【技术实现步骤摘要】
半导体模块、其制造方法以及电力变换装置
本专利技术涉及半导体模块、其制造方法以及电力变换装置。
技术介绍
电力控制用半导体模块在壳体内部搭载有IGBT、MOSFET、FWDi等半导体芯片，该半导体模块被称为功率模块。就功率模块而言，为了在壳体内部使半导体芯片与配线彼此绝缘而提高可靠性，使用了封装树脂。在动作的半导体芯片产生的热经由封装树脂而散热。因此，在封装树脂的内部产生温度分布。另外，材料具有随着温度而伸缩的性质，作为材料固有的物性值而具有线膨胀系数。如果线膨胀系数大，则容易由于温度变化而变形，如果线膨胀系数小，则不易变形。由于树脂上部与芯片周边的温度差，封装树脂的上部与下部的变形量不同，因此模块的翘曲量增加。对此，提出了将封装树脂设为2层而在封装树脂的上部和下部使线膨胀系数变化的技术(例如，参照专利文献1)。专利文献1：日本特开平10-270609号公报温度分布从封装树脂的下部朝向上部而平缓地变化。因此，如果将封装树脂设为2层，则有可能在两层的界面处发生剥离，变形量不均匀。另外，还提出了在全模型(...
【技术保护点】
1.一种半导体模块，其特征在于，具有：/n基座板；/n半导体芯片，其设置于所述基座板之上；/n壳体，其在所述基座板之上将所述半导体芯片包围；以及/n封装树脂，其在所述壳体内将所述半导体芯片封装，/n所述封装树脂的线膨胀系数从所述半导体芯片朝向所述封装树脂的上表面而连续地增加。/n
【技术特征摘要】
20181226 JP 2018-2431161.一种半导体模块，其特征在于，具有：
基座板；
半导体芯片，其设置于所述基座板之上；
壳体，其在所述基座板之上将所述半导体芯片包围；以及
封装树脂，其在所述壳体内将所述半导体芯片封装，
所述封装树脂的线膨胀系数从所述半导体芯片朝向所述封装树脂的上表面而连续地增加。
2.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，
还具有与所述半导体芯片连接、被所述封装树脂封装的导线，
所述封装树脂的沿着高度方向的线膨胀系数的变化在从所述半导体芯片至所述导线的最大高度为止不具有弯折点。
3.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其特征在于，
在所述基座板之上，所述封装树脂的线膨胀系数在横向不变。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体模块，其特征在于，
所述封装树脂的填料密度从所述半导体芯片朝向所述封装树脂的上表面而连续地减小。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体模块，其特征在于，
还具有板材，该板材被所述封装树脂封装，该板材具有低于所述封装树脂的线膨胀系数。
6.根据权利要求5所述的半导体模块，其特征在于，
所述板材是将所述壳体的内壁间连接起来的梁构造。
7.根据权利要求1至6中任一项所述...
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