【技术实现步骤摘要】
本技术涉及发光领域，特别涉及一种抗静电led光源加工器件及抗静电led光源器件。
技术介绍
1、led(发光二极管)器件是一种可直接将电能转化为可见光的发光器件，但在日常生活环境中，甚至自身都会带有不同程度的静电，当静电积累到一定程度时就会发生放电，对led器件造成不可逆的伤害，破坏内部的芯片结构，最终致使整个发光器件瘫痪，出现漏电流、死灯等现象。现有技术为了避免这一问题，提出了一种在led器件中加入齐纳二极管，通过齐纳二极管释放掉静电电荷，从而达到保护led器件的效果。
2、但现有在led器件中加入齐纳二极管，需要和led器件中的芯片分步作业，在齐纳二极管未工作前，led器件的芯片存在静电损伤的风险，且工序复杂，制备成本高。
技术实现思路
1、有鉴于此，本技术的目的在于提供一种抗静电led光源加工器件及抗静电led光源器件，解决了现有技术中光源器件在齐纳二极管未工作前，led器件的芯片存在静电损伤的风险，且工序复杂，制备成本高的问题。
2、为解决上述技术问题，本技术提供了一种抗静电led光源加工器件，包括：
3、导电层、齐纳二极管和抗机械力封装料，所述抗机械力封装料用于封装光源芯片加工区域外的导电层；
4、所述导电层包括被绝缘体分割的正极导电层和负极导电层；
5、所述齐纳二极管设置在所述抗机械力封装料内部，分别与所述正极导电层和所述负极导电层导电连接。
6、可选的，所述正极导电层或所述负极导电层中设置有光源芯
7、可选的，将设置有所述光源芯片固晶区域的一极导电层作为第一极导电层；相对应的另一极导电层作为第二极导电层；
8、所述第一极导电层中光源芯片加工区域大于所述第二极导电层中光源芯片加工区域。
9、可选的，所述第二极导电层中抗机械力封装料封装区域，设置有所述齐纳二极管；
10、所述齐纳二极管分别与所述第一极导电层和所述第二极导电层导电连接。
11、可选的，所述齐纳二极管与所述第二极导电层通过固晶连接的方式导电连接。
12、可选的，所述齐纳二极管与所述第一极导电层通过导线进行导电连接。
13、可选的，所述抗机械力封装料为塑胶料。
14、本技术还提供了一种抗静电led光源器件，包括：
15、如上述的抗静电led光源加工器件、光源芯片和用于封装光源芯片加工区域的封装料；
16、所述抗静电led光源加工器件中的正极导电层和负极导电层分别与所述光源芯片导电连接。
17、可选的，所述用于封装光源芯片加工区域的封装料为封装胶。
18、可选的，所述光源芯片的正极与所述正极导电层通过导线导电连接；
19、所述光源芯片的负极与所述负极导电层通过导线导电连接。
20、可见，本技术提供的抗静电led光源加工器件，包括导电层、齐纳二极管和抗机械力封装料，抗机械力封装料用于封装光源芯片加工区域外的导电层，导电层包括被绝缘体分割的正极导电层和负极导电层，齐纳二极管设置在抗机械力封装料内部，分别与正极导电层和负极导电层导电连接。本技术通过预先将齐纳二极管集成在抗机械力封装料内部，并分别与正极导电层和负极导电层导电连接，能够使led器件中芯片时刻处于被保护的状态，避免现有制备方案中在齐纳二极管未工作前，led光源器件中的光源芯片便存在静电损伤的风险，同时将齐纳二极管预先设置在抗机械力封装料内部，在光源芯片固晶过程，无需考虑齐纳二极管的设置位置，降低了制备的复杂度。
21、此外，本技术还提供了一种抗静电led光源器件，同样具有上述有益效果。
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1.一种抗静电LED光源加工器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的抗静电LED光源加工器件，其特征在于，所述齐纳二极管与所述第二极导电层通过固晶连接的方式导电连接。
3.根据权利要求1所述的抗静电LED光源加工器件，其特征在于，所述齐纳二极管与所述第一极导电层通过导线进行导电连接。
4.根据权利要求1所述的抗静电LED光源加工器件，其特征在于，所述抗机械力封装料为塑胶料。
5.一种抗静电LED光源器件，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的抗静电LED光源器件，其特征在于，所述用于封装光源芯片加工区域的封装料为封装胶。
7.根据权利要求5所述的抗静电LED光源器件，其特征在于，所述光源芯片的正极与所述正极导电层通过导线导电连接；
【技术特征摘要】
1.一种抗静电led光源加工器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的抗静电led光源加工器件，其特征在于，所述齐纳二极管与所述第二极导电层通过固晶连接的方式导电连接。
3.根据权利要求1所述的抗静电led光源加工器件，其特征在于，所述齐纳二极管与所述第一极导电层通过导线进行导电连接。
4.根据权利要求1所述的抗静电l...
【专利技术属性】
技术研发人员：张耀华，杜元宝，宓超，陈书红，王国君，陈复生，张庆豪，
申请(专利权)人：宁波升谱光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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