【技术实现步骤摘要】
一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法
本专利技术涉及电子加工的
，更具体地，涉及一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法。
技术介绍
随着微电子封装技术的发展，芯片尺寸越来越小，晶体管数量越来越高，衍生出了大板级扇出型封装技术。大板级扇出型封装技术(Fan-OutPanelLevelPackaging)是将芯片先用塑封材料进行封装，再通过金属再分布线层(RDL)等金属连接方式实现芯片I/O口的延伸。随着载板面积逐渐增大以及封装体厚度变薄，之前未知或影响不大的力影响到封装芯片的良率，这些力包括在塑封时注塑材料挤压芯片各表面的压力和注塑材料在固化时产生的收缩力，这些力分别会导致芯片的漂移和翘曲。而芯片的漂移会影响到芯片的电气性能，因为芯片发生漂移后其I/O也随之移位，再于原位置制作重布线层就会失效；芯片的翘曲会导致重布线层(RDL)结合强度下降、断裂等问题，对电荷载子迁移率产生不利影响。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，采用倒装式的注塑方式，或采用多材料...
【技术保护点】
1.一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS10.在第一刚性载板(1)制作第一凹槽(2)，将待封装芯片按照所需间隔和位置安装于覆盖有临时键合层(4)的第二刚性载板(3)上；/nS20.将注塑材料平铺于第一刚性载板(1)的第一凹槽(2)中，并升温至注塑材料的玻璃转变温度以上以融化注塑材料，在所述第一凹槽(2)内形成水平液面；/nS30.将安装有待封装芯片的第二刚性载板(3)以待封装芯片朝下的方式向第一刚性载板(1)移动使待封装芯片插入至熔融态注塑材料中，第二刚性载板(3)盖合于第一刚性载板(1)上方；/nS40.保持第一刚性载板(1)和第二刚性载板(...
【技术特征摘要】
1.一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
S10.在第一刚性载板(1)制作第一凹槽(2)，将待封装芯片按照所需间隔和位置安装于覆盖有临时键合层(4)的第二刚性载板(3)上；
S20.将注塑材料平铺于第一刚性载板(1)的第一凹槽(2)中，并升温至注塑材料的玻璃转变温度以上以融化注塑材料，在所述第一凹槽(2)内形成水平液面；
S30.将安装有待封装芯片的第二刚性载板(3)以待封装芯片朝下的方式向第一刚性载板(1)移动使待封装芯片插入至熔融态注塑材料中，第二刚性载板(3)盖合于第一刚性载板(1)上方；
S40.保持第一刚性载板(1)和第二刚性载板(3)之间的压力并进行可控温度场式升温，使注塑材料逐层固化；
S50.待注塑材料完全固化后，拆除第一刚性载板(1)、第二刚性载板(3)及临时键合层(4)，即得到塑封好的封装体。
2.根据权利要求1所述的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，步骤S10中，所述第一刚性载板(1)的底部设有若干均匀分布的突起；所述第一刚性载板(1)的底部可为平面、弧形凹面、弧形凸面或台阶状平面。
3.根据权利要求2所述的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，一部分所述突起设于待封装芯片的间隔处，一部分所述突起设于待封装芯片下方，一部分所述突起设于待封装芯片的电路连接点或凸点位置。
4.根据权利要求1所述的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，步骤S40中，所述可控温度场式升温用于实现塑封材料在非均匀温度分布下的逐次固化，所述非均匀温度分布包括：中心高温两侧低温、中间低温两侧高温、一侧高温另一侧低温、上部载板高温下部载板低温、下部载板高温上部载板低温、基于芯片分布的非均匀温度场分布。
5.根据权利要求1所述的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，步骤S40中，可控温度场式升温的实现方法为：在第一刚性载板(1)和/或第二刚性载板(3)设置电热装置，通过控制第一刚性载板(1)和/或第二刚性载板(3)不同部位的热量输入调控温度场的分布。
6.根据权利要求5所述的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，所述电热装置为电阻丝、硅碳棒中的一种或两种的组合。
7.根据权利要求1所述的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，步骤S40中，可控温度场式升温的实现方法为：在第一刚性载板(1)和/或第二刚性载板(3)的旁侧放置热辐射源(6)，在所述热辐射源(6)背面放置反光镜(7)，通过控制第一刚性载板(1)和/或第二刚性载板(3)不同部位的热量输入调控温度场的分布。
8.根据权利要求7所述的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，所述热辐射源为热灯、硅碳棒中的一种或两种...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨冠南，罗绍根，崔成强，张昱，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东;44
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