半导体密封成形用临时保护膜、带有临时保护膜的引线框、带有临时保护膜的密封成形体及制造半导体装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体密封成形用临时保护膜，其具备支撑膜和设置在支撑膜的单面或两面上且含有树脂和硅烷偶联剂的粘接层。半导体密封成形用临时保护膜中，硅烷偶联剂的含量相对于树脂总量可以超过5质量％且为35质量％以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体密封成形用临时保护膜、带有临时保护膜的引线框、带有临时保护膜的密封成形体及制造半导体装置的方法
本专利技术涉及半导体密封成形用临时保护膜、带有临时保护膜的引线框、带有临时保护膜的密封成形体及制造半导体装置的方法。
技术介绍
一直以来使用如下结构的半导体封装体：利用银糊料等粘接剂将半导体元件粘接在芯片焊盘上，利用导线将其与引线框接合之后，残留外部连接用的外部引线而将整体密封。但是，随着近年的半导体封装体的高密度化、小面积化、薄型化等要求的提高，提出了各种结构的半导体封装体。其中，例如有LOC(leadonchip，芯片上引线)、COL(chiponlead，引线上芯片)结构等，但在小面积化、薄型化的方面是有限的。为了解决这些技术问题，开发出了将仅对封装体的单面(半导体元件一侧)进行密封而背面裸露出的引线框用于外部连接用的结构的封装体(专利文献1及2)。由于该结构的封装体的引线框不从密封树脂突出，因此可谋求小面积化及薄型化。作为制造该封装体结构的半导体装置的方法之一，有由以下所示工序组成的制造方法。(1)在具有芯片焊盘本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体密封成形用临时保护膜，/n其为在形成对搭载于引线框的半导体元件进行密封的密封层的密封成形的期间、用于对所述引线框进行临时保护的半导体密封成形用临时保护膜，/n其具备支撑膜和设置在所述支撑膜的单面或两面上且含有树脂的粘接层，/n在按照所述粘接层与所述引线框接触的方式将所述临时保护膜粘贴在具有芯片焊盘及内引线的所述引线框上时，所述粘接层与所述引线框之间的90度剥离强度在25℃下为5N/m以上，/n在按照所述粘接层与所述引线框接触的方式将所述临时保护膜粘贴在所述引线框上，在所述芯片焊盘的与所述临时保护膜相反一侧的面上搭载半导体元件，接着对所述半导体元件、所述引线框及所述临时保护膜进行加...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180313 JP 2018-0458241.一种半导体密封成形用临时保护膜，
其为在形成对搭载于引线框的半导体元件进行密封的密封层的密封成形的期间、用于对所述引线框进行临时保护的半导体密封成形用临时保护膜，
其具备支撑膜和设置在所述支撑膜的单面或两面上且含有树脂的粘接层，
在按照所述粘接层与所述引线框接触的方式将所述临时保护膜粘贴在具有芯片焊盘及内引线的所述引线框上时，所述粘接层与所述引线框之间的90度剥离强度在25℃下为5N/m以上，
在按照所述粘接层与所述引线框接触的方式将所述临时保护膜粘贴在所述引线框上，在所述芯片焊盘的与所述临时保护膜相反一侧的面上搭载半导体元件，接着对所述半导体元件、所述引线框及所述临时保护膜进行加热，然后形成在与所述粘接层接触的同时将所述半导体元件密封的密封层时，所述粘接层与所述引线框及所述密封层之间的90度剥离强度在180℃下为600N/m以下。


2.根据权利要求1所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，
所述粘接层进一步含有硅烷偶联剂，
所述硅烷偶联剂的含量相对于所述树脂的总量超过5质量％且为35质量％以下。


3.一种半导体密封成形用临时保护膜，其为在形成对搭载于引线框的半导体元件进行密封的密封层的密封成形的期间、用于对所述引线框进行临时保护的半导体密封成形用临时保护膜，
其具备支撑膜和设置在所述支撑膜的单面或两面上且含有树脂和硅烷偶联剂的粘接层，
所述硅烷偶联剂的含量相对于所述树脂的总量超过5质量％且为35质量％以下。


4.根据权利要求2或3所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述硅烷偶联剂由下述式(I)表示：



式中，R1、R2及R3各自独立地表示碳数为1～3的烷氧基、碳数为1～6的烷基或碳数为6～12的芳基，X由下述式(IIa)、(IIb)、(IIc)、(IId)或(IIe)表示：



这些化学式中，R4、R5及R6各自独立地表示碳数为1～6的烷基、碳数为6～12的芳基或氢原子，*表示与碳原子的键合部位。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述粘接层的玻璃化转变温度为100～300℃。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述树脂是具有酰胺基、酯基、酰亚胺基、醚基或磺基的热塑性树脂。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述粘接层的200℃下的弹性模量为1MPa以上。


8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述粘接层的厚度与所述支撑膜的厚度之比为0.5以下。


9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述粘接层的厚度为1～20μm。


10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述支撑膜是选自芳香族聚酰亚胺、芳香族聚酰胺、芳香族聚酰胺酰亚胺、芳香族聚砜、芳香...

【专利技术属性】
技术研发人员：黑田孝博，名儿耶友宏，友利直己，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP