耐腐蚀性及绝缘特性优秀的阳极氧化铝或铝合金构件的制造方法及经表面处理的半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及在铝或铝合金构件表面形成耐腐蚀性及绝缘特性优秀的阳极氧化膜的方法及形成有以该方法制造的阳极氧化膜的铝或铝合金构件，更详细而言，涉及一种无阳极氧化涂层内部缺陷地形成高硬度的氧化膜且耐腐蚀性及绝缘特性优秀的阳极氧化膜的形成方法及涂覆有以该方法制造的阳极氧化膜的半导体或显示器制造装置用内构件。

Manufacturing methods of anodized aluminum or aluminum alloy components with excellent corrosion resistance and insulation properties and surface treated semiconductor devices

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】耐腐蚀性及绝缘特性优秀的阳极氧化铝或铝合金构件的制造方法及经表面处理的半导体装置
本专利技术涉及在铝或铝合金构件的表面形成耐腐蚀性及绝缘特性优秀的阳极氧化膜的方法及形成有以该方法制造的阳极氧化膜的铝或铝合金构件，更详细而言，涉及一种无阳极氧化涂层内部缺陷地形成高硬度的氧化膜且耐腐蚀性及绝缘特性优秀的阳极氧化膜的形成方法及涂覆有以该方法制造的阳极氧化膜的半导体及显示器制造装置用内构件。
技术介绍
在用于体现半导体元件或其他超微细形状的工序领域中，正在广泛使用真空等离子体装备。作为使用真空等离子体装备的示例，有以利用了等离子体的化学气相沉积法而在基板上形成沉积膜的PECVD(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，化学气相沉积)装备、以物理方法形成沉积膜的溅射装备及用于将基板或基板上的涂覆物质蚀刻成所需图案的干式蚀刻装备等，真空等离子体装备利用高温的等离子体，体现半导体元件的蚀刻或超微细形状。因此，在真空等离子体装备的内部，发生高温的等离子体，因而腔室及其内部部件被损伤，从腔室及其部件的表面发生特本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体或显示器制造装置的包含铝的构件的氧化膜形成方法，其中，包括：/na)步骤，混合硫酸、乙二酸及酒石酸而制造电解液的步骤；及/nb)步骤，利用所述a)步骤中制造的电解液，在铝或铝合金构件表面形成阳极氧化膜的步骤。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171211 KR 10-2017-01691261.一种半导体或显示器制造装置的包含铝的构件的氧化膜形成方法，其中，包括：
a)步骤，混合硫酸、乙二酸及酒石酸而制造电解液的步骤；及
b)步骤，利用所述a)步骤中制造的电解液，在铝或铝合金构件表面形成阳极氧化膜的步骤。


2.根据权利要求1所述的半导体或显示器制造装置的包含铝的构件的氧化膜形成方法，其特征在于，
在所述a)步骤中，所述硫酸、乙二酸及酒石酸的含量按重量比为9～11：2.5～3.5：0.3～0.7。


3.根据权利要求1所述的半导体或显示器制造装置的包含铝的构件的氧化膜形成方法，其特征在于，
所述电解液的浓度为1wt％至10wt％。


4.根据权利要求1所述的半导体或显示器制造装置的包含铝的构件的氧化膜形成方法，其特征在于，
在所述b)步骤中形成阳极氧化膜时，接入电流为0.8A/dm2至1.7A/...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘贤喆，郑彩钟，高贤哲，
申请(专利权)人：KOMICO有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR