【技术实现步骤摘要】
一种防止晶圆污染的光刻胶收集结构
本专利技术是一种防止晶圆污染的光刻胶收集结构,属于半导体芯片制造及晶圆加工领域。
技术介绍
光刻是生产晶体管和集成电路的一道重要工艺,是对半导体晶片表面的掩蔽物进行开孔,以便杂质定域扩散的一种加工技术,其主要在清洗烘干的硅片表面旋涂光刻胶,由于光刻胶的流动性及粘附性,硅片边缘涂抹的光刻胶常分布不均匀,容易发生剥离而影响其它部分的图形,因此需要去除硅片边缘多余的光刻胶,为了避免造成不必要的浪费,通常采用收集结构对去除的光刻胶回收再利用。现有技术防止晶圆污染的光刻胶收集结构,结构相对较为简单,通常以单一收集斗为主要收集元件,不便于对收集的光刻胶进行储存,且难以将储存的光刻胶快速取出备用,降低了光刻胶回收利用的效率。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术存在的不足,本专利技术目的是提供一种防止晶圆污染的光刻胶收集结构,以解决现有技术防止晶圆污染的光刻胶收集结构,结构相对较为简单,通常以单一收集斗为主要收集元件,不便于对收集的光刻胶进行储存,且难 ...
【技术保护点】
1.一种防止晶圆污染的光刻胶收集结构,包括收集斗(1)、支撑脚(2)、出料口(3)、控制按钮(4)和电源线(5),所述收集斗(1)底端四角固定有支撑脚(2),且收集斗(1)底面中部开设有出料口(3),所述出料口(3)左侧中部设置有控制按钮(4),且出料口(3)前端左侧安装有电源线(5);/n其特征在于:还包括开合机构(6),所述开合机构(6)设置于出料口(3)底部。/n
【技术特征摘要】
1.一种防止晶圆污染的光刻胶收集结构,包括收集斗(1)、支撑脚(2)、出料口(3)、控制按钮(4)和电源线(5),所述收集斗(1)底端四角固定有支撑脚(2),且收集斗(1)底面中部开设有出料口(3),所述出料口(3)左侧中部设置有控制按钮(4),且出料口(3)前端左侧安装有电源线(5);
其特征在于:还包括开合机构(6),所述开合机构(6)设置于出料口(3)底部。
2.根据权利要求1所述的一种防止晶圆污染的光刻胶收集结构,其特征在于:所述开合机构(6)包括滑道(61)、滑轮(62)、第一挡板(63)、第二挡板(64)、合页(65)和驱动元件(66),所述滑道(61)横向开设于出料口(3)底面前后两端,且滑道(61)与滑轮(62)表面滚动连接,所述第一挡板(63)设置于出料口(3)底部左侧,且第一挡板(63)前后两面左侧与滑轮(62)内侧相连接,所述第二挡板(64)设置于出料口(3)底部右侧,且第二挡板(64)左侧通过合页(65)与第一挡板(63)右侧相连接,所述驱动元件(66)设置于出料口(3)右侧。
3.根据权利要求2所述的一种防止晶圆污染的光刻胶收集结构,其特征在于:所述驱动元件(66)由连接板(661)、连接块(662)、支撑板(663)、支撑块(664)、连接轴(665)、固定座(666)、汽缸(667)、连接件(668)和连接条(669)组成,所述连接板(661)左侧与第二挡板(64)右侧前后两端固定连接,且连接板(661)顶面中部焊接有连接块(662),所述支撑板(663)固定于出料口(3)右侧底部前后两端,且支撑板(663)底面中部固定有支撑块(664),所述连接轴(665)前后两端贯穿连接块(662)顶部与支撑块(664)内侧中部相连...
【专利技术属性】
技术研发人员:许志雄,
申请(专利权)人:芯米厦门半导体设备有限公司,
类型:发明
国别省市:福建;35
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