一种金属掩膜版的清洗装置、清洗方法制造方法及图纸

技术编号:25262435 阅读:44 留言:0更新日期:2020-08-14 22:58
本发明专利技术公开了一种金属掩膜版的清洗装置、清洗方法,涉及掩膜版清洗技术领域,包括等离子发生装置,所述金属掩膜版位于等离子发生装置内,等离子发生装置所产生的等离子体撞击金属掩膜版,使金属掩膜版表面的残留材料脱落,完成清洗,本发明专利技术清洗装置采用氩气作为媒介,利用等离子发生装置产生的等离子体对金属掩膜版,进行清洗,可以有效避免有机溶剂和高温汽化等清洗方法带来的金属掩膜版损坏、浪费资源、人身健康损害和环境污染等问题,而且,真空等离子体清洗还可避免外部污染的引入,回收的OLED材料可以重复利用,极大地节约了源成本,清洗效果好,清洗效率高,符合绿色生产的理念,有利于大规模量产。

【技术实现步骤摘要】
一种金属掩膜版的清洗装置、清洗方法
本专利技术涉及掩膜版清洗
,具体涉及一种金属掩膜版的清洗装置、清洗方法。
技术介绍
近年来,有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点,在中小尺寸显示领域更有取代液晶显示器(LiquidCrystalDisplay,LCD)的趋势,现阶段中小尺寸的OLED面板大多依赖蒸镀制程,其中在蒸镀制程中用于图形定义的治具为金属掩模版,可分为精密金属掩膜板(FineMetalMask,FMM)和通用金属掩模版(CommonMetalMask,CMM)。FMM用于RGB像素定义,主要用于R、G、B发光层和掺杂材料蒸镀,CMM主要作为共通层图形定义装置。常规的FMM清洗方法一般有两种:一种方式是通过对FMM进行整体加热,热量将FMM上残留的有机材料蒸发掉;另一种方式是利用有机溶剂清洗,对不同的有机材料选用不同的有机溶剂,以保证获得最大的溶解度,然后通过浸泡去除残留在FMM上的有机材料。但是在上述两种方法中,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属掩膜版的清洗装置,其特征在于,包括等离子发生装置,所述金属掩膜版(3)位于等离子发生装置内,等离子发生装置所产生的等离子体撞击金属掩膜版(3),使金属掩膜版(3)表面的残留材料脱落,完成清洗。/n

【技术特征摘要】
1.一种金属掩膜版的清洗装置,其特征在于,包括等离子发生装置,所述金属掩膜版(3)位于等离子发生装置内,等离子发生装置所产生的等离子体撞击金属掩膜版(3),使金属掩膜版(3)表面的残留材料脱落,完成清洗。


2.如权利要求1所述的金属掩膜版的清洗装置,其特征在于,所述等离子发生装置由正电极板(4)、负电极板(10)和电源(2)组成,所述电源(2)的正负极分别与正电极板(4)、负电极板(10)电性连接。


3.如权利要求1所述的金属掩膜版的清洗装置,其特征在于,所述等离子发生装置设置于清洗腔室内,所述清洗腔室由底座(1)、内腔体(9)和外壳(8)组成,所述清洗腔室的左右两侧分别设有氩气进口和排污口。


4.如权利要求2所述的金属掩膜版的清洗装置,其特征在于,所述正电极板(4)设置在清洗腔室的内部下方,所述负电极板(10)设置在清洗腔室的内部上方。


5.如权利要求3所述的金属掩膜版的清洗装置,其特征在于,所述底座(1)、内腔体(9)由厚度≥1cm的304不锈钢板材一体焊接而成。


6.如权利要求3所述的金属...

【专利技术属性】
技术研发人员:钱超吴建
申请(专利权)人:常州高光半导体材料有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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