【技术实现步骤摘要】
一种用于硅片处理的保温桶
本技术涉及硅片热处理领域，尤其是涉及一种用于硅片处理的保温桶。
技术介绍
硅片是现代超大规模集成电路的主要衬底材料，硅片热处理是硅器件衬底加工过程中一个重要的工序。硅片热处理时将反应气体导入立式炉内，通过如CVD工艺的方式将相关气体沉积在硅片上完成硅片热处理。硅片热处理过程中温度常常会超过1000℃，甚至达到1250℃，而热处理时硅片反应区域的温度必须稳定和均匀，不然将会影响反应效果，从而造成质量问题。目前，采用的是将装载半导体硅片的载体（硅舟）直接放置于石英保温桶上进行热处理，但是这种方式会造成硅片在载体上进行热处理时出现炉内上下反应温度不稳定以及底层硅片污染等影响硅片合格率的问题。中国专利申请公开号CN103871872A，公开日为2014年06月18日，名称为“一种硅片热处理恒温区的固定方法”，公开了一种硅片热处理恒温区的固定方法，预先测出退火炉内恒温区的位置，并在碳化硅舟桨上标识出与该位置对应的区域，然后将两个固定器分别固定在碳化硅舟桨上该区域的两端。但是该专利仅提供了一种恒温区定位...
【技术保护点】
1.一种用于硅片处理的保温桶，其特征是，包括桶盖本体，桶盖本体为镂空结构，桶盖本体包括侧壁和上盖，侧壁的底部设有底部通气槽，上盖上设有安装孔和顶部通气孔。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于硅片处理的保温桶，其特征是，包括桶盖本体，桶盖本体为镂空结构，桶盖本体包括侧壁和上盖，侧壁的底部设有底部通气槽，上盖上设有安装孔和顶部通气孔。
2.根据权利要求1所述的一种用于硅片处理的保温桶，其特征是，所述侧壁的中部设有中部通气孔。
3.根据权利要求2所述的一种用于硅片处理的保温桶，其特征是，所述桶盖本体为圆柱体桶状结构；中部通气孔数量为多个，多个中部通气孔沿侧壁均匀分布。
4.根据权利要求2所述的一种用于硅片处理的保温桶，其特征是，所述通气孔呈圆形，通气孔中心点高度位于侧壁高度的1/2位置。
5.根据权利要求1或2或3或4所述的一种用于硅片处理的保温桶，其特征是...
【专利技术属性】
技术研发人员：范明明，韩颖超，祝建敏，李长苏，
申请(专利权)人：杭州大和热磁电子有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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