一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法技术

本发明专利技术涉及电子加工的技术领域，更具体地，涉及一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，包括：S10.在第一刚性载板制作凹槽，将待封装芯片安装于第二刚性载板上；S20.将第一颗粒物堆叠于待封装芯片和第二刚性载板上，将第一刚性载板倒扣盖合于第二刚性载板上方并压紧，使第一颗粒物无法发生移动；S30.在第一刚性载板侧部或上部注入内混合有第二颗粒物的熔融态塑封料，第一颗粒物的颗粒直径大于第二颗粒物的颗粒直径；S40.保持压力进行可控温度场式升温，使塑封料逐层固化；S50.拆除第一刚性载板、第二刚性载板及临时键合层。本发明专利技术采用两种颗粒大小的颗粒物，利用大颗粒材料相互挤压产生压力抑制塑封料及芯片的相对位移与热变形，可以防止芯片发生漂移并减少翘曲，同时利用先部分融化、后逐次固化的方法进一步减少翘曲。

【技术实现步骤摘要】
一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法
本专利技术涉及电子加工的
，更具体地，涉及一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法。
技术介绍
随着微电子封装技术的发展，芯片尺寸越来越小，晶体管数量越来越高，衍生出了大板级扇出型封装技术。大板级扇出型封装技术(Fan-OutPanelLevelPackaging)是将芯片先用塑封材料进行封装，再通过金属再分布线层(RDL)等金属连接方式实现芯片I/O口的延伸。随着载板面积逐渐增大以及封装体厚度变薄，之前未知或影响不大的力影响到封装芯片的良率，这些力包括在塑封时注塑材料挤压芯片各表面的压力和注塑材料在固化时产生的收缩力，这些力分别会导致芯片的漂移和翘曲。而芯片的漂移会影响到芯片的电气性能，因为芯片发生漂移后其I/O也随之移位，再于原位置制作重布线层就会失效；芯片的翘曲会导致重布线层(RDL)结合强度下降、断裂等问题，对电荷载子迁移率产生不利影响。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，采用两种颗粒大小的颗粒物，利用大颗粒材料相互挤压产生压本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS10.在第一刚性载板(1)制作凹槽(2)，将待封装芯片按照所需间隔和位置安装于覆盖有临时键合层(4)的第二刚性载板(3)上；/nS20.先将第一颗粒物堆叠于待封装芯片和第二刚性载板(3)上，将第一刚性载板(1)盖合于第二刚性载板(3)上方使得第一颗粒物紧密堆叠；/nS30.升温至塑封料玻璃转变温度以上，所述塑封料内混合有第二颗粒物，在第一刚性载板(1)侧部或上部注入熔融态塑封料；/nS40.保持第一刚性载板(1)和第二刚性载板(3)之间的压力并进行可控温度场式升温，使所述塑封料逐层固化；/nS50.待塑封料完全固化后，拆除第...

【技术特征摘要】
1.一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
S10.在第一刚性载板(1)制作凹槽(2)，将待封装芯片按照所需间隔和位置安装于覆盖有临时键合层(4)的第二刚性载板(3)上；
S20.先将第一颗粒物堆叠于待封装芯片和第二刚性载板(3)上，将第一刚性载板(1)盖合于第二刚性载板(3)上方使得第一颗粒物紧密堆叠；
S30.升温至塑封料玻璃转变温度以上，所述塑封料内混合有第二颗粒物，在第一刚性载板(1)侧部或上部注入熔融态塑封料；
S40.保持第一刚性载板(1)和第二刚性载板(3)之间的压力并进行可控温度场式升温，使所述塑封料逐层固化；
S50.待塑封料完全固化后，拆除第一刚性载板(1)、第二刚性载板(3)及临时键合层(4)，即得到塑封好的芯片封装结构；
其中，所述第一颗粒物的颗粒直径大于第二颗粒物的颗粒直径。


2.根据权利要求1所述的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，所述第一颗粒物为二氧化硅颗粒或金属氧化物颗粒，所述第一颗粒物的颗粒尺寸为待封装芯片厚度的0.01倍～1倍，第一颗粒物的形状为不规则碎片状、树枝状、棒状、多面体、球体中的一种或多种的组合。


3.根据权利要求2所述的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，所述第一颗粒物的表面经粗糙化处理，所述粗糙化处理手段包括化学腐蚀、氧化处理、包覆处理。


4.根据权利要求2或3所述的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，所述第二颗粒物的颗粒尺寸不大于第一颗粒物颗粒尺寸的0.2倍。

【专利技术属性】
技术研发人员：杨冠南，罗绍根，崔成强，张昱，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东;44