一种聚酰亚胺结合铜柱元件制造技术

本发明专利技术公开了一种聚酰亚胺结合铜柱元件，属于晶片生产技术领域，包括铜柱、钨柱、晶圆基板和引线框架，钨柱固定连接在晶圆基板上，晶圆基板上固定连接有氮化硅层，氮化硅层上固定连接有聚酰亚胺层，铜柱固定连接在钨柱上，铜柱的侧面和顶面包覆有贵金属外壳包覆层，引线框架焊接在贵金属外壳包覆层上，引线框架和贵金属外壳包覆层的焊接接触面形成共熔合金接触层,解决了现有技术中导线焊接铜垫面的工艺散热性较差和在恶劣环境场合使用上接触点可靠性差的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种聚酰亚胺结合铜柱元件
本专利技术涉及
，更具体地说，涉及一种聚酰亚胺结合铜柱元件。
技术介绍
电子元件的发展趋向于更小更薄更轻及较好的性能特性，散热性及接触的可靠性是非常重要的尤其是对于高电流高电压高频的功率元件。目前芯片晶粒生产工艺生成铜/铝垫面，晶粒切割后，用金，铝，或铜导线焊接引线框架(LeadFrame)，进行封装作业。在晶粒的导电垫面，以氮化硅为钝化层，引线框架之间，以导线焊接，但因为垫面埋嵌入晶粒介质层，导线焊接铜垫面的工艺散热性较差，而且长时间在恶劣环境场合使用上，容易产生接触可靠性的问题。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种聚酰亚胺结合铜柱元件，解决了现有技术中导线焊接铜垫面的工艺散热性较差和在恶劣环境场合使用上接触点可靠性差的问题。本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：一种聚酰亚胺结合铜柱元件，包括铜柱、钨柱、晶圆基板和引线框架，其特征在于：所述钨柱固定连接在晶圆基板上，所述晶圆基板上固定连接有氮化硅层，所述氮化硅层上固定连接有聚酰亚胺层，所述铜柱固本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种聚酰亚胺结合铜柱元件，其特征在于：包括铜柱(1)、钨柱(6)、晶圆基板(7)和引线框架(5)，其特征在于：所述钨柱(6)固定连接在晶圆基板(7)上，所述晶圆基板(7)上固定连接有氮化硅层(3)，所述氮化硅层(3)上固定连接有聚酰亚胺层(4)，所述铜柱(1)固定连接在钨柱(6)上，所述铜柱(1)的侧面和顶面包覆有贵金属外壳包覆层(2)，所述引线框架(5)焊接在贵金属外壳包覆层(2)上，所述引线框架(5)和贵金属外壳包覆层(2)的焊接接触面形成共熔合金接触层。/n

【技术特征摘要】
1.一种聚酰亚胺结合铜柱元件，其特征在于：包括铜柱(1)、钨柱(6)、晶圆基板(7)和引线框架(5)，其特征在于：所述钨柱(6)固定连接在晶圆基板(7)上，所述晶圆基板(7)上固定连接有氮化硅层(3)，所述氮化硅层(3)上固定连接有聚酰亚胺层(4)，所述铜柱(1)固定连接在钨柱(6)上，所述铜柱(1)的侧面和顶面包覆有贵金属外壳包覆层(2)，所述引线框架(5)焊接在贵金属外壳包覆层(2)上，所述引线框架(5)和贵金属外壳包覆层(2)的焊接接触面形成共熔合金接触层。


2.根据权利要求1所述的一种聚酰亚胺结合铜柱元件，其特征在于：所述贵金属外壳包覆层(2)的材质为镍、钯和金的组合。


3.根据权利要求1所述的一种聚酰亚胺结合铜柱元件，其特征在于：所述贵金属外壳包覆层(2)中镍厚度为1.5至3.5微米，钯厚度为0.15至0.35微米，金的厚度0.02至0....

【专利技术属性】
技术研发人员：严立巍，李景贤，陈政勋，
申请(专利权)人：绍兴同芯成集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33