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本发明提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，在衬底上形成第一多晶硅层和介电层以后，在沉积第二多晶硅层以前，对沉积设备的沉积室先后进行衬底低温进沉积室、抽真空、通还原性气体并升温的操作，去除在第一多晶硅层上形成的自然氧化层，避免后续形成的...
该专利属于合肥晶合集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路有限公司授权不得商用。

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