本发明专利技术提出的一种蚀刻线滚轮、蚀刻传送线及蚀刻装置，涉及蚀刻设备技术领域。蚀刻线滚轮包括轮轴和若干轮片，若干轮片间隔设置在轮轴上，且相对于轮轴的中线对称分布；并且，从轮轴的中线至其两端方向上的各轮片的直径依次递减。蚀刻传送线包括所述的蚀刻线滚轮；沿输送方向上，若干蚀刻线滚轮水平平行间隔排布。蚀刻装置包括所述的蚀刻传送线，以及设置在所述的蚀刻传送线上侧的上侧喷淋装置，和/或设置在所述的蚀刻传送线下侧的下侧喷淋装置。本发明专利技术通过改进蚀刻线滚轮的结构，使得蚀刻传送线的输送面呈凸面，进而使得在线传输时金属掩膜版中间高于其两侧，药液直接向低两侧处流走，不会聚集，彻底避免了“水池效应”的产生。的产生。的产生。
【技术实现步骤摘要】
一种蚀刻线滚轮、蚀刻传送线及蚀刻装置
[0001]本专利技术涉及蚀刻设备
，尤其涉及一种蚀刻线滚轮、蚀刻传送线及蚀刻装置。
技术介绍
[0002]目前，随着有机发光二极管(OLED，Organic Light Emitted Diode)、有源矩阵有机发光二极体(AMOLED，Active
‑
matrix organic light
‑
emitting diode)等显示技术在日趋成熟，金属掩膜版作为制备OLED这类显示面板的重要器件，已逐步成为各上游厂商争相布局的产品。
[0003]金属掩膜版上的图案一般都是通过蚀刻制成。当金属掩膜版在显影机、蚀刻机中通过药水反应加工时，药水容易聚集在金属掩膜版中某些位置无法流走(也即是行业内常说的“水池效应”)，最终导致金属掩膜版上图案的尺寸精度和位置精度变差。目前，行业内已经有一些解决上述“水池效应”问题的方案，但效果均不理想，例如：
[0004]现有一种消除水池效应的方法及装置(中国专利，公开号：CN101754583A，公开日：2010.06.23)，其中公开的解决方法为：设计水池效应孔的钻孔程式；根据上述钻孔程式在电路板上钻出相应的孔；将钻孔后的电路板进行蚀刻，获得需要的线路，以消除水池效应。
[0005]又有，一种减少水池效应的蚀刻装置(中国专利，公开号：CN205961592U，公开日：2017.02.15)，该蚀刻装置包括蚀刻槽、喷管和喷嘴，蚀刻槽内紧密排列有多个平行的轮片，轮片上放置有带蚀刻的PCB板，蚀刻槽内安装有平行的管道，且管道设置在轮片的两侧，喷管连接在平行的两根管道之间，且喷管设置在PCB板的上方，喷管上均匀设置的多个喷嘴到PCB板板面的垂直距离从板中心到板边缘依次递增，板中心流速最快，而边缘的流速最慢；不同的流速设置，可提高板中心蚀刻药水向两侧流动的速度，减少水池效应及蚀刻速率的差异性。
[0006]鉴于现有的“水池效应”问题的解决方案并不理想，为了提高上述金属掩膜版的产品质量，亟需寻求一种解决上述“水池效应”问题的新方案。
技术实现思路
[0007]为了解决在显影机、蚀刻机等蚀刻工艺用的设备中容易产生的“水池效应”问题，本专利技术提供了一种蚀刻线滚轮、蚀刻传送线及蚀刻装置。
[0008]本专利技术的蚀刻线滚轮包括：
[0009]轮轴；以及
[0010]若干轮片，所述的若干轮片间隔设置在所述的轮轴上，且相对于所述轮轴的中线对称分布；
[0011]并且，从所述轮轴的中线至其两端方向上的各所述轮片的直径依次递减。
[0012]进一步地，位于所述轮轴最中间的所述轮片为中心轮片，位于所述轮轴最外端的所述轮片为端部轮片；
[0013]中心轮片和与其位于轮轴中线同一侧的端部轮片，两者的轮缘顶点的连线与水平方向的夹角为θ，则θ≤1
°
。
[0014]进一步地，所述的中心轮片和与其位于轮轴中线同一侧的端部轮片，两者的轮缘顶点的连线与水平方向的夹角为θ，则0.5
°
≤θ≤0.6
°
。
[0015]进一步地，从所述轮轴的中线至其任意一端之间，各所述轮片的轮缘顶点位于同一圆弧线或斜线上。
[0016]进一步地，所述轮片的数量为偶数或者奇数。
[0017]进一步地，所述轮片的数量为奇数，且等间距分布。
[0018]进一步地，所述轮片的数量为偶数，靠近所述轮轴最中间的两所述轮片的间距为S1，其余任意相邻的所述轮片的间距为S2，S1≤S2。
[0019]进一步地，所述的若干轮片中任意相邻两者的间距为58mm～88mm。
[0020]本专利技术的蚀刻传送线包括上述的蚀刻线滚轮；
[0021]沿输送方向上，若干所述的蚀刻线滚轮水平平行间隔排布。
[0022]进一步地，所述的蚀刻传送线中，任意相邻的所述蚀刻线滚轮之间的间距为45mm～55mm。
[0023]本专利技术的蚀刻装置包括：
[0024]上述的蚀刻传送线；以及
[0025]设置在所述的蚀刻传送线上侧的上侧喷淋装置，和/或设置在所述的蚀刻传送线下侧的下侧喷淋装置。
[0026]本专利技术的有益效果为：
[0027]1)本专利技术通过调整每一个蚀刻线滚轮上的轮片的尺寸，让蚀刻线滚轮中间到两端的轮片直径逐渐减小，使得蚀刻传送线的输送面由平面变为凸面，当金属掩膜版产品在蚀刻传送线上传送时，金属掩膜版的中部高于其两侧，药液直接向低处流走，不会金属掩膜版中部聚集，彻底避免了“水池效应”的产生；
[0028]2)本专利技术在解决“水池效应”问题时，不需要调控蚀刻药水喷洒流速等一些不稳定参数，可靠性更高；并且，不需要改变金属掩膜版自身的结构，不会对金属掩膜版自身的机械性能造成影响，产品质量更高；
[0029]3)依照本专利技术，在生产大尺寸金属掩膜版(尺寸为1040mm
×
1800mm左右或以上)时，金属掩膜版中部和边缘等各位置开口图案相应尺寸的误差能够控制在15μm以内，开口图案的尺寸精度和均匀性都大幅提高；
[0030]另，本专利技术的其他附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0031]图1为蚀刻线滚轮的一种实施方式的结构示意图；
[0032]图2为蚀刻线滚轮的另一种实施方式的结构示意图；
[0033]图3为蚀刻线滚轮中轮片直径变化的一种实施方式示意图；
[0034]图4为蚀刻线滚轮中轮片直径变化的另一种实施方式示意图；
[0035]图5为蚀刻传送线中蚀刻线滚轮的排布方式示意图；
[0036]图6为本专利技术的蚀刻装置的局部结构示意图；
[0037]图中：1、金属掩膜版；2、蚀刻传送线；3、蚀刻线滚轮；30、轮轴；31、轮片；301、中心轮片；302、端部轮片；4、圆弧线；5、斜线；6、上侧喷淋装置；7、下侧喷淋装置。
具体实施方式
[0038]为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。下面结合附图和实施例，对本专利技术作进一步说明。
[0039]本实施例中提供了一种蚀刻装置，该蚀刻装置可以是蚀刻工艺中使用的显影机或蚀刻机等设备中的一种。参照附图6中所示，上述的蚀刻装置包括水平设置的蚀刻传送线2和喷淋装置。
[0040]其中，喷淋装置包括喷嘴和连通喷嘴的供药水输送的管道，以及药水容器和提供输送压力的装置(附图中未完全示出)。其中，药水容器和提供输送压力的装置可以是设置在蚀刻装置中，也可以是外接在蚀刻装置上的。
[0041]上述的喷淋装置包括上侧喷淋装置6和/或下侧喷淋装置7，上侧喷淋装置本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种蚀刻线滚轮，其特征在于，该蚀刻线滚轮(3)包括：轮轴(30)；以及若干轮片(31)，所述的若干轮片(31)间隔设置在所述的轮轴(30)上，且相对于所述轮轴(30)的中线对称分布；并且，从所述轮轴(30)的中线至其两端方向上的各所述轮片(31)的直径依次递减。2.根据权利要求1所述的蚀刻线滚轮，其特征在于，位于所述轮轴(30)最中间的所述轮片(31)为中心轮片(301)，位于所述轮轴(30)最外端的所述轮片(31)为端部轮片(302)；中心轮片(301)和与其位于轮轴(30)中线同一侧的端部轮片(302)，两者的轮缘顶点的连线与水平方向的夹角为θ，则θ≤1
°
。3.根据权利要求2所述的蚀刻线滚轮，其特征在于，所述的中心轮片(301)和与其位于轮轴(30)中线同一侧的端部轮片(302)，两者的轮缘顶点的连线与水平方向的夹角为θ，则0.5
°
≤θ≤0.6
°
。4.根据权利要求1所述的蚀刻线滚轮，其特征在于，从所述轮轴(30)的中线至其任意一端之间，各所述轮片(31)的轮缘顶点位于同一圆弧线(4)...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴建，钱超，杨柯，
申请(专利权)人：常州高光半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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