卷轴体、包装体及捆包物制造技术

本实用新型专利技术公开一种卷轴体，其具备卷芯和卷绕在卷芯上的半导体密封成形用临时保护膜。临时保护膜可以是：具备支撑膜和设置在支撑膜的单面或两面上且含有树脂和硅烷偶联剂的粘接层，临时保护膜中，硅烷偶联剂的含量相对于树脂总量超过5质量％且为35质量％以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】卷轴体、包装体及捆包物
本技术涉及卷轴体、包装体及捆包物。
技术介绍
一直以来使用如下结构的半导体封装：利用银糊料等粘接剂将半导体元件粘接在芯片焊盘上，利用导线将其与引线框接合之后，残留外部连接用的外部引线而将整体密封。但是，随着近年的半导体封装的高密度化、小面积化、薄型化等要求的提高，提出了各种结构的半导体封装。其中，例如有LOC(leadonchip，芯片上引线)、COL(chiponlead，引线上芯片)结构等，但在小面积化、薄型化的方面是有限的。为了解决这些技术问题，开发出了将仅对封装的单面(半导体元件一侧)进行密封而背面裸露出的引线框用于外部连接用的结构的封装(专利文献1及2)。由于该结构的封装的引线框不从密封树脂突出，因此可谋求小面积化及薄型化。作为制造该封装结构的半导体装置的方法之一，有由以下所示工序组成的制造方法。(1)在具有芯片焊盘及内引线的引线框的单面(背面)上粘贴半导体密封成形用临时保护膜的工序；(2)在芯片焊盘的与临时保护膜相反一侧的面上搭载(粘接)半导体元件的工序；(3)设置将半导体元件与内引线连接的导线的工序；(4)形成对半导体元件及导线进行密封的密封层，获得具有引线框、半导体元件及密封层的密封成形体的工序；(5)将临时保护膜从密封成形体上剥离的工序。在利用该方法制造半导体封装时，有时在密封成形时会发生密封树脂绕到引线框背面等不良情况。作为防止这种不良情况的方法，已知有下述方法：将临时保护膜作为半导体用粘接膜粘贴在引线框背面，对引线框背面进行保护，在对搭载于引线框表面侧的半导体元件进行密封成形之后，将临时保护膜剥去。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平5-129473号公报专利文献2：日本特开平10-12773号公报
技术实现思路
技术要解决的技术问题目前，对于半导体封装，装配工艺条件的高温化(Cu引线接合、回流连接(CuClip连接等))正在发展。与此相伴，在将临时保护膜从密封成形体上剥离的工序中，有时临时保护膜与引线框及密封层牢固地粘接，临时保护膜断裂而无法进行剥离。上述的临时保护膜有时通过卷绕在卷芯上，一边从所得的卷轴体上卷出一边用于半导体密封成形。因此，本技术的目的在于提供一种具备可以在不发生断裂的情况下容易地从引线框及密封层上剥离的半导体密封成形用临时保护膜的卷轴体。用于解决技术问题的手段本技术的一个方面涉及一种卷轴体，其具备卷芯和卷绕在卷芯上的半导体密封成形用临时保护膜，半导体密封成形用临时保护膜具备支撑膜和设置在支撑膜的单面或两面上且含有树脂的粘接层。在按照粘接层与引线框接触的方式将上述临时保护膜粘贴在具有芯片焊盘及内引线的引线框上时，粘接层与引线框之间的90度剥离强度可以是在25℃下为5N/m以上。在按照粘接层与引线框接触的方式将上述临时保护膜粘贴在引线框上，在芯片焊盘的与临时保护膜相反一侧的面上搭载半导体元件，接着对半导体元件、引线框及上述临时保护膜进行加热，然后形成在与粘接层接触的同时将半导体元件密封的密封层时，粘接层与引线框及密封层之间的90度剥离强度可以是在180℃下为600N/m以下。粘接层可以进一步含有硅烷偶联剂，硅烷偶联剂的含量相对于树脂总量可以是超过5质量％且为35质量％以下。本技术的一个方面涉及一种卷轴体，其具备卷芯和卷绕在卷芯上的半导体密封成形用临时保护膜，半导体密封成形用临时保护膜具备支撑膜和设置在支撑膜的单面或两面上且含有树脂和硅烷偶联剂的粘接层。硅烷偶联剂的含量相对于树脂总量可以是超过5质量％且为35质量％以下。硅烷偶联剂可以是下述式(I)所示的化合物。[化学式编号1]式中，R1、R2及R3各自独立地表示碳数为1～3的烷氧基、碳数为1～6的烷基或碳数为6～12的芳基，X由下述式(IIa)、(IIb)、(IIc)、(IId)或(IIe)表示，[化学式编号2]这些化学式中，R4、R5及R6各自独立地表示碳数为1～6的烷基、碳数为6～12的芳基或氢原子，*表示与碳原子的键合部位。粘接层的玻璃化转变温度可以为100～300℃。树脂可以是具有酰胺基、酯基、酰亚胺基、醚基或磺基的热塑性树脂。粘接层的200℃下的弹性模量可以是1MPa以上。粘接层的厚度与支撑膜的厚度之比可以为0.5以下。粘接层的厚度可以为1～20μm。支撑膜可以是选自芳香族聚酰亚胺、芳香族聚酰胺、芳香族聚酰胺酰亚胺、芳香族聚砜、芳香族聚醚砜、聚苯硫醚、芳香族聚醚酮、聚芳酯、芳香族聚醚醚酮及聚萘二甲酸乙二醇酯中的聚合物的膜。支撑膜的玻璃化转变温度可以是200℃以上。支撑膜的厚度可以是5～100μm。支撑膜的20～200℃下的线膨胀系数可以是3.0×10-5以下。支撑膜在200℃下加热60分钟时的收缩率可以是0.15％以下。可以在支撑膜的单面上设置有粘接层，上述临时保护膜可以进一步具备设置于支撑膜的与设置有粘接层的面相反一侧的面上的非粘接层。技术效果根据本技术，能够提供一种具备可以在不发生断裂的情况下容易地从引线框及密封层上剥离的半导体密封成形用临时保护膜的卷轴体。另外，本技术的半导体密封成形用临时保护膜在具有与引线框充分粘接的粘接层的同时还兼具卷曲、引线框的翘曲及残胶得以抑制这些半导体密封用途所需的诸多特性。附图说明图1为表示临时保护膜的一个实施方式的截面图。图2为表示临时保护膜的一个实施方式的截面图。图3为说明半导体装置的制造方法的一个实施方式的截面图。图4为说明半导体装置的制造方法的一个实施方式的截面图。图5为表示半导体装置的一个实施方式的截面图。图6为表示带临时保护膜的引线框的翘曲的测定点的图。图7为表示卷轴体的一个实施方式的立体图。图8为表示包装体的一个实施方式的正视图。图9为表示捆包物的一个实施方式的正视图。具体实施方式以下对本技术的优选实施方式详细地进行说明。但本技术并不受以下实施方式所限定。本说明书中记载的数值范围的上限值及下限值可以任意地组合。实施例中记载的数值也可作为数值范围的上限值或下限值进行使用。＜卷轴体＞图7为表示卷轴体的一个实施方式的立体图。图7所示的卷轴体30具备卷芯31、卷绕在卷芯31上的临时保护膜10和侧板32。半导体装置例如可以一边将临时保护膜从卷轴体上卷出一边进行制造。卷芯31及临时保护膜10的宽度(正交于卷绕方向的方向上的长度)例如可以为10μm以上、50μm以上、50μm以上或80μm以上，还可以为300μm以下。卷芯31及临时保护膜10的宽度(正交于卷绕方向的方向上的长度)例如可以为10μm以上且300μm以下、50μm以上且300μm以下或者80μm以上且300μm以下。＜临时本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种卷轴体，/n其具备卷芯和卷绕在所述卷芯上的半导体密封成形用临时保护膜，/n所述半导体密封成形用临时保护膜具备支撑膜和设置在所述支撑膜的单面或两面上且含有树脂的粘接层，/n在按照所述粘接层与引线框接触的方式将所述临时保护膜粘贴在具有芯片焊盘及内引线的所述引线框上时，所述粘接层与所述引线框之间的90度剥离强度在25℃下为5N/m以上，/n在按照所述粘接层与所述引线框接触的方式将所述临时保护膜粘贴在所述引线框上，在所述芯片焊盘的与所述临时保护膜相反一侧的面上搭载半导体元件，接着对所述半导体元件、所述引线框及所述临时保护膜进行加热，然后形成在与所述粘接层接触的同时将所述半导体元件密封的密封层时，所述粘接层与所述引线框及所述密封层之间的90度剥离强度在180℃下为600N/m以下。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180313 JP 2018-0458241.一种卷轴体，
其具备卷芯和卷绕在所述卷芯上的半导体密封成形用临时保护膜，
所述半导体密封成形用临时保护膜具备支撑膜和设置在所述支撑膜的单面或两面上且含有树脂的粘接层，
在按照所述粘接层与引线框接触的方式将所述临时保护膜粘贴在具有芯片焊盘及内引线的所述引线框上时，所述粘接层与所述引线框之间的90度剥离强度在25℃下为5N/m以上，
在按照所述粘接层与所述引线框接触的方式将所述临时保护膜粘贴在所述引线框上，在所述芯片焊盘的与所述临时保护膜相反一侧的面上搭载半导体元件，接着对所述半导体元件、所述引线框及所述临时保护膜进行加热，然后形成在与所述粘接层接触的同时将所述半导体元件密封的密封层时，所述粘接层与所述引线框及所述密封层之间的90度剥离强度在180℃下为600N/m以下。


2.根据权利要求1所述的卷轴体，其中，
所述粘接层进一步含有硅烷偶联剂，
所述硅烷偶联剂的含量相对于所述树脂的总量超过5质量％且为35质量％以下。


3.一种卷轴体，
其具备卷芯和卷绕在所述卷芯上的半导体密封成形用临时保护膜，
所述半导体密封成形用临时保护膜具备支撑膜和设置在所述支撑膜的单面或两面上且含有树脂和硅烷偶联剂的粘接层，
所述硅烷偶联剂的含量相对于所述树脂的总量超过5质量％且为35质量％以下。


4.根据权利要求2或3所述的卷轴体，其中，所述硅烷偶联剂由下述式(I)表示，



式中，R1、R2及R3各自独立地表示碳数为1～3的烷氧基、碳数为1～6的烷基或碳数为6～12的芳基，X由下述式(IIa)、(IIb)、(IIc)、(IId)或(IIe)表示，



这些化学式中，R4、R5及R6各自独立地表示碳数为1～6的烷基、碳数为6～12的芳基或氢原子，*表示与碳原子的键合部位。


5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：黑田孝博，名儿耶友宏，友利直己，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：新型
国别省市：日本;JP