向下游室传送自由基和前体气体以实现远程等离子体膜沉积的有改进的孔图案的集成喷头制造技术

一种用于衬底处理系统的喷头包括：下表面；面向等离子体的上表面；气体分配腔，其限定在所述下表面和所述上表面之间；以及多个注射器，其分布在所述下表面上，其中所述多个注射器与所述气体分配腔流体连通。多个通孔从所述上表面延伸到所述下表面。所述多个通孔中的选定通孔的直径与所述多个通孔中的其余通孔的直径不同。所述多个通孔中的所述选定通孔的直径根据经由所述多个通孔中的所述选定通孔和所述多个通孔中的所述其余通孔提供的各自的气体的期望比率来预定。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】向下游室传送自由基和前体气体以实现远程等离子体膜沉积的有改进的孔图案的集成喷头相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月7日提交的美国实用专利申请No.16/213,386的优先权，并且还要求于2017年12月8日提交的美国临时申请No.62/596,409的优先权。本公开与2016年12月14日提交的共同转让的美国专利申请序列No.15/378,854有关。以上引用的申请的全部公开内容通过引用并入本文。
本公开涉及衬底处理系统，更具体地涉及包括向下游室传送自由基和前体气体的喷头的衬底处理系统。
技术介绍
这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的描述的各方面中描述的范围内的当前指定的专利技术人的工作既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。衬底处理系统可用于在诸如半导体晶片之类的衬底上沉积膜。衬底处理系统通常包括处理室和衬底支撑件。在膜沉积期间，将自由基和前体气体供应到处理室。例如，处理室可包括上室、下室和衬底支撑件。喷头可以布置在上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于衬底处理系统的喷头，所述喷头包括：/n下表面；/n面向等离子体的上表面；/n气体分配腔，其限定在所述下表面和所述上表面之间；/n多个注射器，其分布在所述下表面上，其中所述多个注射器与所述气体分配腔流体连通；以及/n从所述上表面延伸到所述下表面的多个通孔，其中所述多个通孔中的选定通孔的直径与所述多个通孔中的其余通孔的直径不同，并且其中所述多个通孔中的所述选定通孔的直径根据经由所述多个通孔中的所述选定通孔和所述多个通孔中的所述其余通孔提供的各自的气体的期望比率来预定。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171208 US 62/596,4091.一种用于衬底处理系统的喷头，所述喷头包括：
下表面；
面向等离子体的上表面；
气体分配腔，其限定在所述下表面和所述上表面之间；
多个注射器，其分布在所述下表面上，其中所述多个注射器与所述气体分配腔流体连通；以及
从所述上表面延伸到所述下表面的多个通孔，其中所述多个通孔中的选定通孔的直径与所述多个通孔中的其余通孔的直径不同，并且其中所述多个通孔中的所述选定通孔的直径根据经由所述多个通孔中的所述选定通孔和所述多个通孔中的所述其余通孔提供的各自的气体的期望比率来预定。


2.根据权利要求1所述的喷头，其中，所述多个通孔中的所述选定通孔包括第一类型的通孔，所述第一类型的通孔的平均直径和所述多个通孔中的所述其余通孔的平均直径满足预定比率关系。


3.根据权利要求1所述的喷头，其中，所述多个通孔中的所述选定通孔包括至少第一类型的通孔和第二类型的通孔，所述第一类型的通孔和所述多个通孔中的所述其余通孔的平均直径满足第一预定比率关系，而所述第二类型的通孔和所述多个通孔中的所述其余通孔的平均直径满足第二预定比率关系。


4.根据权利要求1所述的喷头，其中，所述多个通孔中的所述选定通孔的所述直径根据与所述喷头相关的沉积不均匀性而预定。


5.根据权利要求1所述的喷头，其中，在所述喷头的所述下表面上，所述通孔以多组布置，每组包括所述通孔中的围绕所述多个注射器中的相应一个分布的两个或更多个。


6.根据权利要求1所述的喷头，其中，在所述喷头的所述下表面上，所述通孔以多组布置，每组包括所述通孔中的围绕所述多个注射器中的相应一个分布的...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷切尔·巴策尔，桂喆，加尔博卡·赫瓦格·拉扬·萨维特拉，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国;US