半导体结构的形成方法及半导体结构技术

本发明专利技术提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，在衬底上形成第一多晶硅层和介电层以后，在沉积第二多晶硅层以前，对沉积设备的沉积室先后进行衬底低温进沉积室、抽真空、通还原性气体并升温的操作，去除在第一多晶硅层上形成的自然氧化层，避免后续形成的多晶硅栅极中出现氧化层或氮化硅层界面，进而改善了多晶硅栅极的电性，提高了器件的可靠性。且本发明专利技术在第二多晶硅层形成之前，通入还原性气体，由于可以还原Q‑time时生成的自然氧化层，因此可以延长第一多晶硅层到第二多晶硅层制程之间的Q‑time范围，使生产更易控制，避免产能浪费。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法及半导体结构
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种半导体结构的形成方法及半导体结构。
技术介绍
随着消费水平的提高，以及集成电路技术的不断进步，消费电子产业已经逐渐从家用电子市场过渡到移动电子市场。现在手机、手提电脑及数字音乐播放器等等都已经遍布大街小巷，嵌入式闪存(eFlash)存储器通过存储程序代码和用户数据，使这些得以实现。随着工艺水平不断提高，以及eFlash存储容量越来越大，导致eFlash存储器电路面积越来越大。在开发eFlash存储器产品时，通常需要采用双层多晶硅叠加的生长方式来形成多晶硅栅极，但这种生长方式有在多晶硅栅极中形成界面(interface)的风险，多晶硅栅极中界面的存在会增加多晶硅栅极的电阻值，阻挡后续离子注入时掺杂离子的扩散，影响到存储器的性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，避免在多晶硅栅极中形成界面，提高器件性能。为达到上述目的，本专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：>提供一衬底，所述衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述衬底上形成有第一多晶硅层，所述第一区域的所述第一多晶硅层上形成有介电层；/n控制一沉积设备的沉积室的温度为第一设定温度；/n在所述第一设定温度下，将所述衬底移入所述沉积设备的沉积室；/n对所述沉积设备的沉积室进行抽真空操作；/n向所述沉积设备的沉积室内通入还原性气体；/n控制所述沉积设备的沉积室的温度为第二设定温度；以及，/n在所述第一多晶硅层和所述介电层上形成第二多晶硅层。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述衬底上形成有第一多晶硅层，所述第一区域的所述第一多晶硅层上形成有介电层；
控制一沉积设备的沉积室的温度为第一设定温度；
在所述第一设定温度下，将所述衬底移入所述沉积设备的沉积室；
对所述沉积设备的沉积室进行抽真空操作；
向所述沉积设备的沉积室内通入还原性气体；
控制所述沉积设备的沉积室的温度为第二设定温度；以及，
在所述第一多晶硅层和所述介电层上形成第二多晶硅层。


2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一设定温度为250℃～400℃。


3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二设定温度为800℃～1000℃。


4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述还原性气体包括H2。


5.根据权利要求1所述的半导体结...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯永波，朱红波，王厚有，刘益东，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34