【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器的数据读出方法、装置以及介质
本专利技术涉及存储器领域,尤其涉及一种非易失性存储器的数据读出方法、装置以及介质。
技术介绍
非易失性存储器是指在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的情况下,存储的数据不会丢失的存储器。在从存储器中读出数据时,存储器读出电路向存储器内的存储单元(Cell)加载电压或电流,根据存储单元输出的电流或电压的数值范围与参考值的数值比对,从而判断存储单元内的存储数据。存储单元输出的电流或电压的数值范围与参考值之间的数值差距越大,存储数据内容的判断越准确与快速。但是,同一个存储单元输出的电流或电压的数值范围是会变化的。在对非易失性存储器进行多次擦写(Cycling)后,存储单元输出的电流或电压的数值范围与参考值之间的数值差距可能会越来越小。在数值差距小于一定的数值,即小于标准判断裕量后,存储数据内容的判断容易出现误差,进而存储器读出的数据出现误差。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是存储器读出的数据出现误差。为解决上述技术问题,本专利技术实施例提供一种非易失性存储器的数据读出方法,包括:获取地址信息,对所述地址信息进行译码后确定对应的存储单元的地址;若所述存储单元的地址处于选定区域,对第一判断参考值进行调整后得到第二判断参考值;向所述存储单元加载读出电流,获取所述存储单元输出的判断电流;将所述存储单元输出的判断电流的数值范围与所述第二判断参考值的进行比对,读出所述存储单元内存储的数据内容。可选的,对所述非易失性存储器进行晶圆级可靠性
【技术保护点】
1.一种非易失性存储器的数据读出方法,其特征在于,包括:/n获取地址信息,对所述地址信息进行译码后确定对应的存储单元的地址;/n若所述存储单元的地址处于选定区域,对第一判断参考值进行调整后得到第二判断参考值;/n向所述存储单元加载读出电流,获取所述存储单元输出的判断电流;/n将所述存储单元输出的判断电流的数值范围与所述第二判断参考值的进行比对,读出所述存储单元内存储的数据内容。/n
【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器的数据读出方法,其特征在于,包括:
获取地址信息,对所述地址信息进行译码后确定对应的存储单元的地址;
若所述存储单元的地址处于选定区域,对第一判断参考值进行调整后得到第二判断参考值;
向所述存储单元加载读出电流,获取所述存储单元输出的判断电流;
将所述存储单元输出的判断电流的数值范围与所述第二判断参考值的进行比对,读出所述存储单元内存储的数据内容。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器的数据读出方法,其特征在于,在所述若所述存储单元的地址处于选定区域之前,还包括:
对所述非易失性存储器进行晶圆级可靠性测试;
将所有存储单元内存储的数据设为0,测试输出电流的最大值与所述第一判断参考值的数值差距,将数值差距小于标准判断裕量的各个存储单元的地址,作为第一选定区域;将所有存储单元内存储的数据设为1,测试输出电流的最小值与所述第一判断参考值的数值差距,将数值差距小于标准判断裕量的各个存储单元的地址,作为第二选定区域。
3.根据权利要求2所述的非易失性存储器的数据读出方法,其特征在于,所述若所述存储单元的地址处于选定区域,对第一判断参考值进行调整后得到第二判断参考值;包括:
若所述存储单元的地址处于第一选定区域,按照预设的调整标准增大所述第一判断参考值,得到所述第二判断参考值。
4.根据权利要求3所述的非易失性存储器的数据读出方法,其特征在于,所述第二判断参考值与所述第一选定区域内的各个地址对应的存储单元的输出电流的最大值的数值差距,均大于所述标准判断裕量。
5.根据权利要求3所述的非易失性存储器的数据读出方法,其特征在于,所述向所述存储单元加载读出电流,包括:
读出电路向所述存储单元加载第一读出电流。
6.根据权利要求2所述的非易失性存储器的数据读出方法,其特征在于,所述若所述存储单元的地址处于选定区域,对第一判断参考值进行调整后得到第二判断参考值;包括:
若所述存储单元的地址处于第二选定区域,按照预设的调整标准减小所述第一判断参考值,得到所述第二判断参考值。
7.根据权利要求6所述的非易失性存储器的数据读出方法,其特征在于,所述第二判断参考值与所述第二选定区域内的各个地址对应的存储单元的输出电流的最小值的数值差距,均大于所述标准判断裕量。
8.根据权利要求6所述的非易失性存储器的数据读出方法,其特征在于,所述向所述存储单元加载读出电流,包括:
读出电路向所述存储单元加载第二读出电流。
9.一种非易失性存储器的数据读出装置,其特征在于,包括:
译码单元,用于获取地址信息,对所述地址信息进行译码后确定对应的存...
【专利技术属性】
技术研发人员:王韬,郑晓,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,中芯国际集成电路制造北京有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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