OLED像素形成用掩模、掩模支撑模板及框架一体型掩模制造技术

本发明专利技术涉及OLED像素形成用掩模、掩模支撑模板及框架一体型掩模。根据本发明专利技术的掩模为形成有多个掩模图案且用于形成OLED像素的掩模，掩模图案包括上部的第一掩模图案与下部的第二掩模图案，第一掩模图案的厚度大于第二掩模图案的厚度，第一掩模图案的两侧面具有凹状的曲率，第一掩模图案的上部宽度大于第二掩模图案的下部宽度，第一掩模图案的下部宽度小于第二掩模图案的下部宽度。二掩模图案的下部宽度。二掩模图案的下部宽度。

【技术实现步骤摘要】
OLED像素形成用掩模、掩模支撑模板及框架一体型掩模


[0001]本专利技术涉及OLED像素形成用掩模、掩模支撑模板及框架一体型掩模。更具体地，涉及一种能够准确地控制掩模图案的尺寸与位置的OLED像素形成用掩模、掩模支撑模板及框架一体型掩模。

技术介绍

[0002]作为OLED(有机发光二极管)制造工艺中形成像素的技术，主要使用FMM(Fine Metal Mask，精细金属掩模)方法，该方法将薄膜形式的金属掩模(Shadow Mask，阴影掩模)紧贴于基板并且在所需位置上沉积有机物。
[0003]现有的掩模制造方法准备用作掩模的金属薄板，在金属薄板上进行PR涂布之后进行图案化或进行PR涂布使具有图案之后通过蚀刻制造具有图案的掩模。然而，为了防止阴影效果(Shadow Effect)，难以使掩模图案倾斜地形成锥形(Taper)，而且需要执行额外的工艺，因此导致工艺时间、费用增加，生产性下降。
[0004]在超高画质的OLED中，现有的QHD画质为500
‑
600PPI(pixel per inch，每英寸像素)，像素的尺寸达到约30
‑
50μm，而4KUHD、8KUHD高画质具有比之更高的
‑
860PPI，
‑
1600PPI等的分辨率。因此，急需开发能够精准地调节掩模图案的尺寸的技术。
[0005]另外，在现有的OLED制造工艺中，将掩模制造成条状、板状等之后，将掩模焊接固定到OLED像素沉积框架并使用。为了制造大面积OLED，可将多个掩模固定于OLED像素沉积框架，在固定于框架的过程中，拉伸各个掩模，以使其变得平坦。在将多个掩模固定于一个框架过程中，仍然存在掩模之间及掩模单元之间对准不好的问题。此外，在将掩模焊接固定于框架的过程中，掩模膜的厚度过薄且面积大，因此存在掩模因荷重而下垂或者扭曲的问题。
[0006]如此，考虑到超高画质的OLED的像素尺寸，需要将各单元之间的对准误差缩减为数μm左右，超出这一误差将导致产品的不良，所以收率可能极低。因此，需要开发能够防止掩模的下垂或者扭曲等变形并使对准精确的技术以及将掩模固定于框架的技术等。

技术实现思路

[0007]技术问题
[0008]因此，本专利技术是为了解决如上所述的现有技术中存在的诸多问题而提出的，目的在于提供一种能够准确地控制掩模图案尺寸的OLED像素形成用掩模、掩模支撑模板及框架一体型掩模。
[0009]技术方案
[0010]本专利技术的目的通过形成有多个掩模图案的OLED像素形成用掩模来实现，掩模图案包括上部的第一掩模图案与下部的第二掩模图案，第一掩模图案的厚度大于第二掩模图案的厚度，第一掩模图案的两侧面具有凹状曲率，第一掩模图案的上部宽度大于第二掩模图案的下部宽度，第一掩模图案的下部宽度小于第二掩模图案的下部宽度。
[0011]第二掩模图案的两侧面可形成有具有凸状曲率。
[0012]第一掩模图案与第二掩模图案形状的和整体上可呈现锥形或者倒锥形。
[0013]连接第一掩模图案的上端角部至第一掩模图案的下端角部的虚直线与掩模的下部面形成的角度可小于60
°
且大于0。
[0014]第一掩模图案的下部宽度可大于15.4μm小于35μm。
[0015]掩模的厚度可以是5μm至20μm。
[0016]此外，本专利技术的上述目的可通过用于支撑OLED像素形成用掩模的模板来实现，其包括：模板；临时粘合部，其形成在模板上；以及掩模，其通过夹设临时粘合部粘合在模板上且形成有多个掩模图案，掩模图案包括上部的第一掩模图案与下部的第二掩模图案，第一掩模图案的厚度大于第二掩模图案的厚度，第一掩模图案的两侧面具有凹状曲率，第一掩模图案的上部宽度大于第二掩模图案的下部宽度，第一掩模图案的下部宽度小于第二掩模图案的下部宽度。
[0017]临时粘合部上还形成有隔板绝缘部，掩模可通过夹设临时粘合部和隔板绝缘部粘合在模板的上部面。
[0018]第二掩模图案的两侧面可形成有具有凸状曲率。
[0019]第一掩模图案和第二掩模图案利用湿蚀刻形成，对第二掩模图案进行湿蚀刻时，蚀刻液在隔板绝缘部的露出部分沿着侧面方向进行蚀刻，可使第二掩模图案的下部宽度大于上部宽度。
[0020]此外，本专利技术的上述目的可通过由多个掩模及用于支撑掩模的框架一体形成的框架一体型掩模来实现，框架包括具有中空区域的边缘框架部；具有多个掩模单元区域且连接于边缘框架部的掩模单元片材部，形成有多个掩模图案的各掩模与掩模单元片材部的上部连接，掩模图案包括上部的第一掩模图案与下部的第二掩模图案，第一掩模图案的厚度大于第二掩模图案的厚度，第一掩模图案的两侧面具有凹状曲率，第一掩模图案的上部宽度大于第二掩模图案的下部宽度，第一掩模图案的下部宽度小于第二掩模图案的下部宽度。
[0021]有益效果
[0022]根据具有上述结构的本专利技术，能够精确地控制掩模图案的尺寸和位置。
附图说明
[0023]图1是现有的将掩模附着到框架的过程的示意图。
[0024]图2是根据本专利技术一实施例的框架一体型掩模的主视图及侧截面图。
[0025]图3是根据本专利技术一实施例的掩模的示意图。
[0026]图4是根据本专利技术一实施例的通过在模板上粘合掩模金属膜来形成掩模以制造掩模支撑模板的过程的示意图。
[0027]图5是根据现有的掩模制造过程和比较例的掩模的蚀刻程度的示意图。
[0028]图6至图7是根据本专利技术一实施例的掩模的制造过程的示意图。
[0029]图8是根据本专利技术一实施例的掩模金属膜的蚀刻程度的示意图。
[0030]图9是根据本专利技术一实施例的掩模支撑模板的制造过程的示意图。
[0031]图10是根据比较例和本专利技术一实施例的掩模金属膜的蚀刻形态的示意图。
[0032]图11是根据本专利技术的一实施例的掩模金属膜的示意图。
[0033]图12是根据本专利技术的实验例的孔和开口率的关系曲线图。
[0034]图13是紧接图11的制造掩模过程的示意图。
[0035]图14是根据本专利技术一实施例的掩模图案的形成原理的示意图。
[0036]图15是根据本专利技术一实施例的掩模的示意图。
[0037]图16至图18是根据本专利技术一实验例的掩模的SEM照片。
[0038]图19是根据本专利技术一实施例的将模板装载于框架上以使掩模对应到框架的单元区域的状态的示意图。
[0039]图20是根据本专利技术一实施例的将掩模附着到框架上之后使掩模和模板分离的过程的示意图。
[0040]图21是根据本专利技术一实施例的将掩模附着到框架的单元区域并去除绝缘部的状态的示意图。
[0041]附图标记：
[0042]23：隔板绝缘部
[0043]25：绝缘部
[0044]50：模板
[0045]55：临时粘合部
[0046]10本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种OLED像素形成用掩模，该掩模形成有多个掩模图案，其中，掩模图案包括上部的第一掩模图案与下部的第二掩模图案，第一掩模图案的厚度大于第二掩模图案的厚度，第一掩模图案的两侧面具有凹状的曲率，第一掩模图案的上部宽度大于第二掩模图案的下部宽度，第一掩模图案的下部宽度小于第二掩模图案的下部宽度。2.如权利要求1所述的OLED像素形成用掩模，其中，第二掩模图案的两侧面具有凸状的曲率。3.如权利要求1所述的OLED像素形成用掩模，其中，第一掩模图案与第二掩模图案形状的和整体上呈现锥形或者倒锥形。4.如权利要求1所述的OLED像素形成用掩模，其中，连接第一掩模图案的上端角部至第一掩模图案的下端角部的虚直线与掩模的下部面形成的角度小于60
°
且大于0。5.如权利要求1所述的OLED像素形成用掩模，其中，第一掩模图案的下部宽度大于15.4μm且小于35μm。6.如权利要求1所述的OLED像素形成用掩模，其中，掩模的厚度为5μm至20μm。7.一种掩模支撑模板，用于支撑OLED像素形成用掩模，该掩模支撑模板包括：模板；临时粘合部，其形成在模板上；以及掩模，其通过夹设临时粘合部粘合在模板上且形成有多个掩模图案，掩模图案包括上部的第一掩模图案与下部...

【专利技术属性】
技术研发人员：李炳一，金奉辰，
申请(专利权)人：悟勞茂材料公司，
类型：发明
国别省市：