基板清洁装置制造方法及图纸

提供一种基板清洁装置。基板清洁装置包括旋转卡盘；基板支撑件，联接到旋转卡盘并支撑基板；主轴，被配置为使旋转卡盘旋转；上部喷嘴，设置在基板的上方并且具有被形成为面向基板的上表面的向下出口，该基板通过主轴而与旋转卡盘一起旋转；下部喷嘴主体，安装在形成在旋转卡盘和主轴中的空腔中；第一下部喷嘴，形成在下部喷嘴主体的中央区域中并且具有被形成为面向基板的下表面的第一向上出口；第二下部喷嘴，以与第一下部喷嘴间隔开的方式形成在下部喷嘴主体中，并具有被形成为面向基板的下表面的第二向上出口；第三下部喷嘴，以与第一下部喷嘴和第二下部喷嘴间隔开的方式形成在下部喷嘴主体中，并具有被形成为与旋转卡盘的上表面平行的横向出口。上表面平行的横向出口。上表面平行的横向出口。

【技术实现步骤摘要】
基板清洁装置


[0001]本专利技术涉及一种基板清洁装置，更具体地，涉及一种能够通过去除污染物粉末来提高清洁工艺质量的基板清洁装置，该污染物粉末通过在进行构成半导体清洁工艺的SPM清洁之后残留的酸性硫酸过氧化氢混合物(SPM)清洁液与为SC
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1清洁而提供的碱性标准清洁
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1(SC
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1)清洁液之间的酸碱反应来产生并且残留在旋转卡盘等的上表面上。

技术介绍

[0002]在半导体工艺期间在基板的表面上产生的污染物包括颗粒、有机材料、金属污染物、天然氧化物膜等。为了去除这些各种污染物，已知一种通过混合被提供用于有效地去除各种污染物的各种清洁溶液来处理基板的湿法清洁技术。
[0003]在常规的湿法清洁技术中，存在的问题在于，由于根据要去除的污染物的特性使用具有酸性和碱性的各种清洁溶液来处理基板，因此反应物通过清洁液之间的化学反应来产生，并以粉末形式残留在旋转卡盘等的上表面上，从而污染基板和基板的内部部件。
[0004]下面将参照图1至图4描述现有技术的这种问题。
[0005]图1是示出根据现有技术进行的硫酸过氧化氢混合物(SPM)清洁工艺的图。
[0006]参照图1，通过上部喷嘴40将酸性SPM清洁液喷射到基板W的上表面上，从而进行SPM清洁。例如，SPM清洁液可以是具有酸性的H2SO4:H2O2:H2O。
[0007]图2是示出根据现有技术进行的标准清洁
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1(SC
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1)清洁工艺的图。/>[0008]参照图2，通过上部喷嘴40将碱性SC
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1清洁液供应到基板W的上表面上，并且同时，通过第一下部喷嘴60将碱性SC
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1清洁液供应到基板W的下表面上，从而进行SC
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1清洁。例如，SC
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1清洁液可以是具有碱性的NH4OH:H2O2:H2O。
[0009]如图2所示，在进行SC
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1清洁之后，通过在进行SPM清洁之后残留的酸性SPM清洁液与为SC
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1清洁而提供的碱性SC
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1清洁液之间的酸碱反应生成的反应产物可以以污染物粉末的形式残留在旋转卡盘10等的上表面上。残留在旋转卡盘10等的上表面上的污染物粉末在随后的工艺中用作污染基板W的表面的元素，因此应被去除。
[0010]根据现有技术，存在的问题在于，由于没有去除污染物粉末的工艺，因此即使在进行下述的冲洗工艺和干燥工艺之后，污染物粉末仍然残留，因此，半导体工艺的质量下降。
[0011]图3是示出根据现有技术进行的冲洗工艺的图。
[0012]参照图3，通过上部喷嘴40将冲洗液供应到基板W的上表面上，同时，通过第一下部喷嘴60将冲洗液供应到基板W的下表面上，从而进行冲洗工艺。
[0013]图4是示出根据现有技术进行的干燥工艺的图。
[0014]参照图4，通过上部喷嘴40和第二下部喷嘴70供应干燥液，从而进行干燥基板W的工艺。
[0015]如图3和图4所示，即使在进行冲洗工艺和干燥工艺之后，污染物粉末也不会被去除并残留，并且在随后的工艺中将污染物粉末引入到基板W上，并作为降低整体工艺质量的因素。

技术实现思路

[0016]技术问题
[0017]本专利技术旨在提供一种通过去除污染物粉末来提高清洁工艺质量的技术，该污染物粉末通过在进行构成半导体清洗工艺的SPM清洁之后残留的酸性硫酸过氧化氢混合物(SPM)清洁液与为SC
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1清洁而提供的碱性标准清洁
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1(SC
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1)清洁液之间的酸碱反应来产生并且残留在旋转卡盘等的上表面上。
[0018]技术方案
[0019]根据本专利技术的一个方面，提供了一种基板清洁装置，其包括旋转卡盘；基板支撑件，其联接至旋转卡盘并支撑基板；主轴，其联接至旋转卡盘并使旋转卡盘旋转；上部喷嘴，其设置在基板的上方并且具有被形成为面向基板的上表面的向下出口，该基板通过主轴而与旋转卡盘一起旋转；下部喷嘴主体，其安装在形成在旋转卡盘和主轴中的空腔中；第一下部喷嘴，其形成在下部喷嘴主体的中央区域中，并且具有被形成为面向基板的下表面的第一向上出口；第二下部喷嘴，其以与第一下部喷嘴间隔开的方式形成在下部喷嘴主体中，并且具有被形成为面向基板的下表面的第二向上出口；第三下部喷嘴，其以与第一下部喷嘴和第二下部喷嘴间隔开的方式形成在下部喷嘴主体中，并且具有被形成为与旋转卡盘的上表面平行的横向出口。
[0020]可以通过形成在上部喷嘴中的向下出口将酸性硫酸过氧化氢混合物(SPM)清洁液供应到基板的上表面上，从而进行SPM清洁。可以通过形成在上部喷嘴中的向下出口将碱性标准清洁
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1(SC
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1)清洁液供应到基板的上表面上，并且可以通过形成在第一下部喷嘴中的第一向上出口将碱性SC
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1清洁液供应到基板的下表面上，从而进行SC
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1清洁。可以通过形成在上部喷嘴中的向下出口将冲洗液供应到基板的上表面上，可以通过形成在第一下部喷嘴中的第一向上出口将冲洗液供应到基片的下表面上，并且可以通过形成在第三下部喷嘴中的横向出口沿与旋转卡盘的上表面平行的方向供应冲洗液。可以去除在进行SC
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1清洁之后残留在基板和旋转卡盘上表面上的污染物粉末。
[0021]冲洗液可包括去离子水(DIW)。
[0022]污染物粉末可以是通过在进行SPM清洁之后残留的酸性SPM清洁液与用于SC
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1清洁的碱性SC
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1清洁液之间的酸碱反应而生成的反应产物。
[0023]在通过经由形成在第三下部喷嘴中的横向出口供应冲洗液来去除残留在旋转卡盘上表面的污染物粉末之后，可以通过经由形成在上部喷嘴中的向下出口以及形成在第二下部喷嘴中的第二向上出口供应干燥液来对基板进行干燥。
[0024]干燥液可以包括氮气或惰性气体。
[0025]有益效果
[0026]根据本专利技术，可以有效地去除污染物粉末，该污染物粉末通过在进行构成半导体清洗工艺的SPM清洁之后残留的酸性硫酸过氧化氢混合物(SPM)清洁液与为SC
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1清洁而提供的碱性标准清洁
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1(SC
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1)清洁液之间的酸碱反应来产生并且残留在旋转卡盘等的上表面上，因此可以提高清洁工艺的质量。
附图说明
[0027]图1是示出根据现有技术进行的硫酸过氧化氢混合物(SPM)清洁工艺的图。
[0028]图2是示出根据现有技术进行的标准清洁
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1(SC
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1)清洁工艺的图。
[0029]图3是示出根据现有技术进行的冲洗工艺的图。
[0030]图4是示出根据现有技术进行的干燥工艺的图。
[0031]图5是示出根据本专利技术实施方式的基板清洁装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板清洁装置，其包括：旋转卡盘；基板支撑件，其联接至所述旋转卡盘并支撑基板；主轴，其联接至所述旋转卡盘并使所述旋转卡盘旋转；上部喷嘴，其设置在所述基板的上方并且具有被形成为面向所述基板的上表面的向下出口，所述基板通过所述主轴而与所述旋转卡盘一起旋转；下部喷嘴主体，其安装在形成在所述旋转卡盘和所述主轴中的空腔中；第一下部喷嘴，其形成在所述下部喷嘴主体的中央区域中，并且具有被形成为面对所述基板的下表面的第一向上出口；第二下部喷嘴，其以与所述第一下部喷嘴间隔开的方式形成在所述下部喷嘴主体中，并且具有被形成为面向所述基板的所述下表面的第二向上出口；以及第三下部喷嘴，其以与所述第一下部喷嘴和所述第二下部喷嘴间隔开的方式形成在所述下部喷嘴主体中，并且具有被形成为与所述旋转卡盘的上表面平行的横向出口。2.根据权利要求1所述的基板清洁装置，其中：通过形成在所述上部喷嘴中的所述向下出口将酸性硫酸过氧化氢混合物(SPM)清洁液供应到所述基板的所述上表面上，从而进行SPM清洁；通过形成在所述上部喷嘴中的所述向下出口将碱性标准清洁
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1(SC
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1)清洁液供应到所述基板的所述上表面上，并通过形成在所述第一下部喷嘴中的所述第一向上出口将所述碱性SC
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1清洁液供应到所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：裵哲敏，
申请(专利权)人：无尽电子有限公司，
类型：发明
国别省市：