【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于以高选择性去除二氧化硅的干式清洁设备和方法
本专利技术涉及一种用于以高选择性去除二氧化硅的干式清洁设备和方法。更具体地，本专利技术涉及用于抑制氮化硅的蚀刻并且仅以高选择性蚀刻二氧化硅的干式清洁设备和方法。
技术介绍
根据半导体设备的电路的高集成度和高精细度，需要用于在诸如多晶硅，二氧化硅或氮化硅的异质图案之间显示出高选择性的硅材料的蚀刻和清洁技术。尽管湿式蚀刻技术具有优异的颗粒去除能力，但是存在由于高纵横比图案上的表面张力而导致的清洁能力降低以及难以在原子水平上控制精细蚀刻的选择性的问题。另外，干式蚀刻技术具有的问题在于，需要额外的后续工艺以去除由于离子轰击而在晶片上蚀刻后形成的受损层。近来，作为解决上述问题的替代技术，广泛使用了通过气体反应或自由基反应形成六氟硅酸铵((NH4)2SiF6)固体层并通过加热去除由此形成的固体层的干式清洁技术，而该技术具有根据反应条件选择性地去除异质图案而不会损坏基板的优点。然而，二氧化硅(SiO2)通过与氟和氢的气体或自由基反应产生(NH4)2SiF6，并且通过加...
【技术保护点】
1.一种用于以高选择性去除二氧化硅的干式清洁设备，包括：/n卡盘，其被包括在腔室中，并且在该卡盘上设置基板，在所述基板上形成有二氧化硅和氮化硅。/n卡盘加热器，其用于加热所述卡盘；/nRF电极，向所述RF电极提供用于产生等离子体的RF电源，并且所述RF电极包括第一供应孔，该第一供应孔提供用于供应含氟气体的路径；和/n喷头，其与所述RF电极间隔开，从而在所述喷头和所述RF电极之间形成等离子产生区域的同时连接到用于所述RF电源的接地单元，并且所述喷头包括第二供应孔和第三供应孔，所述第二供应孔提供用于将经过等离子体处理的含氟气体供应到所述基板的路径，所述第三供应孔提供用于将含氢气...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171130 KR 10-2017-01631241.一种用于以高选择性去除二氧化硅的干式清洁设备，包括：
卡盘，其被包括在腔室中，并且在该卡盘上设置基板，在所述基板上形成有二氧化硅和氮化硅。
卡盘加热器，其用于加热所述卡盘；
RF电极，向所述RF电极提供用于产生等离子体的RF电源，并且所述RF电极包括第一供应孔，该第一供应孔提供用于供应含氟气体的路径；和
喷头，其与所述RF电极间隔开，从而在所述喷头和所述RF电极之间形成等离子产生区域的同时连接到用于所述RF电源的接地单元，并且所述喷头包括第二供应孔和第三供应孔，所述第二供应孔提供用于将经过等离子体处理的含氟气体供应到所述基板的路径，所述第三供应孔提供用于将含氢气体供应到所述基板的路径并且与所述第二供应孔物理分离，
其中，在反应步骤中，根据预定的时间周期提供所述RF电源、所述含氟气体和所述含氢气体中的至少一种的开和关，从而将所述二氧化硅的至少一部分转变成六氟硅酸铵((NH4)2SiF6)的同时抑制所述氮化硅向所述六氟硅酸铵的转变，并且在所述反应步骤之后进行的退火步骤中，通过经由退火去除所述六氟硅酸铵来选择性地去除所述二氧化硅。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，在所述反应步骤中，
根据所述时间周期来提供所述RF电源的开和关，并且连续提供所述含氟气体和所述含氢气体。
3.根据权利要求1的设备，其中，在所述反应步骤中，
根据所述时间周期来提供所述含氟气体的开和关，并且连续提供所述RF电源和所述含氢气体。
4.根据权利要求1的设备，其中在所述反应步骤中，
根据所述时间周期来提供所述含氟气体和所述含氢气体的开和关，并连续提供所述RF电源。
5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述RF电源、所述含氟气体或所述含氢气体的提供时间为1至5秒，并且
所述RF电源、所述含氟气体或所述含氢气体的非提供时间为3至60秒。
6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述反应步骤和所述退火步骤被重复地执行。
7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述反应步骤和所述退火步骤通过原位清洁方法而在相同腔室中连续进行。
8.根据权利要求7所述的设备，其中，通过在所述反应步骤中利用氟自由基和氢的反应来产生所述六氟硅酸铵的同时将所述卡盘的温度保持在80至120℃，并且通过在所述退火步骤中仅供应惰性气体的同时阻断等离子体以通过蒸发去除所述六氟硅酸铵，从而实施原位清洁。
9.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：金仁俊，李佶洸，
申请(专利权)人：无尽电子有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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