【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种立式炉的净化装置,特别是在集成电路制造的前道工序中,用于立式扩散氧化炉上净化硅片的装置。
技术介绍
立式炉是用于对硅片进行加热、扩散、氧化处理的炉子,在加热前,硅片放置在立式炉储片台及石英舟上,需要对硅片进行净化处理,以保证炉子内部净区的净化等级达到1级。现有的国外的净化装置,有些是采用风机鼓入空气经过滤器过滤后对立式炉中的储片台、硅片、机械手及石英舟进行净化的,但是空气中的氧气容易使硅片氧化,在硅片表面生成一层自然氧化层,这层氧化层的厚度是不可控的,对硅片的加工处理非常不利。目前国内还没有立式炉,大都是卧式炉,其净化装置也是根据卧式炉的特点设计的,一般采用水平层流的方式,其净化等级为10级,达不到1级水平。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种立式炉的净化装置,利用高纯氮气对立式炉储片台及石英舟上的硅片进行净化,可保证炉子内部净区的净化等级达到1级,并使高纯氮气能够循环利用。为解决上述技术问题,本技术的基本构思是由风机鼓入高纯氮气经高效过滤器过滤微小杂质后对需要净化的设备进行净化,再通过回气箱回收氮气送入风机循环使用。因为高纯氮气价格昂贵,所 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:钟华,孙妍,杨进维,陈江荣,
申请(专利权)人:北京七星华创电子股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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