树脂封装型半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及的树脂封装型半导体装置1，包括：半导体芯片10；引线20A、30A，具有包含经由焊锡70、74与电极12、66相接合的焊锡接合电极连接片22、32的多个电极连接片22、24、32、34，并且与半导体芯片10电连接；以及树脂50，用于封装半导体芯片10以及引线20A、30A，其中，在引线20A、30A的焊锡接合电极连接片22、32与电极连接片24、34之间，形成有沟槽24、34。本发明专利技术的树脂封装型半导体装置1能够抑制电极附近产生的应力(特别是热应力)集中于焊锡70、74和其周围，从而能够抑制焊锡70、74产生裂痕导致破坏焊锡接合，因此，是一种能够抑制可靠性降低的树脂封装型半导体装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】树脂封装型半导体装置
本专利技术涉及一种树脂封装型半导体装置。
技术介绍
以往，已知一种树脂封装型半导体装置，其包括：半导体芯片；用于与半导体芯片电连接的引线；以及用于封装半导体芯片和引线的树脂(例如，参照专利文献1)。树脂封装型半导体装置901如图5所示，包括：半导体芯片910A、910B；具有经由焊锡970分别与半导体芯片910A、910B电连接的电极连接片922A、922B的引线920；树脂(图5中未图示)；以及兼做散热构件的基板960。在以往的树脂封装型半导体装置901中，由于电极连接片922A、922B与半导体芯片910A、910B的电极之间仅经由焊锡970(即不经由导线等中间构件)直接连接。因此树脂封装型半导体装置901是一种适合用于电流容量较大且使用大电流的电子设备(例如电源)的树脂封装型半导体装置。在后述中，将经由焊锡与电极接合的电极连接片称为“焊锡接合电极连接片”。先行技术文献【专利文献1】特开2006-202885号公报然而，在上述以往的树脂封装型半导体装置901中，由于在运作中半导体芯片所产生出的热量会通过该半导体芯片的电极传播至焊锡接合电极连接片，从而导致因该热量产生的热应力集中于焊锡周围，这样一来，焊锡就可能产生裂痕从而破坏焊锡接合。因此，在上述以往的树脂封装型半导体装置901中，存在可靠性变低的问题。另外，由于上述半导体芯片所产生出的热量还会通过与半导体芯片接合的基板传播至半导体芯片以外的构成要素的电极(例如基板的电极)，因此也可能造成热量传播到的部位也同样产生上述问题。再有，当电极附近被施加了除热应力以外的应力(例如因压迫引起的外力)时，也同样会产生出上述问题。因此，鉴于上述课题，本专利技术的目的是提供一种树脂封装型半导体装置，其能够抑制因电极连接片与电极经由焊锡直接连接而导致的可靠性下降。
技术实现思路
【1】本专利技术涉及的树脂封装型半导体装置，其特征在于，包括：半导体芯片；引线，具有包含经由焊锡与电极相接合的焊锡接合电极连接片的多个电极连接片，并且与所述半导体芯片电连接；以及树脂，用于封装所述半导体芯片以及所述引线，其中，在所述引线的所述多个电极连接片中的一个电极连接片与不同于所述一个电极连接片的另一个电极连接片之间，形成有沟槽以及切口中的至少一方，所述一个电极连接片与所述另一个电极连接片中的至少一方为所述焊锡接合电极连接片。【2】在本专利技术涉及的树脂封装型半导体装置中，所述焊锡接合电极连接片经由焊锡与所述半导体芯片的电极相接合。【3】在本专利技术涉及的树脂封装型半导体装置中，所述沟槽被形成在所述引线的呈三维弯曲的部位上。【4】在本专利技术涉及的树脂封装型半导体装置中，在以平面观看时，所述一个电极连接片与所述另一个电极连接片直线连接，所述沟槽的长度方向与从所述一个电极连接片向所述另一个电极连接片的方向相垂直。【5】在本专利技术涉及的树脂封装型半导体装置中，所述引线上具有被形成多个沟槽相互平行的应力吸收区域。【6】在本专利技术涉及的树脂封装型半导体装置中，在所述应力吸收区域处，所述沟槽形成在所述应力吸收区域的一个面以及位于所述一个面相反侧的另一个面上，位于所述一个面一侧的所述沟槽与位于所述另一个面一侧的所述沟槽被交互着形成。专利技术效果根据本专利技术涉及的树脂封装型半导体装置，由于在一个电极连接片与另一个电极连接片之间，形成有沟槽以及切口中的至少一方，因此在形成有沟槽以及切口的部位处的引线强度就会相对变低，从而使该部位处的引线容易发生变形。这样一来，即便是在产生应力(特别是热应力)的情况下，通过引线部分变形，就能够吸收(缓和)该应力。其结果就是，本专利技术涉及的树脂封装型半导体装置能够抑制电极附近产生的应力(特别是热应力)集中于焊锡和其周围，从而能够抑制焊锡产生裂痕导致破坏焊锡接合。因此，本专利技术涉及的树脂封装型半导体装置是一种能够抑制可靠性降低的树脂封装型半导体装置。附图说明图1是展示实施方式一涉及的树脂封装型半导体装置1的图。其中，图1(a)以及图1(b)是树脂封装型半导体装置1的平面图，图1(c)是图1(a)的A-A截面图，图1(d)是图1(c)中符号B所示范围的放大图。在图1(b)中，为了方便说明(展示内部构造)，未图示整个树脂50，仅用虚线图示出其外框，这一点后述的图2以及图3也同样如此。图1(d)中的点划线是为了方便理解沟槽26是被交互着形成而标示出的辅助线。该点划线沿着形成有沟槽26的引线20A部位的厚度方向穿过沟槽26的中央。图2是展示实施方式二涉及的树脂封装型半导体装置2的平面图。图3是展示实施方式三涉及的树脂封装型半导体装置3的平面图。图4是展示实施方式四涉及的树脂封装型半导体装置4的图。其中，图4(a)是树脂封装型半导体装置4的斜视图，图4(b)是树脂封装型半导体装置4的平面图，图4(c)是图4(b)的C-C截面图。在图4(b)中，为了简便地说明树脂封装型半导体装置4，未图示有树脂150。图5是展示以往的树脂封装型半导体装置901的斜视图。具体实施方式以下，将基于附图中所示的各实施方式，对本专利技术的树脂封装型半导体装置进行说明。另外，各附图均为示意图，并不一定反映实际的尺寸，结构，构造等。以下描述的实施例不限制根据权利要求的本专利技术，且并非每个实施例中描述的所有要素及其组合对于本专利技术的解决手段都是必不可少的。在各实施例中，具有相同基本配置，特性，功能等的构成要素(包括形状不完全相同的构成要素等)在各个实施例中用相同的符号来表示，并且省略了其描述。【实施方式一】如图1所示，实施方式一涉及的树脂封装型半导体器件1包括：半导体芯片10；引线20A、30A、31；导线31W；树脂50；以及基板60。在树脂封装型半导体装置1中，使用焊锡将后述的电极连接片与电极以及电极与电极进行接合。如图1(b)以及图1(c)所示，半导体芯片10具有电极12、14、16。半导体芯片10为IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，电极12为发射极，电极14为栅电极，电极16为集电极。电极12(发射极)经由焊锡70与引线20A的焊锡接合电极连接片22接合，并且经由焊锡70和引线20A与外部连接。电极16(集电极)通过焊锡72与基板60的电路64接合，并通过焊锡74、电路64以及引线30A与外部连接。引线20A、30A、31为平板状的金属构件。引线20A、30A、31例如是从引线框上切割后形成的。引线20A、30A、31具有比导线31W更大的截面积，因此可以流通大电流。引线20A、30A、31上具有呈三维弯曲的部分。引线20A具有多个电极连接片，多个电极连接片包括：经由焊锡70接合至半导体芯片10的电极12的焊锡接合电极连接片22、以及露出于树脂50的外部的电极连接片24。因此，可以说多个电极连接片包含经由焊锡70接合到电极12的焊锡接合电极连接件22。引本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种树脂封装型半导体装置，其特征在于，包括：/n半导体芯片；/n引线，具有包含经由焊锡与电极相接合的焊锡接合电极连接片的多个电极连接片，并且与所述半导体芯片电连接；以及/n树脂，用于封装所述半导体芯片以及所述引线，/n其中，在所述引线的所述多个电极连接片中的一个电极连接片与不同于所述一个电极连接片的另一个电极连接片之间，形成有沟槽以及切口中的至少一方，/n所述一个电极连接片与所述另一个电极连接片中的至少一方为所述焊锡接合电极连接片。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种树脂封装型半导体装置，其特征在于，包括：
半导体芯片；
引线，具有包含经由焊锡与电极相接合的焊锡接合电极连接片的多个电极连接片，并且与所述半导体芯片电连接；以及
树脂，用于封装所述半导体芯片以及所述引线，
其中，在所述引线的所述多个电极连接片中的一个电极连接片与不同于所述一个电极连接片的另一个电极连接片之间，形成有沟槽以及切口中的至少一方，
所述一个电极连接片与所述另一个电极连接片中的至少一方为所述焊锡接合电极连接片。


2.根据权利要求1所述的树脂封装型半导体装置，其特征在于：
其中，所述焊锡接合电极连接片经由焊锡与所述半导体芯片的电极相接合。


3.根据权利要求1或2所述的树脂封装型半导体装置，其特征在于：
其中，所述沟槽被形成在...

【专利技术属性】
技术研发人员：中川政雄，桑野亮司，篠竹洋平，
申请(专利权)人：新电元工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP