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本发明公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成深阱、定义有源区及沉积多晶硅；提供第一光刻版，通过第一光刻版对多晶硅进行刻蚀，形成第一注入窗，注入第一导电类型离子，以形成第一导电类型阱，并在第一导电...
该专利属于杰华特微电子(杭州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杰华特微电子(杭州)有限公司授权不得商用。

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