一种UV LED器件及其制作方法技术

本申请公开了一种UV LED器件，包括表面分布有金属镀层的基板；位于基板的上表面预设位置的共晶合金层；通过共晶合金层与基板连接的铝碗杯；位于铝碗杯区域内且与基板的上表面共晶连接的UV LED芯片；封盖。本申请中的UV LED器件包括表面有金属镀层的基板、共晶合金层、铝碗杯、UV LED芯片和封盖，碗杯是铝碗杯，铝碗杯具有较高的反射率，可以减少对紫外光线的吸收，从而增加UV LED器件对紫外光线的利用率，并且铝碗杯与基板之间是依靠共晶合金层来连接的，可以有有效降低铝碗杯与基板的空洞率，且铝碗杯是通过共晶合金层直接与基板连接，提升制作效率。本申请还提供一种具有上述优点的UV LED器件制作方法。

【技术实现步骤摘要】
一种UVLED器件及其制作方法
本申请涉及LED
，特别是涉及一种UVLED器件及其制作方法。
技术介绍
UVLED，即紫外发光二极管，是LED中的一种，其光源具有环保、低功耗和波段可选等优点，广泛应用在印刷领域、工艺品领域以及医疗领域等。目前UVLED器件中，基板上电镀有铜碗杯，在基板和铜碗杯的表面分布有金镀层，UVLED芯片位于铜碗杯范围内与基板电连接，由于金对紫外光的反射率很低，即大部分光线被表面材质金镀层吸收，导致UVLED器件普遍对紫外光的利用率极低，并且现有的UVLED器件铜碗杯与基板的空洞率也较高，同时由于铜碗杯的形成多要多次电镀铜，耗时长，生产效率低，成本又高。因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。
技术实现思路
本申请的目的是提供一种UVLED器件及其制作方法，以提升UVLED器件对紫外光的利用率，降低空洞率，提升生产效率。为解决上述技术问题，本申请提供一种UVLED器件，包括：表面分布有金属镀层的基板；位于所述基板的上表面预设位置的共晶合金层；通过所述共晶合金层与所述基板连接的铝碗杯；位于所述铝碗杯区域内且与所述基板的所述上表面共晶连接的UVLED芯片；封盖。可选的，所述基板为氮化铝陶瓷基板。可选的，所述封盖为石英玻璃封盖。可选的，所述共晶合金层为金锡合金层。可选的，所述金属镀层为金镀层。可选的，所述UVLED芯片为UVCLED芯片。本申请还提供一种UVLED器件制作方法，包括：获得表面分布有金属镀层的基板；在铝碗杯与所述基板连接的区域制作共晶合金层；将所述基板与所述铝碗杯通过所述共晶合金层在第一温度下进行共晶焊接；将UVLED芯片在第二温度下共晶焊接在所述基板的所述上表面，且所述UVLED芯片位于所述铝碗杯区域内，所述第二温度小于所述第一温度；将封盖与所述铝碗杯背离所述基板的表面连接。可选的，所述将封盖与所述铝碗杯背离所述基板的表面连接包括：利用胶粘法或者共晶焊接法，将所述封盖与所述铝碗杯背离所述基板的表面连接。可选的，在所述将所述基板与所述铝碗杯通过所述共晶合金层进行共晶焊接之后，还包括：检测所述铝碗杯与所述基板的空洞率。可选的，所述获得表面分布有金属镀层的基板包括：采用DPC工艺制备所述基板；在所述在基板的上表面镀金属镀层。本申请所提供的一种UVLED器件，包括：表面分布有金属镀层的基板；位于所述基板的上表面预设位置的共晶合金层；通过所述共晶合金层与所述基板连接的铝碗杯；位于所述铝碗杯区域内且与所述基板的所述上表面共晶连接的UVLED芯片；封盖。可见，本申请中的UVLED器件包括表面有金属镀层的基板、共晶合金层、铝碗杯、UVLED芯片和封盖，碗杯是铝碗杯，铝碗杯具有较高的反射率，可以减少对紫外光线的吸收，从而增加UVLED器件对紫外光线的利用率，并且铝碗杯与基板之间是依靠共晶合金层来连接的，可以有有效降低铝碗杯与基板的空洞率，另外，铝碗杯是通过共晶合金层直接与基板连接，大大提升制作效率，产能高。此外，本申请还提供一种具有上述优点的UVLED器件制作方法。附图说明为了更清楚的说明本申请实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例所提供的一种UVLED器件的结构示意图；图2为本申请实施例所提供的一种铝碗杯的结构示意图；图3为铝碗杯的底部示意图；图4为UVLED芯片倒置时结构示意图；图5为本申请实施例所提供的一种UVLED器件制作方法流程图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。正如
技术介绍
部分所述，目前UVLED器件中，基板上电镀有铜碗杯，在基板和铜碗杯的表面分布有金镀层，金对紫外光的反射率很低，导致UVLED器件普遍对紫外光的利用率极低，并且现有的UVLED器件铜碗杯与基板的空洞率也较高，同时由于铜碗杯的形成多要多次电镀铜，因为一次电镀铜，铜的厚度只有60微米，导致生产效率低，成本又高。有鉴于此，本申请提供了一种UVLED器件，请参考图1，图1为本申请实施例所提供的一种UVLED器件的结构示意图，该UVLED器件包括：表面分布有金属镀层2的基板1；位于所述基板1的上表面预设位置的共晶合金层3；通过所述共晶合金层3与所述基板1连接的铝碗杯4；位于所述铝碗杯4区域内且与所述基板1的所述上表面共晶连接的UVLED芯片5；封盖6。可选的，所述基板1为氮化铝陶瓷基板1，但是本申请对此并不做具体限定，基板1还可以为氧化铝陶瓷基板1等。可选的，所述金属镀层2为金镀层。需要指出的是，本实施例中对预设位置不做具体限定，视铝碗杯4在基板1上的位置而定。进一步地，本申请中对共晶合金层3也不做具体限定，可自行设置。可选的，所述共晶合金层3为金锡合金层，当然也能采用其他共晶合金层3，例如铅锡合金层、铜银合金层等等。优选地，共晶合金层3的平整度Ra＜0.3，以增加基板1与铝碗杯4连接牢固性。铝碗杯4的结构示意图以及铝碗杯4的底部示意图请分别参考图2和图3，UVLED芯片5倒置时结构示意图请参见图4。优选地，所述铝碗杯4为内壁抛光型铝碗杯4，可以进一步增加铝碗杯4对紫外光线的反射，提升紫外光线的利用率。需要说明的是，本申请中UVLED芯片5倒装在基板1的上表面，并且UVLED芯片5的电极为共晶合金层，例如金锡合金层，UVLED芯片5的电极与基板1进行共晶焊接，即基板1于UVLED芯片5共晶连接。需要注意的是，位于基板1与铝碗杯4之间的共晶合金层3中各个金属的所占的比例与UVLED芯片5的共晶合金层(电极)中各个金属的所占的比例应该不同，以保证UVLED芯片5与基板1共晶焊接时的温度低于基板1与铝碗杯4之间的共晶焊接温度，即避免UVLED芯片5与基板1共晶焊接时基板1与铝碗杯4之间发生脱落。以金锡合金层为例，对金、锡的占比进行描述。基板1与铝碗杯4之间的共晶合金层3中，金占比80％。锡占比20％，共晶点280℃，UVLED芯片5电极中金本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种UV LED器件，其特征在于，包括：/n表面分布有金属镀层的基板；/n位于所述基板的上表面预设位置的共晶合金层；/n通过所述共晶合金层与所述基板连接的铝碗杯；/n位于所述铝碗杯区域内且与所述基板的所述上表面共晶连接的UV LED芯片；/n封盖。/n

【技术特征摘要】
1.一种UVLED器件，其特征在于，包括：
表面分布有金属镀层的基板；
位于所述基板的上表面预设位置的共晶合金层；
通过所述共晶合金层与所述基板连接的铝碗杯；
位于所述铝碗杯区域内且与所述基板的所述上表面共晶连接的UVLED芯片；
封盖。


2.如权利要求1所述的UVLED器件，其特征在于，所述基板为氮化铝陶瓷基板。


3.如权利要求1所述的UVLED器件，其特征在于，所述封盖为石英玻璃封盖。


4.如权利要求1所述的UVLED器件，其特征在于，所述共晶合金层为金锡合金层。


5.如权利要求1所述的UVLED器件，其特征在于，所述金属镀层为金镀层。


6.如权利要求1至5任一项所述的UVLED器件，其特征在于，所述UVLED芯片为UVCLED芯片。


7.一种UVLED器件制作方法，其特征在于，包括：
获得表面分布有金属镀层的基板；
在铝...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜元宝，张耀华，陈复生，张庆豪，
申请(专利权)人：宁波升谱光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33