一种反应腔室、反应腔室的控制方法及半导体加工设备技术

本发明专利技术涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种反应腔室、反应腔室的控制方法及半导体加工设备，该反应腔室包括：出气口；第一吸附过滤单元，设置于出气口处，用于对工艺过程中产生的副产物进行吸附；第一吸附过滤单元包括两个子过滤单元以及分别连接两个子过滤单元的马达，两个子过滤单元拼接处形成一个以上的排气口；马达用于驱动所述两个子过滤单元进行移动，以调整一个以上的排气口大小，一个以上的排气口大小的变化规则由工艺类型所确定，进而通过调整两个子过滤单元之间的距离，以实现对排气口大小的调整，进而针对不同工艺类型中副产物量的不同来适应性调整该排气口大小，以提高反应腔室内对副产物的过滤效果，并兼顾抽气效率。

【技术实现步骤摘要】
一种反应腔室、反应腔室的控制方法及半导体加工设备
本专利技术涉及半导体加工
，尤其涉及一种反应腔室、反应腔室的控制方法及半导体加工设备。
技术介绍
半导体加工工艺过程中，有些是常压工艺，还有些工艺需要在真空腔室内进行，比如，等离子刻蚀工艺，或者物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)中的磁控溅射工艺等。通过提供真空环境，以确保工艺的稳定进行。在反应腔室内进行这些半导体工艺时，会产生副产物(By-product)，由于该反应腔室底端连接真空泵，以对反应腔内的气体进行抽取，形成真空环境，如果不对这些副产物进行有效过滤，气体中的副产物会对泵造成损伤，影响泵的寿命，同时也会诱导反应腔室内沉积副产物。虽然，现有也会采用过滤装置，但是，现有的过滤装置过滤副产物的效果并不佳。因此，如何提高反应腔室内的对副产物的过滤效果是目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
鉴于上述问题，提出了本专利技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种反应腔室、反应腔室的控制方法及半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反应腔室，其特征在于，包括：/n出气口；/n第一吸附过滤单元，设置于所述出气口处，用于对工艺过程中产生的副产物进行吸附；/n所述第一吸附过滤单元包括两个子过滤单元以及分别连接所述两个子过滤单元的马达，所述两个子过滤单元拼接处形成一个以上的排气口；/n所述马达用于驱动所述两个子过滤单元进行移动，以调整所述一个以上的排气口大小，所述一个以上的排气口大小的变化规则由工艺类型所确定。/n

【技术特征摘要】
1.一种反应腔室，其特征在于，包括：
出气口；
第一吸附过滤单元，设置于所述出气口处，用于对工艺过程中产生的副产物进行吸附；
所述第一吸附过滤单元包括两个子过滤单元以及分别连接所述两个子过滤单元的马达，所述两个子过滤单元拼接处形成一个以上的排气口；
所述马达用于驱动所述两个子过滤单元进行移动，以调整所述一个以上的排气口大小，所述一个以上的排气口大小的变化规则由工艺类型所确定。


2.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述两个子过滤单元，均包括：
网格板，所述网格板包括：位于所述网格板边缘的一个以上的缺口；
冷却水管道，弯曲排布于所述网格板上除所述一个以上的缺口之外的其它区域；
所述两个子过滤单元的所述一个以上的缺口相对拼接形成所述一个以上的排气口。


3.如权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述冷却水管道，包括：
冷却水注入口和冷却水排放口，用于替换新的冷却水。


4.如权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，在所述两个子过滤单元拼接处形成所述一个以上的排气口时，所述排气口的形状具体为如下任意一种：
圆形、方形和菱形。


5.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，还包括：
静电卡盘，位于所述反应腔室内部，用于支撑晶圆，所述出气口连接抽气单元，所述第一吸附过滤单元位于所述静电卡盘与所述抽气单元之间。


6.一种反应腔室的控...

【专利技术属性】
技术研发人员：金根浩，周娜，李琳，李俊杰，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11