多堆叠层三维存储器件制造技术

公开了具有多个存储堆叠层的三维(3D)存储器件以及用于形成3D存储器件的方法的实施例。在示例中，3D存储器件包括第一器件芯片、第二器件芯片和键合界面。第一器件芯片包括外围器件和第一互连层。第二器件芯片包括衬底、设置在衬底的相对侧上的两个存储堆叠层、两个存储器串、以及第二互连层，其中每个存储器串垂直延伸穿过两个存储堆叠层中的一个。键合界面垂直地形成在第一器件芯片的第一互连层和第二器件芯片的第二互连层之间。

【技术实现步骤摘要】
多堆叠层三维存储器件本申请是申请日为2018年09月20日，专利技术名称为“多堆叠层三维存储器件”，申请号为201880001921.6的专利申请的分案申请。
技术介绍
本公开的实施例涉及三维(3D)存储器件及其制造方法。通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，将平面存储单元缩放到更小的尺寸。然而，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高。结果，平面存储单元的存储密度接近上限。3D存储器架构可以解决平面存储单元中的密度限制。3D存储器架构包括存储阵列和用于控制进出存储阵列的信号的外围器件。
技术实现思路
本文公开了具有多个存储堆叠层的3D存储器件及其制造方法的实施例。在一个示例中，3D存储器件包括第一器件芯片、第二器件芯片和键合界面。第一器件芯片包括外围器件和第一互连层。第二器件芯片包括衬底、设置在衬底的相对侧上的两个存储堆叠层、两个存储器串、以及第二互连层，其中每个存储器串垂直延伸穿过两个存储堆叠层中的一个。键合界面垂直地形成在第一器件芯片的第一互连层和第二器件芯片的第二互连层之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维(3D)存储器件，包括：/n第一器件芯片，包括：/n外围器件，其中所述外围器件包括存储堆叠层；以及/n第一互连层；第二器件芯片，包括：/n衬底；/n存储堆叠层，所述存储堆叠层形成在所述衬底上并包括一个在另一个之上设置的两个存储堆栈；/n两个存储器串，每个所述存储器串垂直延伸穿过所述两个存储堆栈中的一个；以及/n第二互连层；以及/n键合界面，所述键合界面垂直形成在所述第一器件芯片的第一互连层和所述第二器件芯片的第二互连层之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种三维(3D)存储器件，包括：
第一器件芯片，包括：
外围器件，其中所述外围器件包括存储堆叠层；以及
第一互连层；第二器件芯片，包括：
衬底；
存储堆叠层，所述存储堆叠层形成在所述衬底上并包括一个在另一个之上设置的两个存储堆栈；
两个存储器串，每个所述存储器串垂直延伸穿过所述两个存储堆栈中的一个；以及
第二互连层；以及
键合界面，所述键合界面垂直形成在所述第一器件芯片的第一互连层和所述第二器件芯片的第二互连层之间。


2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中所述第一器件芯片还包括存储堆叠层和垂直延伸穿过所述存储堆叠层的存储器串。


3.根据权利要求2所述的3D存储器件，其中所述第一器件芯片的所述存储堆叠层设置在所述外围器件旁边、下方或上方。


4.根据权利要求1-3中任一项所述的3D存储器件，其中，所述第一互连层包括在所述键合界面处的多个键合触点和键合电介质。


5.根据权利要求1-3中任一项所述的3D存储器件，其中，所述第二器件芯片还包括公共源极层，所述公共源极层垂直设置在所述两个存储堆栈之间并且电连接到所述第二器件芯片的所述两个存储器串。


6.如权利要求5所述的3D存储器件，其中，所述公共源极层包括两个导电层。


7.根据权利要求1-3中任一项所述的3D存储器件，其中，所述第二器件芯片还包括堆栈间插塞，所述堆栈间插塞垂直设置在所述两个存储堆栈之间并且电连接到所述第二器件芯片的所述两个存储器串。


8.根据权利要求7所述的3D存储器件，其中所述堆栈间插塞包括半导体插塞。


9.根据权利要求1-3中任一项所述的3D存储器件，其中，所述第二互连层包括在所述键合界面处的多个键合触点和键合电介质。


10.根据权利要求2所述的3D存储器件，其中所述第一器件芯片还包括垂直延伸穿过所述第一器件芯片的所述存储堆叠层的第一触点。


11.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖莉红，胡斌，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42