半导体器件的制造方法及半导体器件技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成深阱、定义有源区及沉积多晶硅；提供第一光刻版，通过第一光刻版对多晶硅进行刻蚀，形成第一注入窗，注入第一导电类型离子，以形成第一导电类型阱，并在第一导电类型阱中注入高浓度第一导电类型离子；提供第二光刻版，通过第二光刻版对多晶硅进行刻蚀，形成第二注入窗，注入第二导电类型离子，以形成第二导电类型阱，并在第二导电类型阱中注入高浓度第一导电类型离子；提供第三光刻版，进行刻蚀以形成接触孔，并透过接触孔在第二导电类型阱中注入高浓度第二导电类型离子；填充接触孔，形成半导体器件。本发明专利技术制造半导体器件的工艺，降低了成本。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法及半导体器件
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件。
技术介绍
BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺是一种能够将Bipolar、CMOS和DMOS器件同时集成在单芯片上的集成工艺技术。横向扩散金属氧化物半导体(LaterallyDiffusedMetalOxideSemiconductor，LDMOS)器件，作为BCD工艺中的高压横向半导体器件，是一种轻掺杂的MOS器件，具有良好的热稳定性和频率稳定性、高的增益和耐久性、低的反馈电容和电阻，一般作为后续模块的驱动器件，是BCD工艺设计中最关键的部分。如图1所示，图1绘示了制造LDMOS器件的传统BCD工艺，如图1所示，包括如下步骤：形成深N阱(DeepNWell，DNW)，以构成LDMOS器件的漂移区；定义有源区(ActiveArea，AA)；形成器件多晶栅(GT)，以形成栅极；形成N阱(NW)及P阱(PW),以构成器件的低压阱区；形成N+注入区(SN)及P+注入区(S本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底；/n在所述半导体衬底上形成深阱、定义有源区及沉积多晶硅；/n提供第一光刻版，通过所述第一光刻版对所述多晶硅进行刻蚀，形成第一注入窗；/n通过所述第一注入窗注入第一导电类型离子，以形成第一导电类型阱，并在所述第一导电类型阱中注入高浓度第一导电类型离子，以形成漏区；/n提供第二光刻版，通过所述第二光刻版对所述多晶硅进行刻蚀，形成第二注入窗；/n通过所述第二注入窗中注入所述第二导电类型离子，以形成第二导电类型阱，并在所述第二导电类型阱中注入高浓度第一导电类型离子，以形成源区；/n提供第三光刻版，用以对所述源区、所述漏区进行刻蚀以形成...

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成深阱、定义有源区及沉积多晶硅；
提供第一光刻版，通过所述第一光刻版对所述多晶硅进行刻蚀，形成第一注入窗；
通过所述第一注入窗注入第一导电类型离子，以形成第一导电类型阱，并在所述第一导电类型阱中注入高浓度第一导电类型离子，以形成漏区；
提供第二光刻版，通过所述第二光刻版对所述多晶硅进行刻蚀，形成第二注入窗；
通过所述第二注入窗中注入所述第二导电类型离子，以形成第二导电类型阱，并在所述第二导电类型阱中注入高浓度第一导电类型离子，以形成源区；
提供第三光刻版，用以对所述源区、所述漏区进行刻蚀以形成接触孔，并透过所述接触孔在所述第二导电类型阱中注入高浓度第二导电类型离子；
填充所述接触孔，以形成所述半导体器件。


2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，通过第一注入窗中注入第一导电类型离子，或/和，通过所述第二注入窗中注入所述第二导电类型离子，注入的角度为15°～65°。


3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，通过第一注入窗中注入第一导电类型离子，或/和，通过所述第二注入窗中注入所述第二导电类...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈斌，
申请(专利权)人：杰华特微电子杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33