【技术实现步骤摘要】
激光结晶装置
本公开涉及可靠性提高的激光结晶装置。
技术介绍
在基板上制造薄膜晶体管,将其应用于有源矩阵型的显示装置。使用多结晶半导体膜的薄膜晶体管与使用非晶半导体膜的情况相比,具有电子移动率高而可高速工作的优点。因此,正在研究使得在玻璃等绝缘基板上形成的非晶半导体膜结晶而形成具有结晶结构的半导体膜的技术。作为非晶半导体膜结晶方法,正在探讨使用炉退火的热退火法、快速退火法或激光退火法等,也可以将它们组合使用。其中,激光退火法具有的优点是不用过度改变基板的温度也能够只对结晶区域赋予高能量。通常,作为用于激光退火的激光束,利用准分子激光(Excimerlaser)的脉冲激光。随着激光使用时间增加,脉冲的振荡效率降低而引起振荡能量的不均匀,可能会降低光束形状的均匀性。
技术实现思路
本公开的目的是提供一种可靠性提高的激光结晶装置。根据本公开的一实施例的激光结晶装置可包括光源部、第一光学部、第二光学部、阻断部、第三光学部以及工作台。所述光源部可射出第一激光束。所述第一光学部可改变所述第一激 ...
【技术保护点】
1.一种激光结晶装置,其中,包括:/n光源部:射出第一激光束;/n第一光学部,改变所述第一激光束的路径及大小而将所述第一激光束转换为第二激光束;/n第二光学部,将所述第二激光束分割而转换为分割激光束;/n阻断部,所述分割激光束包括中心激光束和包围所述中心激光束的外围激光束,所述阻断部阻断所述中心激光束中的至少一部分;/n第三光学部,改变所述分割激光束中通过所述阻断部的激光束的路径而将所述激光束转换为第三激光束;以及,/n工作台,与所述第三光学部相对布置,/n所述第一光学部基于照射在所述工作台上的所述第三激光束,改变所述第一激光束的所述路径及大小。/n
【技术特征摘要】
20190111 KR 10-2019-00038201.一种激光结晶装置,其中,包括:
光源部:射出第一激光束;
第一光学部,改变所述第一激光束的路径及大小而将所述第一激光束转换为第二激光束;
第二光学部,将所述第二激光束分割而转换为分割激光束;
阻断部,所述分割激光束包括中心激光束和包围所述中心激光束的外围激光束,所述阻断部阻断所述中心激光束中的至少一部分;
第三光学部,改变所述分割激光束中通过所述阻断部的激光束的路径而将所述激光束转换为第三激光束;以及,
工作台,与所述第三光学部相对布置,
所述第一光学部基于照射在所述工作台上的所述第三激光束,改变所述第一激光束的所述路径及大小。
2.根据权利要求1所述的激光结晶装置,其中,
所述阻断部包括:
基底部;
反转部,布置在所述基底部之上;以及,
光束阻断部,与所述反转部结合。
3.根据权利要求2所述的激光结晶装置,其中,
所述光束阻断部通过所述反转部能够布置为第一状态或第二状态,所述第一状态是所述光束阻断部阻断所述中心激光束中的一部分的状态,所述第二状态是所述光束阻断部不阻断所述中心激光束的状态。
4.根据权利要求3所述的激光结晶装置,其中,
所述外围激光束包括将所述中心激光束置于中间沿第一方向隔开的第一外围激光束和将所述中心激光束置于中间沿与所述第一方向交叉的第二方向隔开的第二外围激光束,
沿所述第一方向隔开的所述第一外围激光束之间的第一距离比沿所述第二方向隔开的所述第二外围激光束之间的第二距离大,
所述光束阻断部还阻断所述第一外围激光束。
5.根据权利要求2...
【专利技术属性】
技术研发人员:申东勋,金志桓,朴京镐,孙明石,李洪鲁,崔京植,
申请(专利权)人:三星显示有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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