一种应用电浆切粒及雷射设备完成薄晶圆的晶粒切割的方法技术

本发明专利技术公开一种应用电浆切粒及雷射设备完成薄晶圆的晶粒切割的方法，包括以下步骤：将超薄晶圆的正面粘置于晶粒切割框架上；在超薄晶圆的上端涂布水溶性或有机可溶性的透明的聚合物；以雷射工艺雷射透明的聚合物，切穿聚合物及钛/铝铜金属层，形成切割道图案；对超薄晶圆进行电浆工艺切割晶粒；使用DI水/溶剂清洗去除聚合物及雷射工艺残留的金属杂质；晶粒完成切割于UV型膜框架。本发明专利技术使用的涂布水溶性或是有机可溶性的透明聚合物，应用雷射及其路径编辑程式工艺、减少一序列的黄光工序；经由透明的聚合物，对准切割道，有效实行切割过程；雷射切穿切割道上的金属层，形成聚合物切割道图案后，进行全面性的电浆工艺切割晶粒，不污染晶圆。

【技术实现步骤摘要】
一种应用电浆切粒及雷射设备完成薄晶圆的晶粒切割的方法
本专利技术涉及晶片的生产领域，具体的是一种应用电浆切粒及雷射设备完成薄晶圆的晶粒切割的方法。
技术介绍
晶圆加工过程中，不键合载板的情况下，实行晶圆薄化及移动传送50～100微米的晶圆，并且完成晶粒切割工序，是目前的一种生产方式，即是研磨晶圆，生成晶圆底部厚度50～200微米，留下边緣3～8mm的边框环的晶圆(TaikoWafer太鼓晶圆结构)，实行晶圆背面薄化及后续晶圆生产工序，然后先去除边环(太鼓环)，置于切割膜框，实行晶粒切割工序。虽然现有的工序方式被一般使用中，可以达到基本薄晶圆生产需求，但是有以下缺点：1、无法进行黄光工艺的光阻旋转涂布工序，因为其角度结构，涂布的光阻将因为边缘的阻挡贱回而失败；2、无法应用近接式的黄光工艺，因为近接式的黄光工艺，其掩膜版需极接近晶圆，但是被边框环阻挡，而无法以一般简易的方式进行工序；3、因而无法应用薄晶圆的双面同时金属沉积工艺；4、置于切割膜框作业，还是具超薄晶圆切割，因切割超薄及金属层易崩裂问题。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用电浆切粒及雷射设备完成薄晶圆的晶粒切割的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n一、边缘缓坡状或者阶梯状的超薄晶圆(1)生产工序已完成正面金属沉积工序和背面金属沉积工序；/n二、将超薄晶圆(1)的正面粘置于晶粒切割框架(5)上；/n三、在超薄晶圆(1)的上端涂布水溶性或有机可溶性的透明的聚合物(4)；/n四、以雷射工艺雷射透明的聚合物(4)，切穿聚合物(4)及钛/铝铜金属层，形成切割道图案；/n五、对超薄晶圆(1)进行电浆工艺切割晶粒；/n六、使用DI水/溶剂清洗去除聚合物及雷射工艺残留的金属杂质；/n七、晶粒完成切割于UV型膜框架。/n

【技术特征摘要】
1.一种应用电浆切粒及雷射设备完成薄晶圆的晶粒切割的方法，其特征在于，包括以下步骤：
一、边缘缓坡状或者阶梯状的超薄晶圆(1)生产工序已完成正面金属沉积工序和背面金属沉积工序；
二、将超薄晶圆(1)的正面粘置于晶粒切割框架(5)上；
三、在超薄晶圆(1)的上端涂布水溶性或有机可溶性的透明的聚合物(4)；
四、以雷射工艺雷射透明的聚合物(4)，切穿聚合物(4)及钛/铝铜金属层，形成切割道图案；
五、对超薄晶圆(1)进行电浆工艺切割晶粒；
六、使用DI水/溶剂清洗去除聚合物及雷射工艺残留的金属杂质；
七、...

【专利技术属性】
技术研发人员：严立巍，李景贤，陈政勋，
申请(专利权)人：绍兴同芯成集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33