。本发明专利技术中采用新型的微纳米加工技术,利用纳米线阵列作为气体传感器材料,检测气体的灵敏度高,避免了分散纳米线或操纵纳米线的困难,便于工业化批量生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种气体传感器及其制备方法,特别是基于纳米线阵列来实现气体检测的气体传感器。
技术介绍
气体传感器是检测气体中的特定成分,用来对有毒、有害气体进行检测,对易燃、易爆气体进行安全报警,对要了解的气体进行检测、分析及研究等。目前工业化生产使用的气体传感器主要有两种类型。一种是基于半导体氧化物材料的气体传感器;另一种是基于电化学原理的气体传感器。Kong等报道了用单壁碳纳米管构成的化学气体传感器用于在室温条件下检测NO2和NH3等气体,Favier等人用水平排列的钯金属纳米线阵列连接在两个银电极线来构造氢气传感器和开关,王中林等用热蒸发制备的单根SnO2纳米带用于探测CO、NO2和乙醇气体,Kolmakov等人用单根氧化锡纳米线探测气体。半导体氧化物气体传感器主要采用氧化物半导体薄膜作为传感材料,它是通过薄膜表面吸附气体与半导体材料之间产生电子交换,使得半导体薄膜的电导性质发生改变,从而达到检测气体目的。由于纳米材料具有大的表面积,表面吸附的检测气体分子更多,因此用纳米材料制备的传感器将具有更高的灵敏度,目前已有了采用单根纳米线用于气体传感器的报道(Nanowire na本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体传感器,由绝缘基片[4]、下电极层[3]、传感导电体[2]、上电极层[1]组成,其特征在于上电极层[1]与下电极层[3]之间的传感导电体[2]是由金属或金属氧化物构成的纳米线阵列。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:赖发春黄志高蔡声镇陈水源吕晶张志城
申请(专利权)人:福建师范大学
类型:发明
国别省市:35[中国|福建]

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