一种反应腔室、反应腔室的控制方法及半导体加工设备技术

本发明专利技术涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种反应腔室、反应腔室的控制方法及半导体加工设备，该反应腔室包括：出气口；第一吸附过滤单元，设置于出气口处，用于对工艺过程中产生的副产物进行吸附；第一吸附过滤单元包括两个子过滤单元以及分别连接两个子过滤单元的马达，两个子过滤单元拼接处形成一个以上的排气口；马达用于驱动所述两个子过滤单元进行移动，以调整一个以上的排气口大小，一个以上的排气口大小的变化规则由工艺类型所确定，进而通过调整两个子过滤单元之间的距离，以实现对排气口大小的调整，进而针对不同工艺类型中副产物量的不同来适应性调整该排气口大小，以提高反应腔室内对副产物的过滤效果，并兼顾抽气效率。

【技术实现步骤摘要】
一种反应腔室、反应腔室的控制方法及半导体加工设备
本专利技术涉及半导体加工
，尤其涉及一种反应腔室、反应腔室的控制方法及半导体加工设备。
技术介绍
半导体加工工艺过程中，有些是常压工艺，还有些工艺需要在真空腔室内进行，比如，等离子刻蚀工艺，或者物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)中的磁控溅射工艺等。通过提供真空环境，以确保工艺的稳定进行。在反应腔室内进行这些半导体工艺时，会产生副产物(By-product)，由于该反应腔室底端连接真空泵，以对反应腔内的气体进行抽取，形成真空环境，如果不对这些副产物进行有效过滤，气体中的副产物会对泵造成损伤，影响泵的寿命，同时也会诱导反应腔室内沉积副产物。虽然，现有也会采用过滤装置，但是，现有的过滤装置过滤副产物的效果并不佳。因此，如何提高反应腔室内的对副产物的过滤效果是目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
鉴于上述问题，提出了本专利技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种反应腔室、反应腔室的控制方法及半导体加工设备。第一方面，本专利技术实施例提供一种反应腔室，包括：出气口；第一吸附过滤单元，设置于所述出气口处，用于对工艺过程中产生的副产物进行吸附；所述第一吸附过滤单元包括两个子过滤单元以及分别连接所述两个子过滤单元的马达，所述两个子过滤单元拼接处形成一个以上的排气口；所述马达用于驱动所述两个子过滤单元进行移动，以调整所述一个以上的排气口大小，所述一个以上的排气口大小的变化规则由工艺类型所确定。进一步地，所述两个子过滤单元，均包括：网格板，所述网格板包括：位于所述网格板边缘的一个以上的缺口；冷却水管道，弯曲排布于所述网格板上除所述一个以上的缺口之外的其它区域；所述两个子过滤单元的所述一个以上的缺口相对拼接形成所述一个以上的排气口。进一步地，所述冷却水管道，包括：冷却水注入口和冷却水排放口，用于替换新的冷却水。进一步地，在所述两个子过滤单元拼接处形成所述一个以上的排气口时，所述排气口的形状具体为如下任意一种：圆形、方形和菱形。进一步地，还包括：静电卡盘，位于所述反应腔室内部，用于支撑晶圆，所述出气口连接抽气单元，所述第一吸附过滤单元位于静电卡盘与抽气单元之间。第二方面，本专利技术实施例还提供一种反应腔室的控制方法，应用于上述任一所述的反应腔室，包括：基于工艺类型，确定所述反应腔室的子过滤单元之间形成的一个以上的排气口大小的变化规则；基于所述变化规则，控制调整所述子过滤单元之间的距离。进一步地，所述基于工艺类型，确定所述反应腔室的子过滤单元之间形成的一个以上的排气口大小的变化规则，包括：基于工艺类型，确定所述一个以上的排气口大小与所述反应腔室内产生的副产物的量的变化之间的第一关系；基于所述第一关系，确定所述一个以上的排气口大小的变化规则。进一步地，所述基于工艺类型，确定所述反应腔室的子过滤单元之间形成的一个以上的排气口大小的变化规则，包括：基于工艺类型，确定所述工艺类型对应的工艺进程时间与所述反应腔室内产生的副产物的量之间的第二关系，以及所述一个以上的排气口大小与所述副产物的量的变化之间的第三关系；基于所述第二关系和所述第三关系，确定所述一个以上的排气口大小的变化规则。第三方面，本专利技术实施例还提供一种半导体加工设备，包括：抽气单元、清洁单元以及上述任一所述的反应腔室；所述反应腔室的出气口通过第一管道与所述抽气单元连接；所述抽气单元与所述清洁单元通过第二管道连接。进一步地，所述第二管道上设置有第二吸附过滤单元。本专利技术实施例中的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：本专利技术提供了一种反应腔室，包括：出气口；第一吸附过滤单元，设置于出气口处，用于对工艺过程中产生的副产物进行吸附；第一吸附过滤单元包括两个子过滤单元以及分别连接两个子过滤单元的马达，两个子过滤单元拼接处形成一个以上的排气口；马达用于驱动两个子过滤单元进行移动，以调整一个以上的排气口大小，该一个以上的排气口大小的变化规则由工艺类型所确定，进而通过调整两个子过滤单元之间的距离，以实现对排气口大小的调整，进而针对不同工艺类型来适应性调整该一个以上的排气口大小，以提高反应腔室内对副产物的过滤效果，并兼顾了抽气效率。附图说明通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考图形表示相同的部件。在附图中：图1示出了本专利技术实施例一中反应腔室的结构示意图；图2a示出了本专利技术实施例一中两个子过滤单元的相对位置关系的结构示意图；图2b示出了本专利技术实施例一中子过滤单元的结构示意图；图3a-图3c示出了本专利技术实施例一中排气口逐渐增大的示意图；图4示出了本专利技术实施例二中反应腔室的控制方法的流程示意图。图5示出了本专利技术实施例三中半导体加工设备的结构示意图。具体实施方式下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。实施例一本专利技术实施例一提供了一种反应腔室，应用于半导体加工工艺过程中，该反应腔室具体可以是等离子刻蚀工艺的反应腔室，也可以是磁控溅射沉积的反应腔室，在本专利技术实施例中就不再一一列举了。参照图1、图2a，该反应腔室包括：出气口101；第一吸附过滤单元102，设置于该出气口101处，用于对工艺过程中产生的副产物进行吸附，以降低副产物的排出量。其中，该第一吸附过滤单元102包括两个子过滤单元1021和1022，以及分别连接这两个子过滤单元1021和1022的马达1023，这两个子过滤单元1021和1022拼接处形成一个以上的排气口1024。马达1023用于驱动这两个子过滤单本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反应腔室，其特征在于，包括：/n出气口；/n第一吸附过滤单元，设置于所述出气口处，用于对工艺过程中产生的副产物进行吸附；/n所述第一吸附过滤单元包括两个子过滤单元以及分别连接所述两个子过滤单元的马达，所述两个子过滤单元拼接处形成一个以上的排气口；/n所述马达用于驱动所述两个子过滤单元进行移动，以调整所述一个以上的排气口大小，所述一个以上的排气口大小的变化规则由工艺类型所确定。/n

【技术特征摘要】
1.一种反应腔室，其特征在于，包括：
出气口；
第一吸附过滤单元，设置于所述出气口处，用于对工艺过程中产生的副产物进行吸附；
所述第一吸附过滤单元包括两个子过滤单元以及分别连接所述两个子过滤单元的马达，所述两个子过滤单元拼接处形成一个以上的排气口；
所述马达用于驱动所述两个子过滤单元进行移动，以调整所述一个以上的排气口大小，所述一个以上的排气口大小的变化规则由工艺类型所确定。


2.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述两个子过滤单元，均包括：
网格板，所述网格板包括：位于所述网格板边缘的一个以上的缺口；
冷却水管道，弯曲排布于所述网格板上除所述一个以上的缺口之外的其它区域；
所述两个子过滤单元的所述一个以上的缺口相对拼接形成所述一个以上的排气口。


3.如权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述冷却水管道，包括：
冷却水注入口和冷却水排放口，用于替换新的冷却水。


4.如权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，在所述两个子过滤单元拼接处形成所述一个以上的排气口时，所述排气口的形状具体为如下任意一种：
圆形、方形和菱形。


5.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，还包括：
静电卡盘，位于所述反应腔室内部，用于支撑晶圆，所述出气口连接抽气单元，所述第一吸附过滤单元位于所述静电卡盘与所述抽气单元之间。


6.一种反应腔室的控...

【专利技术属性】
技术研发人员：金根浩，周娜，李琳，李俊杰，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11