【技术实现步骤摘要】
布线结构及其制造方法
本公开涉及一种布线结构和一种制造方法，且涉及一种包含通过中间层附接或接合在一起的至少两个导电结构的布线结构，以及一种制造所述布线结构的方法。
技术介绍
随着电子行业的快速发展以及半导体处理技术的进展，半导体芯片与增大数量的电子组件集成以实现改进的电性能和额外功能。因此，半导体芯片具备更多的输入/输出(input/output,I/O)连接。为了制造包含具有增大数量的I/O连接的半导体芯片的半导体封装，可用于承载半导体芯片的半导体衬底的电路层的尺寸可能对应地增加。因此，半导体衬底的厚度和翘曲可能相应地增加，并且半导体衬底的良率可能降低。
技术实现思路
在一些实施例中，一种布线结构(wiringstruture)包含：(a)导电结构，其包含至少一个介电层和与所述介电层接触的至少一个电路层；(b)表面结构，其邻近于所述导电结构的顶面；以及(c)至少一个穿导孔，其延伸穿过所述表面结构且延伸到所述导电结构的至少一部分中。在一些实施例中，一种布线结构包含：(a)低密度堆叠结构，其包含至少一个介电层和与所述介电层接触的至少一个低密度电路层；(b)高密度堆叠结构，其设置在所述低密度堆叠结构上，其中所述高密度堆叠结构包含至少一个介电层和与所述高密度堆叠结构的所述介电层接触的至少一个高密度电路层；(c)表面结构，其设置在所述高密度堆叠结构的顶面上；以及(d)至少一个上部穿导孔，其延伸穿过所述表面结构和所述高密度堆叠结构，且终止于所述低密度堆叠结构的所述低密度电路层上。在一些实施例
【技术保护点】
1.一种布线结构，其包括：/n导电结构，其包含至少一个介电层和与所述介电层接触的至少一个电路层；/n表面结构，其邻近于所述导电结构的顶面；以及/n至少一个穿导孔，其延伸穿过所述表面结构且延伸到所述导电结构的至少一部分中。/n
【技术特征摘要】
20190228 US 16/289,0721.一种布线结构，其包括：
导电结构，其包含至少一个介电层和与所述介电层接触的至少一个电路层；
表面结构，其邻近于所述导电结构的顶面；以及
至少一个穿导孔，其延伸穿过所述表面结构且延伸到所述导电结构的至少一部分中。
2.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述表面结构的材料包含金属。
3.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述表面结构包含第一部分和第二部分，所述第一部分邻近于所述穿导孔且设置在所述第二部分与所述穿导孔之间，且所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度。
4.根据权利要求3所述的布线结构，其中所述第一部分具有不同的厚度，且所述第二部分具有实质上一致的厚度。
5.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述表面结构包含第一部分和第二部分，所述第一部分邻近于所述穿导孔且设置在所述第二部分与所述穿导孔之间，且所述第一部分的表面粗糙度大于所述第二部分的表面粗糙度。
6.根据权利要求1所述的布线结构，其进一步包括至少一个表面迹线，其邻近于所述导电结构的所述顶面且电连接到所述表面结构。
7.根据权利要求6所述的布线结构，其中所述表面迹线与所述表面结构一体地形成。
8.根据权利要求1所述的布线结构，其进一步包括外部电路层，其中所述外部电路层包含设置在所述表面结构和所述穿导孔上的垫部分。
9.根据权利要求8所述的布线结构，其中所述垫部分与所述穿导孔一体地形成。
10.根据权利要求8所述的布线结构，其中所述垫部分和所述穿导孔是整体结构。
11.根据权利要求8所述的布线结构，其中所述外部电路层进一步包含电连接到所述垫部分的至少一个迹线部分。
12.根据权利要求11所述的布线结构，其中所述外部电路层的所述迹线部分邻近于所述导电结构的所述顶面。
13.根据权利要求11所述的布线结构，其进一步包括至少一个表面迹线，其邻近于所述导电结构的所述顶面且电连接到所述表面结构，其中所述外部电路层的所述迹线部分设置在所述表面迹线上。
14.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述穿导孔的宽度小于或等于20μm。
15.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述穿导孔包含多个区段，每一个所述区段包含顶部部分、中间部分和底部部分，所述中间部分的宽度大于所述顶部部分的宽度，且所述中间部分的宽度大于所述底部部分的宽度。
16.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述穿导孔包含多个区段，且从剖视图来看，每一个所述区段的侧壁为弯曲的。
17.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述穿导孔延伸穿过由所述导电结构的所述电路层界定的通孔，且所述介电层的一部分延伸到所述穿导孔的周围表面与所述电路层的所述通孔的内表面之间的空间中。
18.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述导电结构包含多个电路层，其包含所述电路层，所述穿导孔延伸穿过由所述导电结构的所述电路层界定的多个通孔，且所述电路层的所述通孔彼此偏移。
19.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述导电结构包含多个介电层、多个电路层和至少一个内部导孔，所述多个介电层包含所述介电层，所述多个电路层包含所述电路层，所述至少一个内部导孔设置在所述电路层中的两个邻近者之间以用于电连接所述电路层中的所述两个邻近者，所述内部导孔向上逐渐变窄，且所述穿导孔向下逐渐变窄。
20.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述导电结构包含多个介电层、多个电路层和至少一个内部导孔，所述多个介电层包含所述介电层，所述多个电路层包含所述电路层，所述至少一个内部导孔设置在所述电路层中的两个邻近者之间以用于电连接所述电路层中的所述两个邻近者，所述内部导孔的逐渐变窄方向不同于所述穿导孔的逐渐变窄方向。
21.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述导电结构为上部导电结构，所述介电层为上部介电层，所述电路层为上部电路层，且所述布线结构进一步包括：
下部导电结构，其包含至少一个下部介电层和与所述下部介电层接触的至少一个下部电路层；以及
中间层，其插置于所述上部导电结构与所述下部导电结构之间且将所述上部导电结构与所述下部导电结构接合在一起，其中所述穿导孔延伸穿过所述上部导电结构和所述中间层，且电连接到所述下部导电结构的所述下部电路层。
22.根据权利要求21所述的布线结构，其中所述上部导电结构包含多个堆叠的上部介电层，其包含所述上部介电层，每一个所述上部介电层界定具有内表面的通孔，所述中间层界定具有内表面的通孔，且所述中间层的所述通孔的所述内表面与所述上部介电层的所述通孔的所述内表面彼此共平面。
23.根据权利要求21所述的布线结构，其中所述上部导电结构包含多个堆叠的上部介电层，其包含所述上部介电层，每一个所述上部介电层界定通孔，所述中间层界定通孔，且所述中间层的所述通孔和所述上部介电层的所述通孔共同经配置以界定用于容纳所述穿导孔的单个通孔。
24.根据权利要求21所述的布线结构，其中所述上部介电层界定通孔，其包含具有第一尺寸的底部部分，所述中间层界定通孔，其包含具有实质上等于所述第一尺寸的第二尺寸的顶部部分，且所述穿导孔延伸穿过由所述上部介电层界定的所述通孔和由所述中间层界定的所述通孔。
25.根据权利要求21所述的布线结构，其中所述上部导电结构的所述上部介电层的材料和所述中间层的材料是透明的。
26.根据权利要求21所述的布线结构，其中所述穿导孔延伸以接触所述下部导电结构的一部分。
27.根据权利要求21所述的布线结构，其中所述下部电路层为所述下部导电结构的最顶部电路层，且所述穿导孔接触所述下部导电结构的所述最顶部电路层。
28.根据权利要求21所述的布线结构，其中所述上部导电结构具有顶面和底面，所述中间层具有顶面和底面，所述上部导电结构的所述底面附接到所述中间层的所述顶面，所述穿导孔从所述上部导电结构的所述顶面延伸到所述中间层的所述底面，且所述穿导孔的周围表面为连续表面。
29.根据权利要求21所述的布线结构，其中所述中间层具有顶面和底面，且所述中间层的整个所述顶面和整个所述底面是实质...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄文宏，钟燕雯，卓晖雄，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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