一种T型光刻图形的根部腔壁角度调整及T型栅制作方法技术

本发明专利技术涉及一种基于电子束负胶的T型光刻图形的根部腔壁角度调整方法及T型栅制作方法；其步骤包括：在制备器件所需的外延层表面旋涂负性电子束光刻胶，用电子束直写所需T型栅两侧区域并显影获得正梯形的栅脚结构，通过控制电子束直写计量调节栅脚图形根部腔壁的角度。然后，利用正性电子束光刻胶直写栅帽，或者通过传统光刻曝光光刻栅帽，形成T型形貌，再蒸发金属后剥离形成T型金属电极。本发明专利技术采用电子束负胶不仅能够获得正梯形的栅脚结构，显著提高栅的稳定性，同时由于该方法不需要直写栅终端的大面积区域，有效提高直写速度；该工艺在制作氮化镓基、铟磷基、砷化镓基等材料的高频器件工艺中具有重要意义。

【技术实现步骤摘要】
一种T型光刻图形的根部腔壁角度调整及T型栅制作方法
本专利技术是一种T型光刻图形的根部腔壁角度调整及T型栅制作方法，属于半导体制造

技术介绍
高电子迁移率晶体管（HEMT）作为化合半导体器件和单片电路的核心被广泛研究并被大量应用，在HEMT及其电路的制作中，为了提高器件高频特性获得优异的电路性能，需降低器件的寄生效应。T形栅即是砷化镓、氮化镓等化合物半导体材料制作亚微米栅长晶体管时，为了减少栅阻保证栅的机械强度而普遍采用的一种栅形状，它对于器件的性能特别是高频性能的影响是决定性的。此外，随着栅长尺寸的不断减小，T形栅的成品率不断下降，因此采用合理的T形栅制作工艺，在栅长不断减小的情况下，保证T形栅的一致性和高可靠性是非常重要和十分必要的。传统的T形制作栅工艺是采用电子束直写三层胶一次成型技术。例如采用聚异丁烯酸甲酯（PMMA）/聚甲基戌二（PMGI）/UV135三层不同类型的光刻胶，通过电子束直写并显影获得T形栅胶，然后蒸发金属并剥离获得T形栅结构。由于电子束直写获得的胶型是倒梯形结构，导致栅脚连续性差甚至出现断栅或者倒栅问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种T型光刻图形的根部腔壁角度调整及T型栅制作方法，其特征是包括以下步骤：/n（1）在制备器件所需的外延层的基底表面旋涂电子束负胶；/n（2）用电子束直写电子束负胶并显影形成图形；/n（3）在图形上涂第二层胶；/n（4）采用用电子束直写或传统光刻对第二层胶曝光并显影，形成T型光刻图形；/n（5）在T型光刻图形上采用电子束蒸发，沉积相应的栅金属并剥离，形成T型金属栅结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种T型光刻图形的根部腔壁角度调整及T型栅制作方法，其特征是包括以下步骤：
（1）在制备器件所需的外延层的基底表面旋涂电子束负胶；
（2）用电子束直写电子束负胶并显影形成图形；
（3）在图形上涂第二层胶；
（4）采用用电子束直写或传统光刻对第二层胶曝光并显影，形成T型光刻图形；
（5）在T型光刻图形上采用电子束蒸发，沉积相应的栅金属并剥离，形成T型金属栅结构。


2.根据权利要求1所述的一种T型光刻图形的根部腔壁角度调整及T型栅制作方法，其特征是所述步骤（1）中外延层基底为氮化镓基外延片、铟磷基外延片、砷化镓基外延片或金刚石外延片中的一种；所述外延片的衬底材料为硅、蓝宝石、碳化硅、氮化镓或氮化铝。


3.根据权利要求1所述的一种T型光刻图形的根部腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：张亦斌，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32