掩模板及其制造方法技术

本发明专利技术的一个方面包括了一种制造掩模板的方法：提供一基板；在所述基板上形成一掩模层；在所述基板上形成至少一个材料层从而使得一写波长（ｗｒｉｔｉｎｇ　　ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）对于对该写波长感光的薄膜的反射率低于４％。本发明专利技术的其他方面在详细说明，附图以及权利要求中得以反映。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基板的制造方法，更确切地，涉及使用所述基板的掩模板(mask blank)或分划板(reticle blank)的制造方法。本专利技术还涉及掩模基板和分划基板的制造方法。
技术介绍
本专利技术所解决的问题涉及制造足够精确以及高分辨掩模的困难性。更确切地，涉及化学放大抗蚀剂的使用。这种化学放大抗蚀剂(CAR)用于使用DUV辐射(处于248nm的MiCronic SIGMA 7100以及处于257nm的ETEC ALTA 4000)和使用电子束(数个供应源)的掩模制造。该抗蚀剂还用于364nm处的激光图案发生器(已被DNP研究出版)。该化学放大抗蚀剂的使用出于几点原因在短波长处的高感光度，高对比度和高透明度。涉及CAR的一般问题是它对多种延迟时间的感光度从后应用烘焙(PAB)到曝光的；在曝光期间的如果曝光被延长的话，正如在掩模图案发生器中那样；以及在曝光与后曝光烘焙(PEB)之间的。在PAB之前以及在PEB之后，它通常被认为是稳定的。对在这些延迟时间中的变化以及这些延迟时间的延长的感光度，造成在边缘轮廓和CD测量中的改变，该感光度部分地是由于在抗蚀剂中的内在和自发的反应，部分地由于来自周围环境的污染，部分地由于与用在掩模板中的其他材料的反应，特别是铬自身。图1表示了根据现有技术的掩模板。它具有基板101，通常是石英，但在反射EUV掩模中，可以是任何稳定的材料，例如硅或超低膨胀(ULE)玻璃或陶瓷。铬102被覆以部分抗反射层103，该部分抗反射层典型地为氧化铬或氮化铬。铬被溅射到石英衬底上并且AR涂层被溅射到其上，形成了典型为70-100nm厚的结合膜。抗蚀剂104被涂覆到AR层103上方。来自周围环境的污染物可以是以ppb浓度的胺、氨或其他含氮化合物的形式。工艺过程还受到大气中的氧或水的影响，但是影响的程度更小，并且对不同类型的抗蚀剂化学物质也不同。当移向更小的尺寸时，需要使用更薄的抗蚀剂以避免用于具有高孔径比的小特征尺寸时的聚焦深度(depth-of-focus)缺失以及抗蚀剂图像毁坏。这已在相同专利技术人的另一专利申请、US 09/664288中提及，并在此引入作为参考。该项申请公开了一种制造掩模的多层图案转移法以及具有极小特征尺寸的类似产品。这适用于使用157nm光和使用EUV的分划写入(reticlewritten)。在不远的将来，具有高稳定性和优良线宽控制的单层化学放大工艺是值得期待的。在下文中将描述这种工艺。已发现，当化学放大抗蚀剂用于图2的掩模基板上时，不能给出完美的结果。铬的反射率造成了驻波，如在图2中由在抗蚀剂剖面中的多个空腔201所表示的，并且氧化铬表面的化学活性造成了在抗蚀剂剖面中的底部(foot)202。特别是，由于需要清洁的垂直侧壁以用于良好的尺寸控制，因而该底部是棘手的。
技术实现思路
因此，本专利技术的一个目的是提供一种制备掩模板的方法以及制造如下掩模板的方法，该掩模板克服或至少减少了上述问题。在其他目的之中的这一目的，是根据本专利技术的第一方面，即通过制造掩模板的方法所实现的，该方法包括提供一基板；在所述基板上形成一掩模层；在所述基板上形成至少一个材料层从而使得一写波长(writingwavelength)对于对该写波长感光的薄膜的反射率低于4％。在根据本专利技术的另一实施例中，所述反射率低于2％。在根据本专利技术的另一实施例中，所述反射率低于1％。在根据本专利技术的另一实施例中，所述反射率低于0.5％。在根据本专利技术的另一实施例中，一硅化合物面对对所述写波长感光的所述薄膜。在根据本专利技术的另一实施例中，一二氧化硅层面对对所述写波长感光的所述薄膜。在根据本专利技术的另一实施例中，所述掩模材料包括硅。在根据本专利技术的另一实施例中，对所述写波长感光的所述薄膜的厚度小于300nm。在根据本专利技术的另一实施例中，对所述写波长感光的所述薄膜的厚度小于200nm。在根据本专利技术的另一实施例中，所述至少一个材料层包括氧氮化物。在另一实施例中，所述专利技术还包括使用一写波长曝光对所述写波长感光的所述薄膜的至少一部分以及在包含氯或氟的气体混合物中蚀刻所述曝光的掩模板的操作。在根据本专利技术的另一实施例中，对所述写波长感光的所述薄膜具有低活化能。在根据本专利技术的另一实施例中，对所述写波长感光的所述薄膜是化学放大抗蚀剂(CAR)。在另一实施例中所述专利技术还包括使用一写波长曝光对所述写波长感光的所述薄膜的至少一部分以及通过暴露于碱(base)来停止在对所述写波长感光的所述薄膜中的反应的操作。在另一实施例中所述专利技术还包括通过具有低湿度的周围气体来减缓由曝光引起的反应的操作。在另一实施例中所述专利技术还包括形成粘性促进剂薄膜的操作。本专利技术还涉及制造掩模板的方法，包括以下操作提供一基板；在所述基板上形成一掩模层以及在所述基板上形成至少一个材料层从而使得面对对一写波长感光的薄膜的表面是化学惰性的。在根据本专利技术的另一实施例中，所述写波长对于对该写波长感光的所述薄膜的反射率低于4％。在根据本专利技术的另一实施例中，所述反射率低于2％。在根据本专利技术的另一实施例中，所述反射率低于1％。在根据本专利技术的另一实施例中，所述反射率低于0.5％。在根据本专利技术的另一实施例中，一硅化合物面对对所述写波长感光的所述薄膜。在根据本专利技术的另一实施例中，一二氧化硅层面对对所述写波长感光的所述薄膜。在根据本专利技术的另一实施例中，所述掩模材料包括硅。在根据本专利技术的另一实施例中，对所述写波长感光的所述薄膜的厚度小于300nm。在根据本专利技术的另一实施例中，对所述写波长感光的所述薄膜的厚度小于200nm。在根据本专利技术的另一实施例中，至少一个材料层包括氧氮化物。在另一实施例中，所述专利技术还包括使用一写波长曝光对所述写波长感光的所述薄膜的至少一部分以及在包含氯或氟的气体混合物中蚀刻所述曝光的掩模板的操作。在根据本专利技术的另一实施例中，对所述写波长感光的所述薄膜具有低活化能。在根据本专利技术的另一实施例中，对所述写波长感光的所述薄膜是化学放大抗蚀剂(CAR)。在另一实施例中所述专利技术还包括使用一写波长曝光对所述写波长感光的所述薄膜的至少一部分以及通过暴露于碱(base)来停止在对所述写波长感光的所述薄膜中的反应的操作。在另一实施例中所述专利技术还包括通过具有低湿度的周围气体来减缓由曝光引起的反应的操作。本专利技术还涉及一种掩模板，包括一基板；在所述基板上的一掩模层；以及在所述基板上的至少一个材料层从而使得一写波长对于对该写波长感光的薄膜的反射率低于4％。在根据本专利技术的另一实施例中，所述反射率低于2％。在根据本专利技术的另一实施例中，所述反射率低于1％。在根据本专利技术的另一实施例中，所述反射率低于0.5％。在根据本专利技术的另一实施例中，一硅化合物面对对所述写波长感光的所述薄膜。在根据本专利技术的另一实施例中，一二氧化硅层面对对所述写波长感光的所述薄膜。在根据本专利技术的另一实施例中，所述掩模材料包括硅。在根据本专利技术的另一实施例中，对所述写波长感光的所述薄膜的厚度小于300nm。在根据本专利技术的另一实施例中，对所述写波长感光的所述薄膜的厚度小于200nm。在根据本专利技术的另一实施例中，所述至少一个材料层包括氧氮化物。在根据本专利技术的另一实施例中，对所述写波长感光的所述薄膜具有低活化能。在根据本专利技术的另一实施例中，对所述写波长感光的所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造掩模板的方法，包括：提供一基板；在所述基板上形成一掩模层；在所述基板上形成至少一个材料层从而使得一写波长对于对该写波长感光的薄膜的反射率低于４％。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：托布乔恩桑兹特罗姆，
申请(专利权)人：麦克罗尼克激光系统公司，
类型：发明
国别省市：SE[瑞典]