一种高精度Fan-out键合机制造技术

技术编号:24960183 阅读:58 留言:0更新日期:2020-07-18 03:08
本实用新型专利技术涉及芯片封装技术领域,本实用新型专利技术的技术方案为:一种高精度Fan‑out键合机,包括上机架底座,上机架底座上具有四个功能区域,最下层为晶圆物料传输区域,中层为芯片物料传输区域,上层为芯片键合区域,右侧为基板物料传输区域。采用本实用新型专利技术所述的键合机整机布局方案能够完美地适应FO和FC等先进封装工艺所涉及的各种工艺需求,同时能以较低成本实现高精度高产率的性能指标。结构紧凑,整机外形尺寸比同类设备小,节省了用户洁净房使用面积。在不降低产率的条件下,能够实现对完成键合的芯片做位置检测和周期性温度漂移补偿,为整机设备的稳定性与可靠性提供保障。

【技术实现步骤摘要】
一种高精度Fan-out键合机
本技术涉及芯片封装
,尤其涉及到一种高精度Fan-out键合机。
技术介绍
芯片键合机是一类将芯片从蓝膜上剥离拾取,经过传递,翻转,沾胶和检测等一系列运动过程,将芯片按照一定的精度要求贴合到载板上的设备。其中的各个模块之间的动作流程和配合方式,即整机的布局会直接影响到设备最终的产能,精度和物料传递的可靠性。近年来,先进封装工艺在芯片封装市场中发展迅速,相对于传统封装工艺的市场占比也逐年升高。作为实现先进封装工艺的核心技术:先进封装设备也因此有着广阔的市场前景。典型的先进封装工艺有Flip-Chip工艺和Fan-Out工艺。FC工艺发展至今,最先进的是C2工艺和TCB工艺。C2工艺的芯片背面球栅阵列间距为60微米,键合精度要求误差小于6微米,产率要求达到10+kUPH。TCB工艺要求在线完成焊接过程,芯片的引脚间距小于40微米,要求设备的贴合精度达到3微米,需求的键合力最高达到250N,产率通常要求1500UPH。FO工艺通过再布线层技术(ReDistributionLayer)实现了高密度的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高精度Fan-out键合机,包括上机架底座(10),其特征在于:上机架底座(10)上具有四个功能区域,最下层为晶圆物料传输区域,中层为芯片物料传输区域,上层为芯片键合区域,右侧为基板物料传输区域;/n所述晶圆物料传输区域包括用于将晶圆运输至晶圆载台(103)的晶圆载入出模组(104),所述晶圆载台(103)下设有顶针模组(105);/n所述芯片物料传输区域包括芯片拾取相机(108)、左右双头芯片拾取头(109)、左右双台芯片中继台(110)和左右双翻转头模块(111),芯片中继台(110)可在Z轴方向上进行移动,芯片拾取头(109)将芯片拾取并转移至翻转头模块(111)处,翻转头模块(...

【技术特征摘要】
1.一种高精度Fan-out键合机,包括上机架底座(10),其特征在于:上机架底座(10)上具有四个功能区域,最下层为晶圆物料传输区域,中层为芯片物料传输区域,上层为芯片键合区域,右侧为基板物料传输区域;
所述晶圆物料传输区域包括用于将晶圆运输至晶圆载台(103)的晶圆载入出模组(104),所述晶圆载台(103)下设有顶针模组(105);
所述芯片物料传输区域包括芯片拾取相机(108)、左右双头芯片拾取头(109)、左右双台芯片中继台(110)和左右双翻转头模块(111),芯片中继台(110)可在Z轴方向上进行移动,芯片拾取头(109)将芯片拾取并转移至翻转头模块(111)处,翻转头模块(111)可对芯片进行翻转并且转移至芯片中继台(110)上;
所述芯片键合区域包括左右双台键合运动台(112),所述键合运动台(112)处设有键合相机(113)和键合头(114),所述键合运动台(112)带动所述键合相机(113)和键合头(114)进行Y轴方向的运动,芯片的行径路径上自芯片中继台(110)之后还依次设有刮胶台(115)和键合上视相机(116),键合头(114)吸取位于芯片中继台(110)处的芯片经过刮胶台(115)进行粘胶,再经过键合上视相机(116)进行视觉定位,然后键合头(114)将芯片贴合至基板运动台(117)的晶圆基板上。


2.根据权利要求1所述的一种高精度Fan-out键合机,其特征在于:所述上机架底座(10)与下机架(101)刚性联结,所述下机架(101)的支撑脚处安装高阻尼可调平减振地脚(102)。


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【专利技术属性】
技术研发人员:王钰锞
申请(专利权)人:嘉兴景焱智能装备技术有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

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