【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】激光照射装置、投影遮罩及激光照射方法
本专利技术涉及一种薄膜晶体管的形成，特别涉及一种激光照射装置、投影遮罩及激光照射方法，用于对被覆膜在基板上的非晶硅薄膜照射激光，以形成多晶硅薄膜。
技术介绍
作为反交错结构的薄膜晶体管，存在有将非晶硅薄膜使用于通道区域者。然而，由于非晶硅薄膜的电子移动度小，因此当将该非晶硅薄膜使用于通道区域时，则具有薄膜晶体管中之电荷的移动度变小的困难。在此，存在有透过雷射光对瞬间加热非晶硅薄膜的指定区域使其多结晶化，以形成电子移动度高的多晶硅薄膜，并将该多晶硅薄膜使用于通道区域的技术。例如，在专利文献1中，揭露在通道区域中形成非晶硅薄膜，之后，透过对此非晶硅薄膜照射准分子激光等的激光，进行激光退火，并透过短时间的熔融凝固，进行使多晶硅薄膜结晶化的处理。在专利文献1中记载：透过进行该处理，可以使薄膜晶体管的源极与汲极间的通道区域成为电子移动度高的多晶硅薄膜，可以使电晶体动作高速化。先前技术文献专利文献专利文献1：日本专利公开公报第2016-100537号<...
【技术保护点】
1.一种激光照射装置，其特征在于，具备：/n产生激光的光源；/n投影透镜，其对薄膜晶体管上覆着了的非晶硅薄膜的指定的区域照射所述激光；及/n投影遮罩，其被配置在所述投影透镜上，且包含使所述激光穿透的多个的开口部，/n在所述多个的开口部的各开口部的周边部，形成能够降低所述激光的绕射的指定的图案。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180124 JP 2018-0100311.一种激光照射装置，其特征在于，具备：
产生激光的光源；
投影透镜，其对薄膜晶体管上覆着了的非晶硅薄膜的指定的区域照射所述激光；及
投影遮罩，其被配置在所述投影透镜上，且包含使所述激光穿透的多个的开口部，
在所述多个的开口部的各开口部的周边部，形成能够降低所述激光的绕射的指定的图案。
2.如权利要求1所述的激光照射装置，其特征在于，
所述指定的图案是指定的大小的弧线或多边形呈连续的图案。
3.如权利要求2所述的激光照射装置，其特征在于，
所述投影透镜是可分离所述激光的微透镜阵列之中所包含的多个的微透镜，
所述指定的大小为所述微透镜阵列的分辨率以下。
4.如权利要求1所述的激光照射装置，其特征在于，
所述投影透镜是可分离所述激光的微透镜阵列之中所包含的多个的微透镜，
所述指定的图案是正弦波形或矩形波形，
所述正弦波形或矩形波形的波长及振幅为所述微透镜阵列的分辨率以下。
5.如权利要求1所述的激光照射装置，其特征在于，
所述多个的开口部的各开口部大致呈长方形，且在所述长方形的长边或短边的至少一者的周边部形成所述指定的图案。
6.一种投影遮罩，是被配置在照射激光的投影透镜上的投影遮罩，其特征在于，所述投影遮罩包含：
多个的开口部，使来自...
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