半导体密封成形用临时保护膜、带有临时保护膜的引线框、带有临时保护膜的密封成形体及制造半导体装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体密封成形用临时保护膜，其具备支撑膜和设置在支撑膜的单面或两面上的粘接层。半导体密封成形用临时保护膜的30℃～200℃下的线膨胀系数在半导体密封成形用临时保护膜的至少1个面内方向上可以为16ppm/℃以上且20ppm/℃以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体密封成形用临时保护膜、带有临时保护膜的引线框、带有临时保护膜的密封成形体及制造半导体装置的方法
本专利技术涉及半导体密封成形用临时保护膜、带有临时保护膜的引线框、带有临时保护膜的密封成形体及制造半导体装置的方法。
技术介绍
一直以来使用如下结构的半导体封装体：利用银糊料等粘接剂将半导体元件粘接在芯片焊盘上，利用导线将其与引线框接合之后，残留外部连接用的外部引线而将整体密封。但是，随着近年的半导体封装体的高密度化、小面积化、薄型化等要求的提高，提出了各种结构的半导体封装体。作为这种半导体封装体，开发了将仅对封装体的单面(半导体元件一侧)进行密封而背面裸露出的引线框用于外部连接用的结构的半导体封装体(例如QFN(QuadFlatNon-leaded，方形扁平无引脚)封装体)。根据该结构的半导体封装体，由于引线框不从密封树脂突出，因此可谋求小面积化及薄型化。但是，有时在密封成形时会发生密封树脂绕到引线框背面等不良情况。作为防止这种不良情况的方法，已知有下述方法：将半导体用粘接膜作为临时保护膜粘贴在引线框背面，对引线框背面进行保护，在对搭载于引线框表面侧的半导体元件进行密封成形之后，将临时保护膜剥去(例如专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2001/035460号
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题期待在将半导体密封成形中使用的临时保护膜粘贴在引线框上之后引线框不会发生翘曲。如果引线框的翘曲较大，则有时会发生引线框在搬送中卡住而无法搬送、无法将引线框真空固定在装置上、发生导线变形等量产性方面的问题。专利文献1的半导体用粘接膜虽然是易于发生翘曲的膜，但在现有的引线框中使用时也不会成为很大的问题。但是，由于近年的引线框的薄膜化、加宽化、高密度化(芯片尺寸小型化)，对于引线框翘曲的要求变得严格，已经清楚的是，专利文献1的半导体用粘接膜是难以避免高温-高压条件下(例如200～250℃、3～8MPa)的粘贴后及吸湿后的翘曲的影响的。因此，本专利技术的目的在于提供能够抑制高温-高压条件下的粘贴后及吸湿后的引线框的翘曲的半导体密封成形用临时保护膜。用于解决技术问题的手段本专利技术人们为了解决上述技术问题而进行了深入研究，结果发现通过调整线膨胀系数(CTE)可以解决上述技术问题，从而完成了本专利技术。本专利技术的一个方面涉及一种半导体密封成形用临时保护膜，其为具备支撑膜和设置在所述支撑膜的单面或两面上的粘接层的半导体密封成形用临时保护膜，所述临时保护膜的30℃～200℃下的线膨胀系数在所述临时保护膜的至少1个面内方向上为16ppm/℃以上且20ppm/℃以下。上述临时保护膜的30℃下的弹性模量可以为9GPa以下。上述粘接层的230℃下的弹性模量可以为1MPa以上。上述粘接层可以含有具有酰胺基、酯基、酰亚胺基、醚基或磺基的热塑性树脂，还可以含有具有酰胺基、酯基、酰亚胺基或醚基的热塑性树脂。上述支撑膜可以为选自芳香族聚酰亚胺、芳香族聚酰胺、芳香族聚酰胺酰亚胺、芳香族聚砜、芳香族聚醚砜、聚苯硫醚、芳香族聚醚酮、聚芳酯、芳香族聚醚醚酮及聚萘二甲酸乙二醇酯中的聚合物的膜。可以在上述支撑膜的单面上设置有上述粘接层，上述粘接层的厚度与上述支撑膜的厚度之比可以为0.2以下。上述临时保护膜可以具备设置在上述支撑膜的与设置有上述粘接层的面相反一侧的面上的非粘接层。上述粘接层的厚度与上述非粘接层的厚度之比可以为1.0～2.0。本专利技术的一个方面涉及一种卷轴体，其具备卷芯和卷绕在卷芯上的上述临时保护膜。本专利技术的一个方面涉及一种包装体，其具备上述卷轴体和收容有上述卷轴体的包装袋。本专利技术的一个方面涉及一种捆包物，其具备上述包装体和收容有上述包装体的捆包箱。本专利技术的一个方面涉及一种带有临时保护膜的引线框，其具备：具有芯片焊盘及内引线的引线框；和上述临时保护膜，上述临时保护膜按照其粘接层与引线框的单面接触并以下述的朝向粘贴在引线框上：所述临时保护膜的30℃～200℃下的线膨胀系数为16ppm/℃以上且20ppm/℃以下的面内方向在引线框的外周是长方形状时为沿着其短边的朝向、在引线框的外周是正方形状时为沿着其任一边的朝向。本专利技术的一个方面涉及一种带有临时保护膜的密封成形体，其具备：具有芯片焊盘及内引线的引线框；搭载于芯片焊盘的半导体元件；将半导体元件与内引线连接的导线；将半导体元件及导线密封的密封层；以及上述半导体密封成形用临时保护膜，临时保护膜的粘接层粘贴在引线框的与搭载有半导体元件的面相反一侧的面上。本专利技术的一个方面涉及一种制造半导体装置的方法，其依次具备以下工序：将上述半导体密封成形用临时保护膜按照其粘接层与引线框接触并以下述的朝向粘贴在具有芯片焊盘及内引线的引线框的单面上的工序，所述朝向是：所述临时保护膜的30℃～200℃下的线膨胀系数为16ppm/℃以上且20ppm/℃以下的面内方向在所述引线框的外周是长方形状时为沿着其短边的朝向、在所述引线框的外周是正方形状时为沿着其任一边的朝向；在芯片焊盘的与临时保护膜相反一侧的面上搭载半导体元件的工序；设置将半导体元件与内引线连接的导线的工序；形成将半导体元件及导线密封的密封层，从而获得具有引线框、半导体元件及密封层的密封成形体的工序；以及将临时保护膜从密封成形体上剥离的工序。在引线框具有多个芯片焊盘、在多个芯片焊盘的各个芯片焊盘上搭载所述半导体元件时，上述制造半导体装置的方法可以进一步具备以下工序：在将临时保护膜从密封成形体上剥离之前或之后，将密封成形体进行分割，获得具有1个芯片焊盘及半导体元件的半导体装置。专利技术效果根据本专利技术，可以提供能够抑制在高温-高压条件下进行粘贴后因冷却时的收缩所导致的引线框的翘曲、以及因吸湿所导致的膜的膨胀引起的引线框的翘曲的半导体密封成形用临时保护膜。由此，能够以高的操作性和生产率制造半导体装置。根据现有的临时保护膜，即使在虽然粘贴后引线框的翘曲较大、但吸湿膨胀后翘曲减小的状态时，也有由于制造工序中施加热量而被排湿、翘曲恢复至原本较大的状态的情况。根据本专利技术的临时保护膜，还抑制了由这种排湿所引起的翘曲。附图说明图1为表示临时保护膜的一个实施方式的截面图。图2为表示临时保护膜的一个实施方式的截面图。图3为说明半导体装置的制造方法的一个实施方式的截面图。图4为表示半导体装置的一个实施方式的截面图。图5为用于说明对带有临时保护膜的引线框的翘曲量进行测定的方法的示意图。图6为表示卷轴体的一个实施方式的立体图。图7为表示包装体的一个实施方式的正视图。图8为表示捆包物的一个实施方式的正视图。具体实施方式以下对本专利技术的优选实施方式详细地进行说明。但本专利技术并不受以下实施方式所限定。本说明书中记载的数值范围的上限值及下限值可以任意地组合。实施例中记载的数值也可作为数值范围的上限值或下限值进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体密封成形用临时保护膜，/n其为具备支撑膜和设置在所述支撑膜的单面或两面上的粘接层的半导体密封成形用临时保护膜，/n所述临时保护膜的30℃～200℃下的线膨胀系数在所述临时保护膜的至少1个面内方向上为16ppm/℃以上且20ppm/℃以下。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180312 JP 2018-0442031.一种半导体密封成形用临时保护膜，
其为具备支撑膜和设置在所述支撑膜的单面或两面上的粘接层的半导体密封成形用临时保护膜，
所述临时保护膜的30℃～200℃下的线膨胀系数在所述临时保护膜的至少1个面内方向上为16ppm/℃以上且20ppm/℃以下。


2.根据权利要求1所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述临时保护膜的30℃下的弹性模量为9GPa以下。


3.根据权利要求1或2所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述粘接层的230℃下的弹性模量为1MPa以上。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述粘接层含有具有酰胺基、酯基、酰亚胺基、醚基或磺基的热塑性树脂。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述粘接层含有具有酰胺基、酯基、酰亚胺基或醚基的热塑性树脂。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述支撑膜是选自芳香族聚酰亚胺、芳香族聚酰胺、芳香族聚酰胺酰亚胺、芳香族聚砜、芳香族聚醚砜、聚苯硫醚、芳香族聚醚酮、聚芳酯、芳香族聚醚醚酮及聚萘二甲酸乙二醇酯中的聚合物的膜。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，
在所述支撑膜的单面上设置有所述粘接层，
所述粘接层的厚度与所述支撑膜的厚度之比为0.2以下。


8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，
在所述支撑膜的单面上设置有所述粘接层，
该临时保护膜进一步具备设置于所述支撑膜的与设置有所述粘接层的面相反一侧的面上的非粘接层。


9.根据权利要求8所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述粘接层的厚度与所述非粘接层的厚度之比为1.0～2.0。


10.一种卷轴体，其具备卷芯和卷绕在所述卷芯上的权利要求1～9中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜。


11.一种包装体，其具备权利要求10所述的卷轴体和收容有所述卷轴体的包装袋。

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【专利技术属性】
技术研发人员：友利直己，名儿耶友宏，黑田孝博，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP