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本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种反应腔室、反应腔室的控制方法及半导体加工设备，该反应腔室包括：出气口；第一吸附过滤单元，设置于出气口处，用于对工艺过程中产生的副产物进行吸附；第一吸附过滤单元包括两个子过滤单元以及分别连接两个子过滤...该专利属于中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司授权不得商用。