电子元件封装结构及其制造方法技术

本揭露公开一种电子元件封装结构及其制造方法。电子元件封装结构包含第一电子元件层、第二电子元件层以及设置于第一电子元件层与第二电子元件层之间的填充层，其中第二电子元件层的杨氏系数小于或等于第一电子元件层的杨氏系数，且填充层的杨氏系数小于第二电子元件层的杨氏系数，第一电子元件层与填充层的杨氏系数比值为10～1900，第二电子元件层与填充层的杨氏系数比值为7.6～1300。

【技术实现步骤摘要】
电子元件封装结构及其制造方法
本揭露涉及一种电子元件封装结构及其制备方法，且特别是涉及一种具有多个中性面的电子元件封装结构及其制备方法。
技术介绍
随着电子商品的蓬勃发展，固定、刚硬的产品已经无法符合消费市场的需求。举例来说，用于穿戴式装置的电子装置为提高穿戴时的舒适感，需要使电子装置与穿戴处的线条匹配，而使得电子装置配戴在人体身上时处于弯曲的状态。但电子装置处于弯曲状态下时，电子装置内的构件由于承受应力而容易发生脱层或开裂(crack)等问题。一般而言，当电子装置承受应力时，在压应力区与张应力区间存在应力平衡的中性轴。以整个装置来看时压应力区与张应力区的交界将构成中性面。为了解决应力的分布问题，一般是将电子结构中较脆弱处放置于应力中性面区域。然而，传统的电子装置中仅具有一个中性面，电子装置中的大部分构件还是容易受到应力影响。据此，如何解决现有的应力分布、电子装置耐挠曲性不佳的问题为目前所欲研究的主题。
技术实现思路
本揭露的一实施例提供一种电子元件封装结构，其中通过调整电子元件封装结构中的不同构件的杨氏系数及厚度而使电子元件封装结构处于弯曲状态时不会发生脱层或开裂。本揭露的一实施例提供一种电子元件封装结构，包括第一电子元件层与第二电子元件层以及设置于所述第一电子元件层与所述第二电子元件层之间的填充层。所述第二电子元件层的杨氏系数小于或等于所述第一电子元件层的杨氏系数，且所述填充层的杨氏系数小于所述第二电子元件层的杨氏系数，所述第一电子元件层与所述填充层的杨氏系数比值为10～1900，所述第二电子元件层与所述填充层的杨氏系数比值为7.6～1300。本揭露的另一实施例提供一种电子元件封装结构，包括电子元件层、功能结构以及设置于所述电子元件层与所述功能结构之间的填充层。所述功能结构的杨氏系数小于或等于所述电子元件层的杨氏系数，且所述填充层的杨氏系数小于所述功能结构的杨氏系数，所述填充层与所述电子元件层的厚度比值为0.6～10，所述填充层与所述功能结构的厚度比值为1.2～50。本揭露的再另一实施例提供一种制造电子元件封装结构的方法，包括形成第一电子元件层具有第一厚度与第一杨氏系数；形成第二电子元件层具有第二厚度与第二杨氏系数；形成填充层于所述第一电子元件层与第二电子元件层之间，其中根据所述第一电子元件层的所述第一杨氏系数以及根据所述第二电子元件层的所述第二杨氏系数调整所述填充层具有第三杨氏系数，所述第三杨氏系数小于所述第一杨氏系数且小于所述第二杨氏系数；以及根据所述第一电子元件层的所述第一厚度以及根据所述第二电子元件层的所述第二厚度调整所述填充层具有第三厚度。为让本揭露能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。附图说明图1为本揭露实施例的电子元件封装结构的剖面示意图；图2为本揭露另一实施例的电子元件封装结构的剖面示意图；图3A及图3B为本揭露的实施例的电子元件封装结构的芯片的配置的示意图；图4A及图4B为本揭露另一实施例的电子元件封装结构的剖面示意图；图5A至图5C为本揭露的其他实施例的电子元件封装结构的俯视示意图；图6为沿图5A所示的电子元件封装结构中的剖线A-A’的剖面示意图；图7为具有多个中性面的电子元件封装结构在不同厚度处的应力变化量的示意图；图8A为具有单一中性面的电子元件封装结构在不同厚度处的应力变化量的示意图；图8B为具有多个中性面的电子元件封装结构在不同厚度处的应力变化量的示意图。符号说明100、100A、100B、200、200’：电子元件封装结构16A、16B、16C、16D、216：芯片110：第一电子元件层114：第一重分布层结构116：第一芯片118：第一信号连接结构120：第二电子元件层124：第二重分布层结构126：第二芯片128：第二信号连接结构130、230：填充层132：导电通孔210：电子元件层214：重分布层结构218：信号连接结构112、122、212：模封材料140、240：功能结构250：薄膜晶体管层A-A’：剖线具体实施方式以下将配合所附的附图详细说明本揭露的实施例，然而应注意的是，这些附图均为简化的示意图，仅以示意方法来说明本揭露的基本架构或实施方法，故仅显示与本案有关的元件与组合关系，图中所显示的元件并非以实际实施的数目、形状、尺寸做等比例绘制，某些尺寸比例与其他相关尺寸比例或已夸张或是简化处理，以提供更清楚的描述。图1为说明根据本揭露实施例的电子元件封装结构的剖面示意图。参照图1，根据本揭露的实施例的电子元件封装结构100包括第一电子元件层110、第二电子元件层120以及填充层130。填充层130设置于第一电子元件层110与第二电子元件层120之间。填充层130中可设置有导电通孔132。第一电子元件层110包括第一芯片116、第一重分布层结构114以及设置于第一芯片116与第一重分布层结构114之间的第一信号连接结构118。第一重分布层结构114位于第一芯片116与填充层130之间。第二电子元件层120包括第二芯片126、第二重分布层结构124以及设置于第二芯片126与第二重分布层结构124之间的第二信号连接结构128。第二重分布层结构124位于第二芯片126与填充层130之间。第二元件层120可还包括功能结构140使得第二芯片126位于功能结构140与第二重分布层结构124之间。根据本揭露实施例，第一电子元件层110的厚度可介于50～300微米之间，例如100微米、150微米、200微米或250微米。第二电子元件层120的厚度可介于10～300微米之间，例如50微米、100微米、150微米、200微米或250微米。第一电子元件层110的厚度可与第二电子元件层120的厚度相同。或者，第一电子元件层110的厚度可与第二电子元件层120的厚度不同。填充层130的厚度可介于200～500微米之间，例如250微米、300微米、350微米、400微米或450微米。根据本揭露实施例，填充层130的厚度与第一电子元件层110的厚度的比值可介于0.1～10之间。较佳地，填充层130的厚度与第一电子元件层110的厚度的比值可为0.6～10。填充层130的厚度与第二电子元件层120的厚度的比值可介于0.1～50之间。较佳地，填充层130的厚度与第二电子元件层120的厚度的比值可为1.2～50。当第一电子元件层110的厚度、第二电子元件层120的厚度以及填充层130的厚度在上述比值范围内时，可使电子元件封装结构在处于弯曲状态时具有多个中性面而避免发生脱层或开裂。根据本揭露实施例，第一电子元件层110的杨氏系数可介于130～180GPa之间。第二电子元件层120的杨氏系数可介于115～130GPa之间。填充层130的杨氏系数可介于0本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子元件封装结构，其特征在于，包括：/n第一电子元件层与第二电子元件层；以及/n填充层，设置于所述第一电子元件层与所述第二电子元件层之间，/n其中所述第二电子元件层的杨氏系数小于或等于所述第一电子元件层的杨氏系数，且所述填充层的杨氏系数小于所述第二电子元件层的杨氏系数，所述第一电子元件层与所述填充层的杨氏系数比值为10～1900，所述第二电子元件层与所述填充层的杨氏系数比值为7.6～1300。/n

【技术特征摘要】
20181227 TW 1071473521.一种电子元件封装结构，其特征在于，包括：
第一电子元件层与第二电子元件层；以及
填充层，设置于所述第一电子元件层与所述第二电子元件层之间，
其中所述第二电子元件层的杨氏系数小于或等于所述第一电子元件层的杨氏系数，且所述填充层的杨氏系数小于所述第二电子元件层的杨氏系数，所述第一电子元件层与所述填充层的杨氏系数比值为10～1900，所述第二电子元件层与所述填充层的杨氏系数比值为7.6～1300。


2.如权利要求1所述的电子元件封装结构，其中所述第一电子元件层与所述第二电子元件层分别包括至少一电子元件以及模封所述至少一电子元件的模封材料，其中所述填充层的杨氏系数小于所述模封材料的杨氏系数且所述模封材料的杨氏系数小于所述至少一电子元件的杨氏系数。


3.如权利要求2所述的电子元件封装结构，其中所述第一电子元件层与所述第二电子元件层以并列方式设置，且所述填充层还设置于所述至少一电子元件之间、所述至少一电子元件的两侧或环绕所述至少一电子元件。


4.如权利要求1所述的电子元件封装结构，其中所述填充层包括聚二甲基硅氧烷、硅胶、环氧树脂或压克力树脂。


5.如权利要求1所述的电子元件封装结构，其中所述第一电子元件层与所述第二电子元件层以堆叠方式设置，且所述填充层与所述第一电子元件层的厚度比值为0.1～10，所述填充层与所述第二电子元件层的厚度比值为0.1～50。


6.如权利要求1所述的电子元件封装结构，其中所述第一电子元件层与所述第二电子元件层的厚度相同且所述填充层的杨氏系数为5GPa或5GPa以下。


7.如权利要求1所述的电子元件封装结构，其中所述填充层中具有通孔，所述第一电子元件层与所述第二电子元件层经由所述通孔电连接。


8.如权利要求1所述的电子元件封装结构，其中所述第一电子元件层至少包括第一芯片与第一重分布层结构，其中所述第一重分布层结构设置于所述第一芯片与所述填充层之间，且
所述电子元件封装结构至少具有第一中性面与第二中性面，其中所述第一中性面位于所述第一电子元件层中，所述第一中性面邻近于所述第一重分布层结构与所述填充层的界面。


9.如权利要求8所述的电子元件封装结构，其中所述第二电子元件层至少包括第二芯片与第二重分布层结构，其中所述第二重分布层结构设置于所述第二芯片与所述填充层之间，
其中所述第二中性面位于所述第二电子元件层中，所述第二中性面邻近于所述第二重分布层结构与所述填充层的界面。


10.如权利要求9所述的电子元件封装结构，其中所述第二电子元件层还包括功能结构。


11.如权利要求1所述的电子元件封装结构，其中所述电子元件封装结构至少具有第一、第二与第三中性面，其中所述第一中性面位于所述第一电子元件层中，所述第二中性面位于所述第二电子元件层中，所述第三中性面位于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄瑞彰，杨镇在，郑惟元，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71