【技术实现步骤摘要】
缩减掩模单元片材部的变形量的方法、框架一体型掩模及其制造方法
本专利技术涉及缩减掩模单元片材部的变形量的方法、框架一体型掩模及其制造方法。更具体地，涉及一种通过缩减基于施加于掩模的拉伸力的掩模单元片材部的变形量可在各掩模间准确地进行对齐(align)的缩减掩模单元片材部的变形量的方法、框架一体型掩模及其制造方法。
技术介绍
作为OLED(有机发光二极管)制造工艺中形成像素的技术，主要使用精细金属掩模(FineMetalMask，FMM)方法，该方法将薄膜形式的金属掩模(ShadowMask，阴影掩模)紧贴于基板并且在所需位置上沉积有机物。在现有的OLED制造工艺中，将掩模制造成条状、板状等后，将掩模焊接固定到OLED像素沉积框架并使用。一个掩模上可以具备与一个显示器对应的多个单元。另外，为了制造大面积OLED，可将多个掩模固定于OLED像素沉积框架，在固定于框架的过程中，拉伸各个掩模，以使其变得平坦。调节拉伸力以使掩模的整体部分变得平坦是非常困难的作业。特别是，为了使各个单元全部变得平坦，同时对齐尺寸仅为数μ...
【技术保护点】
1.一种缩减掩模单元片材部的变形量的方法，该方法在制造框架一体型掩模时用于缩减框架的掩模单元片材部的变形量，所述框架一体型掩模包括：多个掩模，其形成有多个掩模图案，以及框架，其具有多个掩模单元区域且边缘框架部上连接有掩模单元片材部，其特征在于，/n将掩模单元片材部连接至边缘框架部时施加在掩模单元片材部的拉伸力大于将掩模附着在掩模单元区域时施加在掩模的拉伸力。/n
【技术特征摘要】
20190207 KR 10-2019-0014481;20200203 KR 10-2020-001.一种缩减掩模单元片材部的变形量的方法，该方法在制造框架一体型掩模时用于缩减框架的掩模单元片材部的变形量，所述框架一体型掩模包括：多个掩模，其形成有多个掩模图案，以及框架，其具有多个掩模单元区域且边缘框架部上连接有掩模单元片材部，其特征在于，
将掩模单元片材部连接至边缘框架部时施加在掩模单元片材部的拉伸力大于将掩模附着在掩模单元区域时施加在掩模的拉伸力。
2.一种缩减掩模单元片材部的变形量的方法，该方法在制造框架一体型掩模时用于缩减框架的掩模单元片材部的变形量，所述框架一体型掩模包括：多个掩模，其形成有多个掩模图案，以及框架，其具有多个掩模单元区域且边缘框架部上连接有掩模单元片材部，其特征在于，
通过增加掩模单元片材部的厚度、图案宽度中至少一个，缩减掩模附着在掩模单元区域时掩模基于掩模单元区域施加的拉伸力的变形量。
3.如权利要求1所述的缩减掩模单元片材部的变形量的方法，其特征在于，
掩模附着在掩模单元区域时施加在掩模的拉伸力为0.1N至5N，掩模单元片材部连接到边缘框架部上时施加于掩模单元片材部的拉伸力在大于施加到掩模的拉伸力的范围内不超过98N。
4.如权利要求2所述的缩减掩模单元片材部的变形量的方法，其特征在于，
掩模单元片材部的厚度为0.1mm至1mm，掩模单元片材部的图案宽度为1mm至10mm。
5.一种框架一体型掩模，所述框架一体型掩模由多个掩模与用于支撑掩模的框架一体形成，其特征在于，
所述框架一体型掩模...
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