半导体密封成形用临时保护膜、带有临时保护膜的引线框、带有临时保护膜的密封成形体及制造半导体装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体密封成形用临时保护膜，其具备支撑膜和设置在支撑膜的单面或两面上且含有树脂和硅烷偶联剂的粘接层。半导体密封成形用临时保护膜中，硅烷偶联剂的含量相对于树脂总量可以超过5质量％且为35质量％以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体密封成形用临时保护膜、带有临时保护膜的引线框、带有临时保护膜的密封成形体及制造半导体装置的方法
本专利技术涉及半导体密封成形用临时保护膜、带有临时保护膜的引线框、带有临时保护膜的密封成形体及制造半导体装置的方法。
技术介绍
一直以来使用如下结构的半导体封装体：利用银糊料等粘接剂将半导体元件粘接在芯片焊盘上，利用导线将其与引线框接合之后，残留外部连接用的外部引线而将整体密封。但是，随着近年的半导体封装体的高密度化、小面积化、薄型化等要求的提高，提出了各种结构的半导体封装体。其中，例如有LOC(leadonchip，芯片上引线)、COL(chiponlead，引线上芯片)结构等，但在小面积化、薄型化的方面是有限的。为了解决这些技术问题，开发出了将仅对封装体的单面(半导体元件一侧)进行密封而背面裸露出的引线框用于外部连接用的结构的封装体(专利文献1及2)。由于该结构的封装体的引线框不从密封树脂突出，因此可谋求小面积化及薄型化。作为制造该封装体结构的半导体装置的方法之一，有由以下所示工序组成的制造方法。(1)在具有芯片焊盘及内引线的引线框的单面(背面)上粘贴半导体密封成形用临时保护膜的工序；(2)在芯片焊盘的与临时保护膜相反一侧的面上搭载(粘接)半导体元件的工序；(3)设置将半导体元件与内引线连接的导线的工序；(4)形成对半导体元件及导线进行密封的密封层，获得具有引线框、半导体元件及密封层的密封成形体的工序；(5)将临时保护膜从密封成形体上剥离的工序。在利用该方法制造半导体封装体时，有时在密封成形时会发生密封树脂绕到引线框背面等不良情况。作为防止这种不良情况的方法，已知有下述方法：将临时保护膜作为半导体用粘接膜粘贴在引线框背面，对引线框背面进行保护，在对搭载于引线框表面侧的半导体元件进行密封成形之后，将临时保护膜剥去。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平5-129473号公报专利文献2：日本特开平10-12773号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题目前，对于半导体封装体，装配工艺条件的高温化(Cu引线接合、回流连接(CuClip连接等))正在发展。与此相伴，在将临时保护膜从密封成形体上剥离的工序中，有时临时保护膜与引线框及密封层牢固地粘接，临时保护膜断裂而无法进行剥离。因此，本专利技术的目的在于提供一种半导体密封成形用临时保护膜，其能够在不发生断裂的情况下容易地从引线框及密封层上剥离。用于解决技术问题的手段本专利技术的一个方面涉及一种半导体密封成形用临时保护膜，其为在形成对搭载于引线框的半导体元件进行密封的密封层的密封成形的期间、用于对引线框进行临时保护的半导体密封成形用临时保护膜，其具备支撑膜和设置在支撑膜的单面或两面上且含有树脂的粘接层。在按照粘接层与引线框接触的方式将所述临时保护膜粘贴在具有芯片焊盘及内引线的引线框上时，粘接层与引线框之间的90度剥离强度可以是在25℃下为5N/m以上。在按照粘接层与引线框接触的方式将所述临时保护膜粘贴在引线框上，在芯片焊盘的与临时保护膜相反一侧的面上搭载半导体元件，接着对半导体元件、引线框及所述临时保护膜进行加热，然后形成在与粘接层接触的同时将半导体元件密封的密封层时，粘接层与引线框及密封层之间的90度剥离强度可以是在180℃下为600N/m以下。可以粘接层进一步含有硅烷偶联剂，硅烷偶联剂的含量相对于树脂总量超过5质量％且为35质量％以下。本专利技术的一个方面涉及一种半导体密封成形用临时保护膜，其具备支撑膜和设置在支撑膜的单面或两面上且含有树脂和硅烷偶联剂的粘接层。硅烷偶联剂的含量相对于树脂总量可以超过5质量％且为35质量％以下。硅烷偶联剂可以是下述式(I)所示的化合物。[化学式编号1]式中，R1、R2及R3各自独立地表示碳数为1～3的烷氧基、碳数为1～6的烷基或碳数为6～12的芳基，X由下述式(IIa)、(IIb)、(IIc)、(IId)、或(IIe)表示，[化学式编号2]这些化学式中，R4、R5及R6各自独立地表示碳数为1～6的烷基、碳数为6～12的芳基或氢原子，*表示与碳原子的键合部位。粘接层的玻璃化转变温度可以为100～300℃。树脂可以是具有酰胺基、酯基、酰亚胺基、醚基或磺基的热塑性树脂。粘接层的200℃下的弹性模量可以是1MPa以上。粘接层的厚度与支撑膜的厚度之比可以为0.5以下。粘接层的厚度可以为1～20μm。支撑膜可以是选自芳香族聚酰亚胺、芳香族聚酰胺、芳香族聚酰胺酰亚胺、芳香族聚砜、芳香族聚醚砜、聚苯硫醚、芳香族聚醚酮、聚芳酯、芳香族聚醚醚酮及聚萘二甲酸乙二醇酯中的聚合物的膜。支撑膜的玻璃化转变温度可以是200℃以上。支撑膜的厚度可以是5～100μm。支撑膜的20～200℃下的线膨胀系数可以是3.0×10-5以下。支撑膜在200℃下加热60分钟后的收缩率可以是0.15％以下。可以在支撑膜的单面上设置有粘接层，上述临时保护膜进一步具备设置于支撑膜的与设置有粘接层的面相反一侧的面上的非粘接层。本专利技术的一个方面涉及一种卷轴体，其具备卷芯和卷绕在卷芯上的上述临时保护膜。本专利技术的一个方面涉及一种包装体，其具备上述卷轴体和收容有上述卷轴体的包装袋。本专利技术的一个方面涉及一种捆包物，其具备上述包装体和收容有上述包装体的捆包箱。本专利技术的一个方面涉及一种带有临时保护膜的引线框，其具备：具有芯片焊盘及内引线的引线框；和上述临时保护膜，上述临时保护膜按照其粘接层与引线框的单面接触的方式粘贴在引线框上。本专利技术的一个方面涉及一种带有临时保护膜的密封成形体，其具备：具有芯片焊盘及内引线的引线框；搭载于芯片焊盘的半导体元件；将半导体元件与内引线连接的导线；将半导体元件及导线进行密封的密封层；以及上述临时保护膜，上述临时保护膜的粘接层粘贴在引线框的与搭载有半导体元件的面相反一侧的面上。本专利技术的一个方面涉及一种制造半导体装置的方法，其依次具备以下工序：将上述临时保护膜以其粘接层与引线框接触的朝向来粘贴在具有芯片焊盘及内引线的引线框的单面上的工序；在芯片焊盘的与上述临时保护膜相反一侧的面上搭载半导体元件的工序；设置将半导体元件与内引线连接的导线的工序；形成将半导体元件及导线密封的密封层，从而获得具有引线框、半导体元件及密封层的密封成形体的工序；以及将临时保护膜从密封成形体上剥离的工序。可以是引线框具有多个芯片焊盘，在多个芯片焊盘的各个芯片焊盘上搭载半导体元件，上述方法进一步具备以下工序：在将上述临时保护膜从密封成形体上剥离之前或之后，将密封成形体进行分割，获得具有1个芯片焊盘及半导体元件的半导体装置。专利技术效果根据本专利技术，可以提供一种能够在不发生断裂的情况下容易地从引线框及密封层上剥离的半导体密封成形用临时保护膜。另外，本专利技术的半导体密封成形用临时保护膜在具有与引本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体密封成形用临时保护膜，/n其为在形成对搭载于引线框的半导体元件进行密封的密封层的密封成形的期间、用于对所述引线框进行临时保护的半导体密封成形用临时保护膜，/n其具备支撑膜和设置在所述支撑膜的单面或两面上且含有树脂的粘接层，/n在按照所述粘接层与所述引线框接触的方式将所述临时保护膜粘贴在具有芯片焊盘及内引线的所述引线框上时，所述粘接层与所述引线框之间的90度剥离强度在25℃下为5N/m以上，/n在按照所述粘接层与所述引线框接触的方式将所述临时保护膜粘贴在所述引线框上，在所述芯片焊盘的与所述临时保护膜相反一侧的面上搭载半导体元件，接着对所述半导体元件、所述引线框及所述临时保护膜进行加热，然后形成在与所述粘接层接触的同时将所述半导体元件密封的密封层时，所述粘接层与所述引线框及所述密封层之间的90度剥离强度在180℃下为600N/m以下。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180313 JP 2018-0458241.一种半导体密封成形用临时保护膜，
其为在形成对搭载于引线框的半导体元件进行密封的密封层的密封成形的期间、用于对所述引线框进行临时保护的半导体密封成形用临时保护膜，
其具备支撑膜和设置在所述支撑膜的单面或两面上且含有树脂的粘接层，
在按照所述粘接层与所述引线框接触的方式将所述临时保护膜粘贴在具有芯片焊盘及内引线的所述引线框上时，所述粘接层与所述引线框之间的90度剥离强度在25℃下为5N/m以上，
在按照所述粘接层与所述引线框接触的方式将所述临时保护膜粘贴在所述引线框上，在所述芯片焊盘的与所述临时保护膜相反一侧的面上搭载半导体元件，接着对所述半导体元件、所述引线框及所述临时保护膜进行加热，然后形成在与所述粘接层接触的同时将所述半导体元件密封的密封层时，所述粘接层与所述引线框及所述密封层之间的90度剥离强度在180℃下为600N/m以下。


2.根据权利要求1所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，
所述粘接层进一步含有硅烷偶联剂，
所述硅烷偶联剂的含量相对于所述树脂的总量超过5质量％且为35质量％以下。


3.一种半导体密封成形用临时保护膜，其为在形成对搭载于引线框的半导体元件进行密封的密封层的密封成形的期间、用于对所述引线框进行临时保护的半导体密封成形用临时保护膜，
其具备支撑膜和设置在所述支撑膜的单面或两面上且含有树脂和硅烷偶联剂的粘接层，
所述硅烷偶联剂的含量相对于所述树脂的总量超过5质量％且为35质量％以下。


4.根据权利要求2或3所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述硅烷偶联剂由下述式(I)表示：



式中，R1、R2及R3各自独立地表示碳数为1～3的烷氧基、碳数为1～6的烷基或碳数为6～12的芳基，X由下述式(IIa)、(IIb)、(IIc)、(IId)或(IIe)表示：



这些化学式中，R4、R5及R6各自独立地表示碳数为1～6的烷基、碳数为6～12的芳基或氢原子，*表示与碳原子的键合部位。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述粘接层的玻璃化转变温度为100～300℃。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述树脂是具有酰胺基、酯基、酰亚胺基、醚基或磺基的热塑性树脂。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述粘接层的200℃下的弹性模量为1MPa以上。


8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述粘接层的厚度与所述支撑膜的厚度之比为0.5以下。


9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述粘接层的厚度为1～20μm。


10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述支撑膜是选自芳香族聚酰亚胺、芳香族聚酰胺、芳香族聚酰胺酰亚胺、芳香族聚砜、芳香...

【专利技术属性】
技术研发人员：黑田孝博，名儿耶友宏，友利直己，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP